单片机大容量FlashRAM的扩展

刘工在呢

摘要:介绍了新型闪速存储器FlashRAM 28SF040的特
点和应用,给出了两片共计8Mbit的28SF040与80C196
7 z5 K# ]9 h' B  v, Q, M( V" T' L单片机分页寻址的扩展实例。

6 s4 [+ a# g8 q# p/ H9 O关键词: FlashRAM;存储器;单片机扩展
- H) A  s. w/ m# x0 F
9 c8 ]- c' _# y* M/ o9 a微机监控设备常常需要对监控的数据进行实时记
% M' {+ I* z" B9 Y+ P5 d9 v录,以便于事后分析处理,为事故分析、设备故障诊断
和维修提供准确可信的信息，如飞机“黑匣子”列车
5 M6 v2 S# K7 ?5 F2 }2 m2 a“运行记录器”等。数据信息的记录需要大的数据容量
和实时快速的读写速度,以及在掉电和复位等干扰下.
2 k5 S2 L% n; c1 a的可靠的数据保护。现在一般采用非易失性的
9 A0 W3 S9 ^5 w# y9 b, W; yNVRAM为存储介质,它的缺点是没有硬件和软件写保
" n/ V. E, E, i% G1 k8 W2 y) M护,在强干扰条件下,程序误写的概率大。
新型闪速存储器( FlashRAM)由于同时具有E-
* M; }, j- o+ }% R: A  F- CPROM的可编程能力和EPROM的电可擦写功能，又
能像SRAM一样进行随机快速访问,因而越来越多地
4 k) V! {. W8 R/ C受到国内外的广泛关注和应用。28SF040是一个容量
为512Kx8 bit可块擦除、字节编程的EPROM,其擦
除、编程电压均为5 V。
! x: X( v0 C# @" [1 t1 FlashRAM 28SF040的性能特点及技.
术参数
4 K* g" D! P2 r5 d5 ^6 }4 G- IFlashRAM 28SF040引脚图见图1。其性能特点如
9 ^3 H& c0 a$ U( R4 ]% N9 D" [下:
①单电源5 V供电;
②容量512Kx8 bit;
" j1 Q5 \! w) G5 ~6 F  i9 E* F③数据保存时间大于10年;
④重复擦写次数典型值100 000次;
⑤可分块擦除每块256B;
⑥可进行硬件及软件写保护;
⑦快速读取时间150~ 200 ns;
⑧块擦除与字节编程:
字节编程时间
7 t. c2 g! N3 H' P& \% z典型值30μs
' p3 \$ g$ k" M' ^, K- w$ Z" r块擦除时间
典型值2 ms
" x4 ]$ C% a, B1 w- P7 `全部字节重写时间典型值 20 s
典型读电流
# G# Y8 C3 f. \4 r" }+ A# z, J典型值15 mA
典型维持电流
" N- t7 W& N3 R8 M- S* V典型值5 μA
7 X( @, {. `* h⑨封装形式: DIP32或PLCC32。
其引脚功能如下: A0~ A18为地址线, A0~A7选
0 [) J' [" y4 r, B% }  |8 f  K8 h择一块数据中的某个字节,A8~ A18是块地址。DQ7
  B4 }/ E, o" L& {% x' N~ DQ0为数据输入输出总线,在读周期输出数据,在写
周期接收数据。CE 为片选线,当CE为低电平时,该.
  B# P" `# G& [6 H2 x+ N3 U芯片被选中。OE为输出使能端;WE为写信号使能
端。VCC为电源,接+5 V;VSS接地。

9 @; R( r" r1 W) ~7 S" v3 w, l

附加下载：

游客，如果您要查看本帖隐藏内容请回复

. \0 Z- q, i6 f% ?

wiwiwisju

28SF040是一个容量为512Kx8 bit可块擦除、字节编程的EPROM,其擦除、编程电压均为5 V。