MOS管开关

th2010-gc01 · 发表于 2020-5-26 10:07

topwon 发表于 2020-5-26 08:41. v( G( W/ }' y: k3 N
AO3401的Vgs上下极限电压是12V，你这样接的话，12V供电时Vgs应该比较临界了吧？栅极再单独加电阻对这个问 ...

那你可以在Q2的D极再串接一个电阻分压一下！

huo_xing · 发表于 2020-5-26 15:54

一般的mos导通电压不超过20v都不会出问题。你这个可能启动瞬间gs电压超标。通常在设计时会在gs之间加个小电容作为缓启动。

yanggo · 发表于 2020-5-26 16:00

Q1的G极使用电阻侵夺，Q2打开的时候，Q1的G极电压控制在Q1的G极安全电压范围即可。话说，下边很多人回复了。论坛还是很活跃呀~~~

高数好难 · 发表于 2020-5-27 12:45

th2010-gc01 发表于 2020-05-25 18:19:17
8 _1 X! |$ j7 n% l[quote]topwon 发表于 2020-5-25 17:41: y! |# ^9 \/ _$ ]9 {1 P X
10K和100K分压的话，Vgs=-1.1V，偏小了点，这样导通电阻Ron会比较大，损耗和发热也就比较严重，我觉得10K ...

一直这样用！

[/quote]

这电路和楼主的没啥区别，不过是WPM3401 VGS＝±12V，能改也改改吧~

Wj6345710 · 发表于 2020-6-6 22:14

12V使能给进来，2N7002导通，3点电压为0V，AO3451的VGS是12V，所以Q1会烧掉，可以去换一个VGS电压为+/-20V的pmos

loveDNF四 · 发表于 2020-6-8 12:30

看了一下规格书，VGS最大+-8。你这个确实超了，除此之外，MOS后接的电容，上电瞬间对MOS来说会出现短暂过流状态的。

综上请减小VGS可以电阻分压。大电解可以移到MOS的D级。

zx_01 · 发表于 2020-6-9 00:06

感谢分享。

d6636 · 发表于 2020-6-18 12:37

th2010-gc01 发表于 2020-05-25 18:19:179 I0 |- l. H# ~4 L5 H- W; H9 B7 r8 ?
[quote]topwon 发表于 2020-5-25 17:41# d; |) g; }2 U+ w; f7 `0 ~
10K和100K分压的话，Vgs=-1.1V，偏小了点，这样导通电阻Ron会比较大，损耗和发热也就比较严重，我觉得10K ...

一直这样用！

[/quote]

这个100K确实能避免GS击穿，限流了，但如果是PWM应用，会大大增加MOS管的开关损耗

RuiChaoMa · 发表于 2020-6-23 22:48

在Q1的栅极与Q2漏极之间加一个10K电阻。就好了。

1149976385 · 发表于 2020-6-24 07:17

th2010-gc01 发表于 2020-05-25 18:19:17
0 N D8 p$ k( y8 `" f7 P' C[quote]topwon 发表于 2020-5-25 17:41. O! b4 f$ T, M# M. @6 U8 i( m* x
10K和100K分压的话，Vgs=-1.1V，偏小了点，这样导通电阻Ron会比较大，损耗和发热也就比较严重，我觉得10K ...