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32Mb高速低功耗异步SRAM

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发表于 2020-5-27 14:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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ISSI生产的32Mb高速低功耗异步SRAM,这种创新的设计加强了ISSI对具有最高质量和性能的SRAM的长期承诺。32Mb SRAM在汽车A3温度范围(-40°C至+ 125°C)下提供12ns的访问时间。
, Z! Q0 N2 |( C+ J3 ?% W& {& U 2 p7 W6 e4 x) `8 e' O5 q  V
ISSI IS61 / 64WV204816ALL / BLL是高速32M位静态RAM,组织为2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。- z$ i) Q. R: K) A8 \* u; P

+ ^2 ?! I; q" {% V% e$ j这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。
+ p! S7 S1 i, \, N
% T+ b4 L# t9 S3 [& V当CS#为高电平(取消选择)时,器件将进入待机模式,在该模式下,可以通过CMOS输入电平降低功耗。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable(WE#)控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节(UB#)和低字节(LB#)。( ]# w, n* g5 I# }6 q

5 ~9 M/ O3 ~1 P  b该器件采用JEDEC标准的48引脚TSOP(TYPE I)和48引脚微型BGA(6mm x 8mm)封装,应用范围在汽车/工业/医疗/电信/网络等。: l! T6 O' Z  u: Q$ x

5 C; y; f; i" o  J! Z  y
0 N/ m- Z9 U+ p# G0 Z
IS61WV204816BLL (I)
IS64WV204816BLL (A3)
注释
温度支持
工业! ^9 H- a3 r& @. R% m( d* i: S
(-40°C to +85°C)
汽车
& n/ E$ x9 J' q' C' Y. N; X8 q(-40°C to +125°C)
6 }1 s+ w7 ^8 z# V7 U! L2 F; w
技术
40nm
40nm

5 {2 G/ }7 `+ y; x
电源电压
2.4V ~ 3.6V
2.4V ~ 3.6V

5 b; ]2 W  F  _. X) U$ Q8 x
工作电流(最大)
100mA
135mA

5 e8 i9 P3 \0 U/ M' z
待机电流(Typ)
10mA
10mA

3 x* w7 ]- P. Z3 }, Y
包装
TSOP-I(48针)0 N( k' Q$ I4 Q5 ?% {$ R
BGA(48球)
TSOP-I(48针)
6 k/ ?- \% q& I6 U9 S: L+ o3 P" \BGA(48球)
引脚兼容( E- |0 I" y# z/ X
16Mb异步SRAM
速度
10ns
12ns

, l4 B2 u5 r3 V  X
铜引线框

# K0 @: P* u0 o4 e
无铅PKG
符合RoHS
% e4 D2 ~- D# ?1 v6 P  P6 ^
% l" q, g: ~* A  V1 d7 _# H
SRAM存储器是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址,可以随机访问。 SRAM支持三种不同的模式。每个功能在下面的“真值表”中进行了描述。
8 A- |( m$ V1 E& f$ _ ) o5 M, h  l% R: Z8 a( b# r$ e
待机模式
9 k5 `: u, o8 Q8 O取消选择时,设备进入待机模式(CS#高)。输入和输出引脚(I / O0-15)处于高阻抗状态。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。
# j( O  @! ]" H
7 ]! z7 `9 M8 a. r写模式
: B! M" a7 S* m0 [' [( V选择芯片(CS#)且写使能(WE#)输入为LOW时发生写操作问题。输入和输出引脚(I / O0-15)处于数据输入模式。即使OE#为LOW,在此期间输出缓冲区也会关闭。 UB#和LB#启用字节写入功能。通过将LB#设为低电平,将来自I / O引脚(I / O0至I / O7)的数据写入地址引脚上指定的位置。且UB#为低电平时,来自I / O引脚(I / O8至I / O15)的数据被写入该位置。; y$ M2 x: l) n! `! Q
) D$ X) P( K  Y) T% ^2 K% j0 z* M3 {
读取模式
$ B% |' N5 w3 P选择芯片时(CS#为低电平),写使能(WE#)输入为高电平时,读操作出现问题。当OE#为LOW时,输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I / O引脚进行任何输入。 UB#和LB#启用字节读取功能。通过启用LB#LOW,来自内存的数据出现在I / O0-7上。且UB#为低电平时,来自内存的数据出现在I / O8-15上。
1 J* Z9 w* w# `' I1 ~0 t  ]8 Y9 W
6 H, q2 T3 ^9 [) v在读取模式下,可以通过将OE#拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下,内部设备作为READ操作,但I / O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式,因此使用有功电流。
! Z5 v) v! m1 ?7 g" j
$ |6 e, R6 W. G! e" G上电初始化  p6 Q6 A7 N% j2 a
该器件包括用于启动上电初始化过程的片上电压传感器。
! m/ _+ w! G; h. l当VDD达到稳定水平时,器件需要150us的tPU(上电时间)来完成其自初始化过程。6 v0 A& ?* P/ c' Z1 _
初始化完成后,设备即可正常运行。

- ?) p, x5 Q# x+ E/ w7 a1 _1 @
' k; M% Z0 L' c: B3 u
# E6 `+ {- ^2 F( C
规格书下载# d/ S0 m; w* i: i+ m+ q1 {
IS61-64WV204816ALL_BLL.pdf (868.1 KB, 下载次数: 0)
5 ?: F1 M, X& o! [  }

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 楼主| 发表于 2020-5-27 14:29 | 只看该作者
9 c1 |  Z) C' o
ISSI生产的32Mb高速低功耗异步SRAM,这种创新的设计加强了ISSI对具有最高质量和性能的SRAM的长期承诺。32Mb SRAM在汽车A3温度范围(-40°C至+ 125°C)下提供12ns的访问时间。

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 楼主| 发表于 2020-5-27 14:34 | 只看该作者
SRAM存储器是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址,可以随机访问。
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