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摘要:为探索大直径单晶体生长系统的最佳旋转波形和控制参数.研制开发了晶体坩埚多波形旋转控制系统。主要部件采用# S" B5 L4 V$ w. i0 f0 x
嵌入式单片机、交流伺服电机及D/A转换器等。提出了一种用D/A转换器实现交流伺服电机高精度调速的优化算法,提高
- L" Z, B& ^3 y$ v6 x了控制精度。简化了编程方案。试验证明该系统性能可靠,工作稳定。现已正式投入使用。
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( v5 M0 z- d0 M1 {: x' t% [# T1引言
: ^* Z# I# S$ N0 p$ ~随着微电子的不断发展,大体积高质量单晶体材料的优越
5 l# ^* ~$ p$ Y性能愈来愈受到人们的晴来。尤其国防高科技装备。但大体积高1 h& ^6 t! z- F. i) l
质量单晶体材料的生产却是一个技术难题。理论研究发现,影响
6 t! G S, W F4 j: H, e单晶体生长的主要因素是热质对流。寻找最有控制规律。严格控
- A9 r! b7 c& O0 E4 ^制热质对流,在单晶体生长过程中就显得尤为重要。为获得高质: m4 z; c2 z1 L c' }& ]
量的单晶体,除了按晶体生长要求提供合适的温度场外,通常采/ Q7 |1 k( V* z8 T$ Q6 U' w
用坩埚加速旋转技术来产生热质对流,以改变晶体生长界面前
2 p- @% o% @! d8 X4 b3 N" }沿热量和质量传输条件,其工作示意图如图1所示。' l" K1 Q1 H! {& ~3 z9 Z5 y
( A4 h# l8 h( e, y6 l0 Y
理论和实验研究表明,合适的坩埚旋转方式能较好地控制
! |) U8 r6 _9 t- ?4 ^晶体生长界面的形状。增强界面的稳定性.减小溶质边界层的( B0 o! c! r+ n" d- J k& R$ P: \
厚度,加快液相传质。允许晶体以较高的速度稳定生长。为了寻. N5 N0 v4 J' ^ o" ?
求晶体生长最理想的旋转方式,基于交流伺服电机实现的多波( `7 F/ O9 }, I, o4 d$ b; H1 S7 N
形旋转控制系统应运而生。它能够使交流伺服电机产生梯形1 S% ^6 P% L- `# D3 J/ I& N4 e! m. |
波,正弦波,三角波和矩形波等多种形式的旋转。从而使坩埚在
+ \2 u/ U: `: G' G9 m0 v做缓慢平稳下移的同时,也做相应的旋转运动。它在一个周期" [1 D7 M) v) N0 ^% ^$ Z
. T2 w% a \* X0 [- _$ h( R
图2坩埚旋转控制规律图; y8 Z; ^0 {9 V) `# g
为了进一步探索晶体生长质量与旋转波型的关系,寻求单晶 ?8 E A |' \3 [. Q
体生长的最佳旋转波形和参数。根据旋转规律和流体稳定性理论
! {! b* n$ K' K. ~4 X+ Y要求,设计正、反转最大转速nt,112在l—600转份范围内可任意
8 S4 I: @' P3 s! ?- o, J( c3 b可调。升降速时间Tl可在l—100秒内任意可调。匀速运行时间/ D. c# c" O$ j# y/ _
T2、T3可在肚_200秒内任意调节。正弦波的半周期T可在5-200- u' @' ~# g* v2 ]" e1 T
秒内可调。除此之外,还要求在T1段上的速度变化为线性。
9 I: k) |! k {& V5 t* g% L2硬件电路设计0 B) e+ w& ?% H% X9 x- P
2.1伺服电机的选择( ^% F1 a, ~" P6 N; M
伺服电机有直流和交流之分。目前松下交流伺服电机系统( l& C/ c, U- w' P1 e* z- h
性价比较高。它有交流伺服驱动器和交流伺服电动机两部分组
- B9 i6 |4 `* I/ h成,内设速度反馈和位置反馈。具有控制精度高,性能稳定,成本
. [, l: i. L% z1 Y5 Z" _" U较低,调试维修方便等优点。它有三种控制方式:位置控制。速度, ] H- K# _& j, Y4 `* c
控制,转矩控制。由于本课题要求实现速度控制,故选择用速度
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附件下载: 5 V" x( O7 `) b7 J. v! `
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