SRAM存储器写操作分析

英尚微电子

目前针对不同的应用市场，SRAM产品的技术发展已经呈现出了两大趋势：一是向高性能通信网络所需的高速器件发展，由于读写速度快，SRAM存储器被用作计算机中的高速缓存，提高它的读写速度对于充分发挥微处理器的优势，改善处理器性能有着积极的意义。另一个是降低功耗，以适应蓬勃发展的便携式应用市场。英尚微电子介绍关于SRAM读写中“写操作”分析。

SRAM写操作分析
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7 @( v6 Q) N7 R# U+ u0 O写操作与读操作正好相反，它要使存储单元的状态按照写入的数据进行相应的翻转。如图1 表示了六管单元的写操作示意图。位线BIT_在写操作开始时被驱动到低电平。在字线打开传输管后，N3 与P1 管在BIT 与高电平VDD 之间形成分压。为了写操作的成功，也就是下拉节点A 至足够的低电平，启动反相器P2/N2放大新数据，传输管N3 应该比P1 管有更好的导通性。一旦反相器P2/N2 开始放大节点A 上的低电压，也就是节点A 上的下拉管N2 被关闭，上拉管P2 被打开，节点B 的电压将上升，反相器P1/N1 也将被启动，节点A 在正反馈作用下进一步向GND 转化，写操作被加速。
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图1 六管单元的写操作

2 e2 ^- U* m0 k; D" I在六管单元的写操作中，外部电路驱动两个互补的信号到位线BIT 和BIT_上，字线驱动器驱动字线ROW 到高电平，位线信号经两个传输管写入存储节点。如图1 所示的正是向存有“1”的单元写“0”的情况，也就是把A 点的电平由VDD 下拉至GND。
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道法自然

写操作与读操作正好相反，它要使存储单元的状态按照写入的数据进行相应的翻转。如图1 表示了六管单元的写操作示意图。位线BIT_在写操作开始时被驱动到低电平。在字线打开传输管后，N3 与P1 管在BIT 与高电平VDD 之间形成分压。为了写操作的成功，也就是下拉节点A 至足够的低电平，启动反相器P2/N2放大新数据，传输管N3 应该比P1 管有更好的导通性。一旦反相器P2/N2 开始放大节点A 上的低电压，也就是节点A 上的下拉管N2 被关闭，上拉管P2 被打开，节点B 的电压将上升，反相器P1/N1 也将被启动，节点A 在正反馈作用下进一步向GND 转化，写操作被加速。