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请教个SQ仿真信号线反射方面的问题

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1#
发表于 2009-11-28 21:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 lzhcqu 于 2009-11-28 21:31 编辑
5 I$ e: y) X# I" r- g
; d4 C3 Q! e& ]2 U# N, |% D做一个六层板; i0 ?5 g. D1 _
主芯片是DM642( J4 x7 q$ B4 Y- S, \, F# @2 {
在做SDRAM信号线仿真. l% S: R' A% Q

" L" w2 ?: N3 e$ J2 o$ r看到大家做DM642电阻源端匹配的时候一般用33欧姆的电阻& n( `1 W' F$ d8 }
1 `! @' @0 i0 V/ y8 f0 A
我驱动端到匹配电阻的传输线程度为560mil,阻抗为73欧姆
5 n. Y- k9 `( P2 @$ k匹配电阻到接收端SDRAM的传输线程度为1200mil,阻抗为66欧姆% j# D% |; K2 V. s: F$ b5 S

# o, z" `, G- ?但是用33欧姆的匹配电阻做仿真的时候波形的过冲差不多有1V+ g% k* h& y0 ^1 S, F5 \1 [3 O: v

" U5 b5 G) R( ]4 P$ R改为68欧姆的匹配电阻做仿真,波形大为改善, G5 f! _9 l! A* }

- n& r1 C3 C: {, o. O4 E! Y, s- ]请问我应该用哪一个组织的电阻呢?
: a% V/ ]- ^& d# x  g6 g用68欧姆的电阻波形好点,但是为什么别人做匹配都用33欧姆的呢?
7 ^( d# t6 G" i  v$ i: [. H
+ x7 |; v# K8 @还有我的驱动端DM642到匹配电阻的距离这么长,是不是起不到匹配的作用呀?
: s: v/ Z) r0 f4 H, T请大家不吝赐教,我都快急死了3 n. T8 v) ]; ^4 l- x% c: s4 i
拜托了!

该用户从未签到

2#
发表于 2009-12-1 00:24 | 只看该作者
源端匹配电阻是对接收端反射回来的信号进行匹配的,匹配电阻的阻抗加上驱动端的输出阻抗必须与匹配电阻到接收端的传输线的特性阻抗相等,并且源端匹配电阻距离驱动端越近越好。由于你匹配电阻到接收端的传输线特性阻抗为66欧姆,并且可能驱动端到匹配电阻的距离太长使驱动端的输出电阻失去作用,因此68欧姆的匹配电阻相对于33欧姆当然是比较合适的。别人使用33欧姆电阻可能传输线特性阻抗为50欧姆再加上驱动端得输出阻抗为十几欧姆,所以刚好匹配。建议楼主尽量使源端匹配电阻靠近驱动端,不然在驱动端和匹配电阻之间也会产生严重的反射而形成过冲。以上是我的个人意见,有什么不对的地方请大家指点。

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