MOS电平转换电路

canatto · 发表于 2020-4-13 02:20

一缕缕阳光发表于 2020-4-12 23:48
: O; `' z7 F- Smos管栅极驱动电压过低，MOS管没有完全导通，所以电阻比较大，并不是理想的1.5欧，所以存在0.4v的可能 ...

“理解” 应该离不开规格书，不然就只能叫猜测。

规格书讲，栅压只要2.5V，沟道即完全开通，沟道电阻典型值1.5欧姆，最差2.0欧姆。楼主电路中DDC_CLK源极驱动为低时，栅压为3V附近，完全满足开通条件。

一缕缕阳光 · 发表于 2020-4-13 08:40

canatto 发表于 2020-4-13 02:20* D7 @8 S9 y1 ]9 ^' B# X" D8 H* }
“理解” 应该离不开规格书，不然就只能叫猜测。8 I Q, N# r) Q% z2 d
F9 L/ V5 t% j& V3 I
规格书讲，栅压只要2.5V，沟道即完全开通，沟道电阻 ...

确实我当时没仔细看图中的MOS管型号没去看规则书谢谢提醒

gglgn · 发表于 2020-4-16 21:28

你把输入接在S极端，通过放电二极管漏过去的

duklw · 发表于 2020-4-29 22:38

就是内部二极管压降

AD9_PCB · 发表于 2020-4-30 13:48

体内二极管的压降问题导致的

jane@2013 · 发表于 2020-4-30 15:23

AD9_PCB 发表于 2020-4-30 13:48. s+ W ?4 D+ l) c& A% {
体内二极管的压降问题导致的

谢谢，应该是的

topwon · 发表于 2020-4-30 15:42

个人分析：
MOS管的D极被拉低到地后（Vd=0V），MOS管的体二极管导通，于是S极电压也被拉低到0.7V左右。
此时，由于Vgs=3.3V-0.7V=2.6V，大于Vgsth，MOS管导通，体二极管被Ron短接应该不再导通。
S极电压Vs=Isd*Ron+Vd。而Ron大约是2欧，上拉电阻R1965=2K，所以Ron上产生的压降应该是mV级别的才对。Vs=Vd。
所以，楼主所称的0.4V电压差异，我觉得还是有必要再研究讨论一下其来源，不应该是体二极管造成。
Vd是否被拉到0V了呢？

jane@2013 · 发表于 2020-4-30 16:22

topwon 发表于 2020-4-30 15:42/ d, O$ \+ X. p8 D; L
个人分析：
; d7 o c" t K& n8 O, yMOS管的D极被拉低到地后（Vd=0V），MOS管的体二极管导通，于是S极电压也被拉低到0.7V左右。3 n0 R J$ ^; J- j
...

两端都没有被拉低到0，一端是0.3V，一端是0.46V

topwon · 发表于 2020-4-30 16:28

jane@2013 发表于 2020-4-30 16:22
2 }0 J2 M2 K: H% X2 [9 |9 s两端都没有被拉低到0，一端是0.3V，一端是0.46V

那你就应该先测试这个电路的功能，比如不用MCU去驱动，而是直接把S极或D极接地，看对应的D极或S极是不是也能被拉低为0V。

jane@2013 · 发表于 2020-4-30 16:31

canatto 发表于 2020-4-13 02:208 @- l, M' f% T9 h
“理解” 应该离不开规格书，不然就只能叫猜测。( O7 R$ R4 J) ?0 A0 S! {

* k: u- b+ P3 g7 P; C4 e; p3 h% l+ P规格书讲，栅压只要2.5V，沟道即完全开通，沟道电阻 ...

按照电流2mA来算，如果完全导通那么电阻按照2R来算，这样算下来，压降只有8uV.实际导通状态下MOS管两端压差是0.16mV。

jane@2013 · 发表于 2020-4-30 16:34

jane@2013 发表于 2020-4-30 15:23
l6 g/ p. u; V* C: {谢谢，应该是的

MOS管导通状态下两端压差0.16mV，二极管导通最低压差锗二极管的正向导通压降大约为0.2V~0.3V。算出来不是二极管的压差。

jane@2013 · 发表于 2020-4-30 16:36

canatto 发表于 2020-4-13 02:20* z' b; O$ J: j, p. A
“理解” 应该离不开规格书，不然就只能叫猜测。
1 |: P" v' t2 N& i' D1 ~1 f* y% w* `9 i4 J' Q; x0 |
规格书讲，栅压只要2.5V，沟道即完全开通，沟道电阻 ...

[size=13.3333px]不好意思写错了，实际导通状态下MOS管两端压差是0.16V。

jane@2013 · 发表于 2020-4-30 16:37

topwon 发表于 2020-4-30 16:282 _. H7 C( P$ j
那你就应该先测试这个电路的功能，比如不用MCU去驱动，而是直接把S极或D极接地，看对应的D极或S极是不是 ...

主要是看导通状态的压差吧？0.3V端是信号输出低电平端，0.46V是经过MOS管转换后的电平。

topwon · 发表于 2020-4-30 17:00

jane@2013 发表于 2020-4-30 16:34
4 z1 S$ u5 \: l/ U& r4 \! Y: l( nMOS管导通状态下两端压差0.16mV，二极管导通最低压差锗二极管的正向导通压降大约为0.2V~0.3V。算出来不是 ...

你用的这个mos管规格书里写的很清楚，内部寄生体二极管的正向压降的典型值是0.65V@25℃。

topwon · 发表于 2020-4-30 17:10

其实，你换一个Vgsth和Ron比较小的MOS管试一下就可以了。比如AO3402，SI2302这类。

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