|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
SRAM即静态随机存取存储器。它是具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路便能保存它内部存储的数据。在工业与科学用的很多子系统,汽车电子等等都用到了SRAM。现代设备中很多都嵌入了几千字节的SRAM。实际上几乎所有实现了电子用户界面的现代设备都可能用上了SRAM,如数码相机、手机、音响合成器等往往用了几兆字节的SRAM。 实时信号处理电路往往使用双口的SRAM。下面介绍一下关于静态存储SRAM芯片的设计
3 q8 p' W7 D( L' f
, c8 @* a7 o' o4 y一个SRAM基本单元有0和1两个电平稳定状态。9 _/ ^6 i1 a5 J& @0 Q7 S
4 U, U/ g* k9 jSRAM基本单元主要由两个CMOS反相器组成。两个反相器的输入、输出交叉连接,即第一个反相器的输出连接第二个反相器的输入,第二个反相器的输出连接第一个反相器的输入。这实现了两个反相器的输出状态的锁定、保存,即存储了1个位元的状态。
" ]2 q$ [+ N2 ~
3 @, D$ `+ }/ V- ~/ `除了6管的SRAM,其他SRAM还有8管、10管甚至每个位元使用更多的晶体管的实现。 这可用于实现多端口(port)的读写访问,如显存或者寄存器堆的多口SRAM电路的实现。
& \$ o% x, m. j. q, A/ Z0 u$ N X( R4 r
一般说来每个基本单元用的晶体管数量越少,其占用面积就越小。由于硅芯片的生产成本是相对固定的,因此SRAM基本单元的面积越小,在硅芯片上就可以制造更多的位元存储,每位元存储的成本就越低。
$ k1 }% E/ d3 F+ m9 _5 L, t& G+ |" a" Q% H3 S6 n
内存基本单元使用少于6个晶体管是可能的— 如3管甚至单管,但单管存储单元是DRAM,不是SRAM。9 Y& o% X1 `3 K. c: f1 y
6 ?$ M0 \: u4 r- V
访问SRAM时,字线加高电平,使得每个基本单元的两个控制开关用的晶体管M5与M6开通,把基本单元与位线连通。位线用于读或写基本单元的保存的状态。虽然不是必须两条取反的位线,但是这种取反的位线有助于改善噪声容限。2 P0 @) j# t! D4 ^* i
6 O1 P: V) r% o, L/ F& d
|
|