EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
近日，美光对外宣布，已经成功试产了全球第一个将LPDDR5 DRAM内存颗粒、96层堆叠3D NAND闪存颗粒整合封装在一起的芯片“uMCP5”，面向追求高速内存、高性能存储的主流和旗舰5G智能手机，当然用在中高端4G手机里也没问题。 " [- C' B3 u$ A0 w9 z
如今的5G旗舰手机已经将LPDDR5内存、UFS 3.0/3.1闪存作为标准配置，而且都是大容量，但由于传统手机中的内存都是与SoC处理器整合封装，闪存则是独立芯片，会占用不少空间，加之5G手机内部元器件急剧增加、结构非常复杂，整体设计难度也大大增加。
5 ^8 `3 d) b1 `4 t美光uMCP5单芯片整合了12GB容量、6400MHz频率、第二代10nm级工艺制造的双通道LPDDR5内存，256GB容量、96层堆叠、UFS接口的3D TLC闪存，以及板载控制器，对外则是297针标准BGA封装。 ; h3 |% s6 `0 u$ x
据介绍，uMCP5相比传统内存、闪存双芯片组合可以节省40%的面积，同时内存和存储带宽比上代方案提升50%。 2 K& S. w, Z9 N( w- Z
美光表示，uMCP5芯片已经向特定客户提供样品，但未披露具体客户的名单。 8 Y$ t' e% z/ G$ f3 e* J7 T
| 
/1 
发表于 2020-3-12 20:13
收藏
淘帖
支持！
反对！
楼主