国产SRAM芯片XM8A51216随机X型存储器

英尚微电子

     

XM8A51216采用异步SRAM接口并结合独有的XRAM免刷新专利技术，在大容量、高性能和高可靠及品质方面完全可以匹敌同类SRAM，具有较低功耗和低成本优势，可以与市面上同类型SRAM产品硬件完全兼容，并且满足各种应用系统对高性能和低成本的要求，XM8A51216也可以当做异步SRAM使用，称为新型国产SRAM芯片也不为过,

$ S* Q" C: n$ Y$ }  TXM8A51216是基于TLC DRAM（三态 DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）专利技术而成的新型存储器。与传统的DRAM和SRAM不同,
+ }' z  G) y  ^8 l4 f
7 Y9 @* O  C+ }% ^) n8 xXM8A51216具有以下几个技术特点：
1、数据读取速率快于DRAM产品10倍，延时10ns左右；
: K, |, M. M, N2、容量覆盖Megabit到Gigabit；
1 ^6 M" a. V' K; ~1 z3 E7 d( j, ~3、可以节省40%左右的存储阵列功耗；
4、从用户端不需要考虑刷新机制，可以随时访问。

规格书下载
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5 O' o0 `+ a4 D XM8A51216.pdf (719.73 KB, 下载次数: 1)

2020-4-30 15:57 上传

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XM8A51216封装图
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: m" P5 j( N) u% C1 a4 V* M% x

* T- j( \/ A! @. K( y型号表：
0 N8 D, m* k# h8 o; O% h

Density	PartNumber	BW bit	Vdd	Speed	Package
64Mb	XM8A04M16V33A	X16	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)
64Mb	XM8A08M08V33A	X8	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)
32Mb	XM8A02M16V33A	X16	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/BGA(48)
32Mb	XM8A04M08V33A	X8	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/BGA(48)
16Mb	XM8A01M16V33A	X16	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/BGA(48)
16Mb	XM8A02M08V33A	X8	3.3V	10/12ns	TSOP1(48)/TSOP2(44)/BGA(48)
8Mb	XM8A51216V33A	X16	3.3V	10/12ns	TSOP2(44)/TSOP1(48)
8Mb	XM8A01M08V33A	X8	3.3V	10/12ns	TSOP2(44)/TSOP1(48)
4Mb	XM8A25616V33A	X16	3.3V	10/12ns	TSOP2(44)/BGA(48)
4Mb	XM8A51208V33A	X8	3.3V	10/12ns	TSOP2(44)/BGA(48)

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XM8A51216也可以当做异步SRAM使用，称为新型国产SRAM芯片也不为过,

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