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本帖最后由 lzhcqu 于 2009-11-28 21:31 编辑
5 I$ e: y) X# I" r- g
; d4 C3 Q! e& ]2 U# N, |% D做一个六层板; i0 ?5 g. D1 _
主芯片是DM642( J4 x7 q$ B4 Y- S, \, F# @2 {
在做SDRAM信号线仿真. l% S: R' A% Q
" L" w2 ?: N3 e$ J2 o$ r看到大家做DM642电阻源端匹配的时候一般用33欧姆的电阻& n( `1 W' F$ d8 }
1 `! @' @0 i0 V/ y8 f0 A
我驱动端到匹配电阻的传输线程度为560mil,阻抗为73欧姆
5 n. Y- k9 `( P2 @$ k匹配电阻到接收端SDRAM的传输线程度为1200mil,阻抗为66欧姆% j# D% |; K2 V. s: F$ b5 S
# o, z" `, G- ?但是用33欧姆的匹配电阻做仿真的时候波形的过冲差不多有1V+ g% k* h& y0 ^1 S, F5 \1 [3 O: v
" U5 b5 G) R( ]4 P$ R改为68欧姆的匹配电阻做仿真,波形大为改善, G5 f! _9 l! A* }
- n& r1 C3 C: {, o. O4 E! Y, s- ]请问我应该用哪一个组织的电阻呢?
: a% V/ ]- ^& d# x g6 g用68欧姆的电阻波形好点,但是为什么别人做匹配都用33欧姆的呢?
7 ^( d# t6 G" i v$ i: [. H
+ x7 |; v# K8 @还有我的驱动端DM642到匹配电阻的距离这么长,是不是起不到匹配的作用呀?
: s: v/ Z) r0 f4 H, T请大家不吝赐教,我都快急死了3 n. T8 v) ]; ^4 l- x% c: s4 i
拜托了! |
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