用作测试负载的数字可编程电阻

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图1所示的数字可编程精密电阻可在定制设计的 ATE（自动测试设备）中 用作微处理器驱动的电源负载。IC1 是一个 8 位 电流输出型 DAC，即DAC08型DAC ，它驱动电流-电压变换器 IC2A，IC2A又驱动功率 MOSFET Q1 的栅极。被测器件连接到 J1 和 J2。在工作时，来自被测器件的电流在采样电阻 R8A 和 R8B 上形成一个电压。放大器 IC2B 驱动 IC1 的基准输入端，并使反馈路径闭合。当 R8A 和 R8B 上的压降达到 Q2 的 VBE(ON) 时，晶体管 Q2 分流 Q1 的栅极驱动电流，提供过流保护功能。VO 和 IO 分别为输出电压和输出电流，N 代表加到 IC1 的二进制输入的等效十进制值，A 是放大级 IC2B 的增益。R1由 R1A 和 R1B 并联组成。公式 1 描述了电路的负载电流：
3 o  @: g3 {- a& U+ p. f
: Y: p8 Y6 b4 h( Q$ m. J) N

　　求方程 2 的解就可得到电路的输出电阻：
% z) i5 y- ^( V0 \: |, C4 R, Y

; }' h* ?5 [# M5 ?7 u# r6 L& F, d

- v: W$ G9 b7 H1 Q

　　采用图中所示元件参数值，电路的等效电阻范围从全“0”二进制输入（即 N="0"）的 5.5Ω左右至全“ 1” 二进制输入（即 N =255）的255Ω。
　　你可以修改电路的元件参数值来覆盖其它电阻范围。将 8 位 DAC08 换成 10 位 D/A 转换器可提高电阻精度。为了加大电路的功率承受能力，可用更大功率的 MOSFET和一个合适尺寸的散热器替换 Q1。电容器C3 和 C4 控制电路的带宽。

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当 R8A 和 R8B 上的压降达到 Q2 的 VBE(ON) 时，晶体管 Q2 分流 Q1 的栅极驱动电流，提供过流保护功能。