单片机大容量FlashRAM的扩展

刘工在呢

摘要:介绍了新型闪速存储器FlashRAM 28SF040的特
点和应用,给出了两片共计8Mbit的28SF040与80C196
- h2 h& m! v( G' |& y# V# Q6 F单片机分页寻址的扩展实例。
, o  ~7 n: \5 j2 ]2 S  s
关键词: FlashRAM;存储器;单片机扩展
# |: p5 c) u1 G! e# Z6 x2 K
微机监控设备常常需要对监控的数据进行实时记
录,以便于事后分析处理,为事故分析、设备故障诊断
4 Q& A, r9 _8 f7 q4 p2 F- k和维修提供准确可信的信息，如飞机“黑匣子”列车
“运行记录器”等。数据信息的记录需要大的数据容量
和实时快速的读写速度,以及在掉电和复位等干扰下.
5 x% I8 m" J/ R( w3 P) x的可靠的数据保护。现在一般采用非易失性的
NVRAM为存储介质,它的缺点是没有硬件和软件写保
+ x9 D6 d8 e1 e9 \* F' h( D$ \护,在强干扰条件下,程序误写的概率大。
新型闪速存储器( FlashRAM)由于同时具有E-
PROM的可编程能力和EPROM的电可擦写功能，又
能像SRAM一样进行随机快速访问,因而越来越多地
% A9 p# O: F' [- n/ h9 L- @1 y受到国内外的广泛关注和应用。28SF040是一个容量
9 m* T. }& _4 [) `为512Kx8 bit可块擦除、字节编程的EPROM,其擦
' p* P) R  y( v" K除、编程电压均为5 V。
1 FlashRAM 28SF040的性能特点及技.
4 g! X) r4 {) Z术参数
' r: K" @2 ?7 X) w+ t1 ZFlashRAM 28SF040引脚图见图1。其性能特点如
  G, Q- V7 i+ v& E9 b$ k0 A9 U( v( a下:
①单电源5 V供电;
②容量512Kx8 bit;
0 I' V  B$ P+ e& q- U/ X③数据保存时间大于10年;
④重复擦写次数典型值100 000次;
⑤可分块擦除每块256B;
) L* @0 ~8 ~4 g4 {$ l7 l⑥可进行硬件及软件写保护;
# |1 M5 J. Y9 o; E⑦快速读取时间150~ 200 ns;
⑧块擦除与字节编程:
% f# B; n. l  c) R字节编程时间
5 G" ]7 z+ {' @典型值30μs
块擦除时间
; a1 N/ l1 P3 f, ?; `/ y+ c# x2 A典型值2 ms
全部字节重写时间典型值 20 s
典型读电流
1 x/ X0 s8 p" t: L典型值15 mA
典型维持电流
# f: E- Z" ]9 G1 d6 ?1 s4 ?) i典型值5 μA
" G# R  B, }! m⑨封装形式: DIP32或PLCC32。
* E1 S3 y. b" F" M其引脚功能如下: A0~ A18为地址线, A0~A7选
择一块数据中的某个字节,A8~ A18是块地址。DQ7
~ DQ0为数据输入输出总线,在读周期输出数据,在写
周期接收数据。CE 为片选线,当CE为低电平时,该.
芯片被选中。OE为输出使能端;WE为写信号使能
端。VCC为电源,接+5 V;VSS接地。



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28SF040是一个容量为512Kx8 bit可块擦除、字节编程的EPROM,其擦除、编程电压均为5 V。