MOS电平转换电路

topwon

按理分析，MOS管导通之后，DS之间的压差，就取决于Ids和Ron的乘积，如果偏大，应该就从这Ids和Ron查起，看看是谁引起的。
如果上拉电阻偏小，Ids就会偏大。Vgs偏小，Ron也会加大。如果芯片质量不好，Ron也会偏大。。。。等等。

topwon

jane@2013 发表于 2020-4-30 16:31
; }" M, ^' J+ U* n& C* ~4 P. H按照电流2mA来算，如果完全导通那么电阻按照2R来算，这样算下来，压降只有8uV.实际导通状态下MOS管两端压 ...

电流有可能不止2mA，Ron也可能大于2欧姆。所以压差也可能大于4mV。这都可以通过测量来确认。
2 m5 f; E5 ~5 ]! z1 i* A# x

canatto

topwon 发表于 2020-4-30 17:17
" ?7 G$ O6 Y8 |/ H按理分析，MOS管导通之后，DS之间的压差，就取决于Ids和Ron的乘积，如果偏大，应该就从这Ids和Ron查起，看 ...

. U3 w8 H( a% B' w7 ^除了怀疑MOS管不达标，楼主是否可以再次做一下实验，确认0.16V压差不是实验观察误差所致。
! R. T5 `6 _) `* C- j; B

jane@2013

topwon 发表于 2020-4-30 17:19
电流有可能不止2mA，Ron也可能大于2欧姆。所以压差也可能大于4mV。这都可以通过测量来确认。

I2C是OD门，外部用2K上拉到3.3V，算下来是1.65mA。如果用1K上拉就是3.3mA，不会差的很大。

syeshu

楼主还是实际测一下吧，现在大家的很多猜想其实和理论值计算下来偏离较大，实际测一下，把输入管脚短接到地，测一下输出电压，另外调整一下上拉电阻阻值，再看看会不会有改善

yhg-cad

MOS管的GS沟通吃掉的，不可能所以器件发么理想。而且0.16也在误差范围内了

jane@2013

syeshu 发表于 2020-5-6 09:51
1 C( M- N4 x! o& m2 o4 @+ E6 M楼主还是实际测一下吧，现在大家的很多猜想其实和理论值计算下来偏离较大，实际测一下，把输入管脚短接到地 ...

' o1 V! s( W" Q; N6 N; [就是实际测试的数据才提问的，测过不同的设备都有类似的问题。

jane@2013

yhg-cad 发表于 2020-5-7 00:05
9 H6 |) A3 S% j& sMOS管的GS沟通吃掉的，不可能所以器件发么理想。而且0.16也在误差范围内了

吃掉是啥意思？
6 I* U: H" S0 `, f3 v

topwon

jane@2013 发表于 2020-5-7 10:06
就是实际测试的数据才提问的，测过不同的设备都有类似的问题。

DS极的压差你是测量的稳态还是开关状态？如果测量稳态电压，那么可以串一个电流表确认一下实际电流。然后再计算一下Ron是否符合预期。

jane@2013

topwon 发表于 2020-5-7 10:12
2 b0 d: H) l$ f+ f0 l! cDS极的压差你是测量的稳态还是开关状态？如果测量稳态电压，那么可以串一个电流表确认一下实际电流。然后 ...

$ x) U- p. W( f) A8 u! L6 }( z5 _低电平的时候MOS管打开，是打开时候的状态。别的同事测过电流了，2mA.
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