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本帖最后由 lzhcqu 于 2009-11-28 21:31 编辑
+ S# h- `& W) ]" p3 e0 f( n, @/ ?7 E! q5 ?: T. O8 e' l
做一个六层板
/ s: Y, ]' e; x$ f: E主芯片是DM642
5 s5 ~1 P( m, s, ]在做SDRAM信号线仿真# q: Q. r, x9 ^5 U$ i
" X0 U% k7 w. u$ D* Z, w看到大家做DM642电阻源端匹配的时候一般用33欧姆的电阻
1 A( V% [2 T( A- {( K
0 l* H$ H" r4 Y5 j1 S8 ?; a. x我驱动端到匹配电阻的传输线程度为560mil,阻抗为73欧姆
/ P2 J/ T6 M6 n% B' q匹配电阻到接收端SDRAM的传输线程度为1200mil,阻抗为66欧姆( p$ s; b; M5 n/ Q1 q) @ G3 a2 k
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但是用33欧姆的匹配电阻做仿真的时候波形的过冲差不多有1V
/ Q& e- Y( v+ `- u
1 Q0 E q# f9 ]% v, p3 w改为68欧姆的匹配电阻做仿真,波形大为改善! h4 Q' b" i7 A* X
7 C. {6 p" Y9 A7 `# h
请问我应该用哪一个组织的电阻呢?
% S9 Z0 b1 q& B5 x, ^用68欧姆的电阻波形好点,但是为什么别人做匹配都用33欧姆的呢?& I' i9 W! B( t* Z) E& l9 i1 a( k* M4 L
0 `# j, J1 Z# V* Z) U* X% q
还有我的驱动端DM642到匹配电阻的距离这么长,是不是起不到匹配的作用呀?9 _2 L# E$ |! K: P! y
请大家不吝赐教,我都快急死了. p, l0 ~$ U Z% N8 n/ n
拜托了! |
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