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摘要:随着无线通信的发展,人们对于通信技术的要求不断提高,希望无论在何
' V! b( t. v- C1 }0 r$ z8 ^时何地都能够与任何人进行包括语音通话、数据交换和图像传输的通信。
4 c; t0 b% m4 M功率放大器是无线发射器中必不可少的组成部分,也是整个发射机中耗能最0 K7 c( V' A: `4 @/ i1 F
多的部件,输出功率-般比较大。 射频功率放大器的主要作用就是放大射频信号,
7 w' |9 E6 Q. d以输出大功率为目的。射频信号功率的放大实质上是在输入射频信号的控制下将
5 w* F, L @$ Q; V A( t电源直流功率转换为高频功率。相对于其它无线收发组件,大功率、高线性、高2 W2 M( G. i5 `. Q
效率是功率放大器的基本设计要求。
" P2 b2 l& p4 q( \, k- \本文介绍了基于TSMC 0.18um CMOS工艺的功率放大器的设计,给出了仿真( j3 S# G7 a1 L+ M4 q
结果和版图设计。该电路采用两级放大结构,单端输入单端输出。第- -级采用共
" Y7 R# F( p2 c源共栅放大电路,第二级采用差分放大电路,输出由一个平衡-不平衡电路转化为' B2 p! n [' i2 w% y9 P3 T
单端输出。在3.3v的供电电压下,最大输出功率为16.25dBm,增益为20dB,输& p. [: u: M" l9 T2 q; b
入1dB压缩点位13dBm,带宽为1GHz-2GHz,满足设计指标要求。
7 X% K/ |: J9 a' e! ~关键词: CMOS;功率放大器;射频集成电路
. N% ^5 D4 D+ L5 h( {% O9 {7 H# P分类号: TN722.7
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! V B( C. g* L1 m' L: T1 P; A7 B4 e' ~) z$ R9 ^* w2 d6 @
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