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SRAM芯片is62wv51216

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发表于 2020-3-17 15:06 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM,组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。
8 Y3 h8 J# C% A$ o8 S6 d4 I/ @9 N
6 o' Y; V# n+ A% t1 z) r当CS1为HIGH(取消选择)或CS2为LOW(取消选择)或CS1为LOW,CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时,器件将处于待机模式,在该模式下,可通过CMOS输入降低功耗水平。  e1 f) f. Q) m0 R" Q# F0 D& }
3 _" n8 h+ |6 k0 ?6 N4 M3 J: t- O
使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable(WE)控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节(UB)和低字节(LB)。: d5 v, T% _6 {( K
! W4 |. x9 D$ [, H1 W  X' q7 M) u; j
IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封装在JEDEC标准的48引脚迷你BGA(7.2mmx8.7mm)和44引脚TSOP(TYPE II)中。' j6 y* L+ X, E; h8 p9 M, e5 T
' P8 A4 q+ i' _$ P5 ^' r3 H, j
SRAM芯片型号IS62WV51216,管脚图如下:7 x3 ^9 h# J, z2 e0 [' }3 s3 n

8 B* U' P, j8 p  K
; t. k0 Q# q4 T. C; ^: TIS62WV51216的管脚总的来说大致分为:电源线、地线、地址线、数据线、片选线、写使能端、读使能端和数据掩码信号线。
4 ^* K( L! S+ L; e! O2 F; p ) K* f$ K( e; F+ T0 V
特征
' P2 z( }! ^0 J! t2 e9 l% \0 H•高速访问时间:45ns,55ns
% a5 }1 ]: x6 n% S' w: V! G•CMOS低功耗运行3 D' s6 k+ f5 c
–36mW(典型值)运行8 g5 O1 ?  K; M
–12μW(典型值)CMOS待机
7 }- j0 Z& i$ A•TTL兼容接口级别
( r( X9 g* x* ~2 Y•单电源
: q$ `* u' G7 b. v. |–1.65V--2.2V VDD(62WV51216ALL)1 s, D) C$ B/ X
–2.5V--3.6V VDD(62WV51216BLL)
9 D, p) P4 d% x4 B- s•完全静态操作:无时钟或刷新需要5 @, v; T* D5 r4 O7 E& H
•三态输出: `' Z  W) ?5 K2 _( M' r- p
•高低字节数据控制7 \0 ]& t% G3 A  y9 V
•可提供工业温度
4 B# d2 i# [, I; N9 B( K•无铅
3 J5 o& Z. z% M5 Q0 p, }. V/ N* \! ]! f' t
ISSI  
8Mb LP SRAM芯片
Density
Org.
Part Number
Vcc.
Speed(ns)
Pkg(Pins)
8Mb
1Mx8
IS62C10248AL
5V
45,55
TSOP2(44),BGA(48)
8Mb
1Mx8
IS62WV10248DALL/BLL
1.65-3.6V
35,45,55
sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb
512Kx16
IS62WV51216ALL/BLL
1.65-3.6V
45,55
TSOP2(44),BGA(48)
8Mb
512Kx16
IS62C51216AL
5V
45,55
TSOP2(44),BGA(48)
8Mb
512Kx16
IS62/65WV51216EALL/EBLL
1.65-3.6V
35,45,55
sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb
1Mx8
IS62WV10248EBLL
1.65-3.6V
35,45,55
sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb
1Mx8
IS65WV10248EALL
1.65-3.6V
35,45,55
sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb
1Mx8
IS65WV10248EBLL
1.65-3.6V
35,45,55
sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb
1Mx8
IS62/65WV10248EALL/EBLL
1.65-3.6V
45,55
TSOP2(44),BGA(48)
' y  @/ v* o) a8 B; o1 o2 ^
- j2 u# p0 V# Q5 h# o

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2#
 楼主| 发表于 2020-3-17 15:08 | 只看该作者

" @" E7 ~$ _2 BISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM,组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。

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3#
 楼主| 发表于 2020-3-17 15:09 | 只看该作者
使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable(WE)控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节(UB)和低字节(LB)。

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4#
 楼主| 发表于 2020-3-17 15:10 | 只看该作者
IS62WV51216的管脚总的来说大致分为:电源线、地线、地址线、数据线、片选线、写使能端、读使能端和数据掩码信号线。

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5#
 楼主| 发表于 2020-3-17 15:11 | 只看该作者
特征
. r$ N# E- X! Z3 Z: b. @•高速访问时间:45ns,55ns8 d5 C6 n3 X( K8 W
•CMOS低功耗运行
. y; ]% S" j5 i+ L9 z5 h) R–36mW(典型值)运行6 O0 e4 C8 u2 N0 K# m% q% {
–12μW(典型值)CMOS待机
* Y% u1 }% x* T•TTL兼容接口级别
2 d1 m" {6 {: ]; {* y. u* g•单电源
: S9 \, X" O0 h. {/ _# u7 c; m–1.65V--2.2V VDD(62WV51216ALL)
% ]2 M/ E, \: L9 l! Y–2.5V--3.6V VDD(62WV51216BLL)5 I! b! I! v/ l) \( A
•完全静态操作:无时钟或刷新需要  ?% c& X, o: D; H7 \+ R
•三态输出: w( L/ z9 P$ |- J" }
•高低字节数据控制( C: C$ x( J- c/ T% ^# b0 v! V
•可提供工业温度6 I6 V6 y) s5 e, |6 r5 Z( p. k
•无铅
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