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➢内核
- S7 T+ O5 W6 G; i) i) o) Gv超高速16位8051内核(1T)， 比传统8051约快70倍以上.
/ S6 r, Y* r0 d) G& w `; a4 }V 24个中断源，4级中断优先级
' k4 z, p, m* U+ U! o. [7 J# dv支持在线仿真/ m$ z' \+ v1 e$ o) K, e. ?
➢工作电压3 _# j: B* }! H$ |4 O. `* B! ~! m
V 1.9V~5.5V8 M3 L3 M/ Y1 N) @
V内建LDO
8 P, {. P. M6 W& }7 A➢工作温度+ |8 b* L1 w) ^. H
V -40C~85C2 W0 y! v+ ~( e+ L
➢Flash 存储器
8 [% Y i0 x5 \1最大128K字节FLASH程序存储器(ROM)，用于存储用户代码0 }3 k/ n' S; y! [. h% h R
V支持用户配置EEPROM大小，512字节单页擦除，擦写次数可达10万次I
+ E& a$ N5 }9 X: bv支持在系统编程方式(ISP) 更新用户应用程序，无需专用编程器
1 @8 l$ m6 X2 |0 Q; K% W0 m) n' ]) wv支持单芯片仿真，无需专用仿真器，理论断点个数无限制
$ Q* m0 O- Q7 ?' O1 Q+ H➢SRAM" b8 t& W* b! b
V 8K字节内部SRAM (EDATA)
: v/ F& z7 Z# p, xV 32K字节内部扩展RAM (内部XDATA)
; W5 U. ?- ~! a: h y9 X3 X' B. u6 e& N8 }1 X* ]3 r; x
: I* j: o4 Y+ z) M7 s
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发表于 2020-3-4 17:43
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