MOS管开关

th2010-gc01

topwon 发表于 2020-5-26 08:41
AO3401的Vgs上下极限电压是12V，你这样接的话，12V供电时Vgs应该比较临界了吧？栅极再单独加电阻对这个问 ...

) w- [' s* M+ B% m那你可以在Q2的D极再串接一个电阻分压一下！

huo_xing

一般的mos导通电压不超过20v都不会出问题。你这个可能启动瞬间gs电压超标。通常在设计时会在gs之间加个小电容作为缓启动。

yanggo

Q1的G极使用电阻侵夺，Q2打开的时候，Q1的G极电压控制在Q1的G极安全电压范围即可。话说，下边很多人回复了。论坛还是很活跃呀~~~

高数好难

th2010-gc01 发表于 2020-05-25 18:19:17
[quote]topwon 发表于 2020-5-25 17:41
10K和100K分压的话，Vgs=-1.1V，偏小了点，这样导通电阻Ron会比较大，损耗和发热也就比较严重，我觉得10K ...

一直这样用！

[/quote]

这电路和楼主的没啥区别，不过是WPM3401 VGS＝±12V，能改也改改吧~
1 ^8 j! G$ e, ]# d& ^

Wj6345710

12V使能给进来，2N7002导通，3点电压为0V，AO3451的VGS是12V，所以Q1会烧掉，可以去换一个VGS电压为+/-20V的pmos

loveDNF四

看了一下规格书，VGS最大+-8。你这个确实超了，除此之外，MOS后接的电容，上电瞬间对MOS来说会出现短暂过流状态的。

: W, b0 u$ D3 A2 @% v* R2 T9 m: c综上请减小VGS可以电阻分压。大电解可以移到MOS的D级。

zx_01

感谢分享。

d6636

th2010-gc01 发表于 2020-05-25 18:19:17
) N" Y8 m& h2 u. k' y, l  P3 s[quote]topwon 发表于 2020-5-25 17:41
. X  b2 N! H1 m10K和100K分压的话，Vgs=-1.1V，偏小了点，这样导通电阻Ron会比较大，损耗和发热也就比较严重，我觉得10K ...

一直这样用！

5 a2 b* e, @: b' u, `[/quote]

" w5 ~% M% M$ O. z2 o0 l& j: d这个100K确实能避免GS击穿，限流了，但如果是PWM应用，会大大增加MOS管的开关损耗
+ p( M( u5 P7 z  T, r+ ?) x0 n) K

RuiChaoMa

在Q1的栅极与Q2漏极之间加一个10K电阻。就好了。

1149976385

th2010-gc01 发表于 2020-05-25 18:19:17
4 ~; X% H' r  x5 w) }[quote]topwon 发表于 2020-5-25 17:41
# b7 a- e  P* d* V10K和100K分压的话，Vgs=-1.1V，偏小了点，这样导通电阻Ron会比较大，损耗和发热也就比较严重，我觉得10K ...

1 H( v( J6 v* e! D3 [6 Q/ W2 u$ r" x1 S一直这样用！
% }$ Z4 I8 m0 H; m
[/quote]
2 F2 F  q* K) O5 d& ~
这是加了缓启动电路吧

zhaojinbao

加分压电阻是正解

kings9527110

th2010-gc01 发表于 2020-5-25 18:19
一直这样用！

试试把12V电源变成15V，看看电路有没有问题。

andy0831

不一定是这个原因，要看负债情况

bazhonglei

kings9527110 发表于 2020-6-24 11:07
试试把12V电源变成15V，看看电路有没有问题。

( y. y) |+ [' K7 \& @G级电阻分一下压吧
9 R; f2 L- a3 O$ h3 h- i' y