MOS管开关

庚0209

: V) u3 o$ D% O5 n  l; l
# V0 W2 f) q7 j: Q2 b大家帮我看一下这个电路
, N1 E, }4 \! q2 |/ QAO3415的VGS是±8V的话，这个电路是不是会烧？
) {7 M1 l# A) _$ ^0 O* }! l本来想实现的功能是，使能为高时有12Vout输出，低时无输出。
沿用的之前的设计，沒太在意，今天发现一个AO3415在这个输出没有接负载的情况下烧了，查手册看VGS是±8V。是这个原因导致的吗？
5 `) z, n2 i, Z! x. {怎么修改一下呢
, ?9 T$ t0 C) G& y0 S& \& f2 \1 E- E

th2010-gc01

topwon 发表于 2020-5-25 17:41
! Y# S) V: y, b4 f) f10K和100K分压的话，Vgs=-1.1V，偏小了点，这样导通电阻Ron会比较大，损耗和发热也就比较严重，我觉得10K ...

一直这样用！

topwon

应该是这个Vgs超限的问题。如果不能把Q1换成Vgs范围更高的其他PMOS的话，那就要改板了，在Q2的D极处增加一个串联电阻，与R1分压再控制Q1的G极，这样Vgs就不是-12V了。

bluemare

1，Q1的D级加个1k~2k的假负载，并将大电容改小；大电容可以放到S级去；
2，Q2的D级串一个小电阻，比如100R，并在G级增加10k下拉电阻，默认不开启；另：npn（比如3904）会比7002性价比高。

jacky401

th2010-gc01 发表于 2020-5-25 18:19
; x0 B. ]# V( n, Q1 d; |8 X7 j一直这样用！

) ]# f4 i  k7 x& \$ [: O: U2 |7 t正解！需要在Q1的栅极串一个电阻，否则容易将Q1击穿。
3 R- D# J$ p9 h4 ]& f

updown

楼主，别急，帮你问问，或者你可以艾特一下版主看看

th2010-gc01

Q1的D级串一个100K的电阻！

庚0209

topwon 发表于 2020-5-25 16:10
应该是这个Vgs超限的问题。如果不能把Q1换成Vgs范围更高的其他PMOS的话，那就要改板了，在Q2的D极处增加一 ...

暂时可能不改板，就还是换器件吧。。
$ X" \9 B5 v; D$ _4 J下次改板的时候再加上。。
: Q3 v: f% t. @! L. f( s

庚0209

th2010-gc01 发表于 2020-5-25 16:34
8 \( Z. K3 i% s4 I# N* G3 b- @Q1的D级串一个100K的电阻！

+ A! K( n' J: J& hQ2的D级吧，Q1的G级。
分压
2 J6 V! Y& m: d1 P

th2010-gc01

庚0209 发表于 2020-5-25 16:39
; i# p" p8 _  K2 o; ^Q2的D级吧，Q1的G级。
分压

嗯嗯嗯，是在Q1的G极！Q2截止时12V通过10K和100K电阻再到Q1的G极！

topwon

th2010-gc01 发表于 2020-5-25 17:31
嗯嗯嗯，是在Q1的G极！Q2截止时12V通过10K和100K电阻再到Q1的G极！

10K和100K分压的话，Vgs=-1.1V，偏小了点，这样导通电阻Ron会比较大，损耗和发热也就比较严重，我觉得10K和20K分压，Vgs=-4V，是不是会比较好一点。
6 w1 ?2 ^, e( c, J8 ?- Z9 D- I

yhg-cad

不错的分析

topwon

th2010-gc01 发表于 2020-5-25 18:19
+ M+ L5 o  K# u% w: \4 [: H一直这样用！

AO3401的Vgs上下极限电压是12V，你这样接的话，12V供电时Vgs应该比较临界了吧？栅极再单独加电阻对这个问题应该没有帮助吧？
1 n. r* b; }! Z( k( G* v, T
: o) A  L* N5 ~9 ]( q" r: D9 p% u

qqarshavin

jacky401 发表于 2020-5-25 20:19
4 K" T( J# |( m' k7 a正解！需要在Q1的栅极串一个电阻，否则容易将Q1击穿。

- i/ g4 ~8 w( M( T% U. S& h3 R( RQ1 栅极串电阻是何用意？没看出来，栅极串电阻有什么用啊。

qqarshavin

Q1换个就好了，Vgs大点的PMOS，比如说Vgs极限大于-12V就可以。