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摘要基于锁相技术,提出了一种可行的差分电容测试方法。介绍了通过硬件和软件设计,利用数字锁相放大器model, V$ O6 w% a8 G) @7 D
7225,8051单片机单元等实现电容电压特性(c—y)仪器的自动化测试。实验结果表明,该仪器具有较高的测试性能,灵敏度和! t; K7 e# I+ z2 D
信噪比都达到进口成型仪器的水平,并可进行绝对测量和相对测量。* G _& e: F. S; c: i. ]+ e
电容电压(C—y)特性是研究半导体界面特性的
1 O. a, ^( y# ^一种重要方法,已被广泛应用于MIS、MOS、p-n结、3 A1 A- b2 G0 J6 s4 e) X0 v
异质结等器件的界面特性研究,c—y特性不仅可以
1 a: ]- m7 i% a6 E7 v5 x8 ?0 u提示半导体中的掺杂、补偿、载流子寿命及表面态、0 |. K7 G, |! ]/ @' ~
固定电荷、可动电荷等材料和器件参数,还有助于+ k! e) D* Q$ K8 D, p3 z& V1 L& Z4 }
深入研究深能级、共振缺陷态、反型层子能带结构9 L; b* w. X/ D: b0 f) q
等问题⋯。; D7 i& H- Y3 Y( Q/ O
由于半导体器件结构的电容通常都在pF量# X- X! r. O' L7 v/ b& x
级,属于微小电容,要求测试系统具有较高的信噪
7 y, W( ?/ m4 A; J! V. _比,较强的抗干扰能力和较稳定的工作条件,并需
" O+ }) L$ U1 w" D8 K% u+ T要保证高的灵敏度和分辨率。此外实现C—y特性测3 i2 C+ S& i' q, ?0 w& G5 P6 y
量需要电压的连续扫描,传统的震荡法、电桥法、充
3 r2 T$ l) u5 a2 ?/ x# e ~放电法和Q表法等不能满足测试要求,需开发专用$ ]$ K3 K0 q0 ?6 y9 E& ?2 E" B8 e( z
测试仪口J o
7 j, O' C+ G0 C n国内目前的C—y测量主要是采用高频测试信号; O B, ]3 u5 F2 T% |# M0 Q
和分立元件电路,灵敏度和分辨率较低,且只能实
3 F+ n1 R8 @/ E- d6 ]7 z现绝对电容测量。本测试仪针对c-v特性的研究需# h) T* {. E9 ~ B
求,利用交流差分桥式电路的原理,基于锁相放大7 d, I* O$ S# E+ P+ a5 Y
技术,并以单片机为控制核心,研制了一套高性能' ~- `* X2 `, q# s
的C—y特性测试仪,锁相技术可保证在较低频率下
) D5 Z8 \ |& u V1 h$ R/ k4 ?' e" i5 R, U2 C
的精确测试,可实现G.y和G—y(电导电压)特性的; [. c0 b6 o) s8 T3 K. E
绝对测量和相对测量。0 r+ Y" G2 G% p o
1测试仪工作原理/ M4 M' V2 g' Q* l3 [ q/ t
如图1所示,本系统测试原理基于交流差分桥; R* h7 A9 B1 I- X' m( a$ A1 v R' v
式电路,桥臂分别由两个电容与两个电阻构成,在. n- B1 h. f+ g+ R: f2 s
C、D间加入直流和交流激励信号,A、B间输出测量5 i& H- e3 m/ c( B: P [
信号,接人后续信号处理系统。
9 Y4 O8 \, R0 M0 G) o图1中,C,为一标准数字电容,用于标定相对
' p) W( u) i3 v9 r零点和实现相对测量;G为被测样品的电容值。尺。/ r" Z! y0 K4 J& R5 w: j
=R:,均为多级可调电阻,实现多级阻抗匹配。CD
9 I2 H$ Q; V5 J, I7 I+ n% y8 g间交流电压U。=uosin2-tRFi,频率,和幅度%由交, C5 N! ?+ b$ x
流信号源控制,直流电压U2即加载在电容两端的扫
8 d( A7 V9 x3 j# O描电压,为直流电压信号源控制。AB间电压为输; j5 P4 c; [5 ] s0 ?+ G
& Q- F$ V0 v& O( T7 _" B) {附件下载:
. w4 y( D# Y3 G' v5 f
+ h4 V* J* h" _! z1 E; X7 o" N9 ~$ m9 i2 L8 Y% k! N1 ]& f0 C
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