SRAM芯片is62wv51216

英尚微电子

ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM，组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。
7 P( S' Q) X6 w  c) U1 c5 W
) X  v, r. e$ U3 a9 e6 d当CS1为HIGH（取消选择）或CS2为LOW（取消选择）或CS1为LOW，CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时，器件将处于待机模式，在该模式下，可通过CMOS输入降低功耗水平。
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8 F% m5 `# j+ {# p9 R使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB）和低字节（LB）。
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IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封装在JEDEC标准的48引脚迷你BGA（7.2mmx8.7mm）和44引脚TSOP（TYPE II）中。
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SRAM芯片型号IS62WV51216，管脚图如下：
+ V: u/ \. R# n+ i

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IS62WV51216的管脚总的来说大致分为：电源线、地线、地址线、数据线、片选线、写使能端、读使能端和数据掩码信号线。
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特征
•高速访问时间：45ns，55ns
7 S5 b; e8 w) Y9 V1 x•CMOS低功耗运行
6 c5 S' E8 P8 A–36mW（典型值）运行
+ Z0 \4 Y& j; k% _9 o3 C( ?–12μW（典型值）CMOS待机
•TTL兼容接口级别
•单电源
: f; E& _& Z; k. B* X" L9 `- L- J–1.65V--2.2V VDD（62WV51216ALL）
% j6 |+ }4 Y3 y9 [& k1 i–2.5V--3.6V VDD（62WV51216BLL）
) a/ p( r7 T0 N' R•完全静态操作：无时钟或刷新需要
•三态输出
•高低字节数据控制
' }5 M8 S8 B$ h6 }# X  Z. R) r•可提供工业温度
% f& Y6 x1 Q# o) ]  Y  A' l: h•无铅

ISSI  

8Mb LP SRAM芯片

Density	Org.	Part Number	Vcc.	Speed(ns)	Pkg(Pins)
8Mb	1Mx8	IS62C10248AL	5V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)
8Mb	1Mx8	IS62WV10248DALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb	512Kx16	IS62WV51216ALL/BLL	1.65-3.6V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)
8Mb	512Kx16	IS62C51216AL	5V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)
8Mb	512Kx16	IS62/65WV51216EALL/EBLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb	1Mx8	IS62WV10248EBLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb	1Mx8	IS65WV10248EALL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb	1Mx8	IS65WV10248EBLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb	1Mx8	IS62/65WV10248EALL/EBLL	1.65-3.6V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)

- [8 O$ ~) o1 p$ v" ], p( R) \

英尚微电子

ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM，组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。

英尚微电子

使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB）和低字节（LB）。

英尚微电子

IS62WV51216的管脚总的来说大致分为：电源线、地线、地址线、数据线、片选线、写使能端、读使能端和数据掩码信号线。

英尚微电子

特征
•高速访问时间：45ns，55ns
•CMOS低功耗运行
–36mW（典型值）运行
–12μW（典型值）CMOS待机
•TTL兼容接口级别
) u2 z4 G9 k8 X- E•单电源
$ D, }$ L2 w1 g+ p3 x' V* H2 _–1.65V--2.2V VDD（62WV51216ALL）
–2.5V--3.6V VDD（62WV51216BLL）
•完全静态操作：无时钟或刷新需要
4 J  {3 K4 B) s5 h( w•三态输出
•高低字节数据控制
, B; H) z* J9 C" X. r8 x4 P•可提供工业温度
+ {7 N/ x2 f6 B0 B•无铅