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分享一款超低功耗CMOS 16Mbit SRAM

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发表于 2020-5-26 14:43 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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美国ISSI主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要为汽车,通信,数字消费者以及工业和医疗等市场提供存储器产品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit静态RAM,组织为1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。 IS62WV102416DALL/DBLL和IS65WV102416DALL / DBLL封装在48引脚TSOP(I型)中。
8 v8 v! K4 i' M/ {1 r5 P
3 m2 |& a* u  V( ]: A功能说明5 i0 i7 [) ^- H
SRAM是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址,可以随机访问。 SRAM支持三种不同的模式。1 L# t  @, f% R2 j

  A4 C8 f" s) c7 A, z待机模式
" i: X9 M: j  v3 n4 v( m取消选择时,设备进入待机模式(HIGH或CS2 LOW或两者都为HIGH)。输入和输出引脚(I / O0-15)处于高阻抗状态。根据输入电平,此模式下的电流消耗为ISB1或ISB2。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。, r4 P. V8 {/ U* C

% q" Z% `) x% X写模式
0 |* E6 ]/ Y" ]选择芯片时(LOW和CS2 HIGH),写使能()输入LOW时的写操作问题。输入和输出引脚(I / O0-15)处于数据输入模式。即使为LOW,在此期间输出缓冲区也会关闭。并启用字节写入功能。通过启用LOW,来自I / O引脚(I / O0至I / O7)的数据被写入该位置。
8 c5 @( h% l; V- V, g
0 }* Y. c0 _$ }; u# r1 {, i6 Q在地址引脚上指定。处于低电平时,来自I / O引脚(I / O8至I / O15)的数据被写入该位置。( B& H6 ?( {5 b7 {. J/ \5 G( r; y
* }% f: M4 o& d( u
读取模式3 _: I5 R6 I/ s
选择芯片时(LOW和CS2为HIGH),写使能()输入为HIGH时,读操作出现问题。当为低电平时,输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I / O引脚进行任何输入。并启用字节读取功能。通过启用LOW,来自存储器的数据出现在I / O0-7上。处于低电平时,来自内存的数据将出现在I / O8-15上。
8 p0 j- j9 l% B- {8 B
- x0 I  @" {* c5 W在读取模式下,可以通过拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下,内部设备作为READ操作,但I / O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式,因此使用有功电流。
* ~( a) D2 V! b$ H1 ~3 T. K1 u, r
  r* X% ?7 \! l3 Y0 L2 \  M, Q2 R5 c工作温度范围8 E$ M% t5 Q; a9 h5 @/ p
商用工作温度为0°C至+ 70°C ,电压为2.2V 3.3V 3.6V
. `: W, |/ t1 a. m工业工作温度为-40°C至+ 85°C ,电压为2.2V 3.3V 3.6V( u5 N0 c8 H/ {7 z- Q7 w, u
汽车类工作温度为 -40°C至+ 125°C,电压为2.2V 3.3V 3.6V
6 w+ z7 P* e% Z# I" ], h5 t* c. Z6 p) N
ISSI 低功耗SRAM
5 R, ]$ J! g1 @! K) x; f) A

. Q7 q6 ~) |/ S0 u' s7 h* P% ?3 S- h 62-65WV102416DALL-DBLL.pdf (1.13 MB, 下载次数: 0) & f, w( c9 c- i/ {

& Q7 e. [9 z, M9 K; c) I+ r

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发表于 2020-5-26 16:15 | 只看该作者
一款超低功耗CMOS
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