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本帖最后由 lzhcqu 于 2009-11-28 21:31 编辑
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EDA365欢迎您登录!您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册  / [8 C% M/ U( M0 j. }  y$ g
 + u0 Z" x) Z% }  w做一个六层板2 Z! F( g8 k+ K5 x
 主芯片是DM642
 7 H3 S$ z0 x0 Y# t在做SDRAM信号线仿真
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 看到大家做DM642电阻源端匹配的时候一般用33欧姆的电阻
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 J' p+ G9 _( R8 ]. \# P我驱动端到匹配电阻的传输线程度为560mil,阻抗为73欧姆
 . q" x# t3 b. i2 O, X匹配电阻到接收端SDRAM的传输线程度为1200mil,阻抗为66欧姆: \2 x/ d, t( X/ R- z8 A
 
 $ m( v. @  o; Y! W& R但是用33欧姆的匹配电阻做仿真的时候波形的过冲差不多有1V  D2 @- a- g7 J5 D* k8 |. C
 : \2 [1 E. i) E1 e: O) x' p
 改为68欧姆的匹配电阻做仿真,波形大为改善, L( n- ^: b) K9 a; R6 |
 , B! F" r! \0 @# c9 L* v
 请问我应该用哪一个组织的电阻呢?
 5 H3 z& O6 Q5 D% Z; Z7 G+ o用68欧姆的电阻波形好点,但是为什么别人做匹配都用33欧姆的呢?) r9 e' i1 a5 G% Q
 
 7 x) y* w# |- H  j0 {还有我的驱动端DM642到匹配电阻的距离这么长,是不是起不到匹配的作用呀?3 N0 A  b+ R/ p0 r7 P
 请大家不吝赐教,我都快急死了
 8 a& z* |+ N; F( l; Q, |4 _- M5 @拜托了!
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