小白求教，关于高压MOSFET的驱动电路设计问题，有懂的帮忙解答一下

学霸行 · 发表于 2020-6-16 15:50

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如图，用几个MOSFET串联做个软开关（用1700V的MOSFET，计划用5个串联，图中只展示三个），由于要控制开关的电压太大（8kV），没有这么大的现成的光耦驱动芯片，所以直接用光耦隔离，不加驱动直接把12V电压加载到栅极，这样方案可行么？
还有，我开始准备只用一个12V转12V的隔离电源为5个MOS管栅极提供电压，但是后来有人说每个Mos都要用一个隔离电源，我不懂为什么要用5个？

huo_xing · 发表于 2020-6-16 16:36

前一个问题不是很懂。但是mos驱动必须隔离，如果不隔离，图纸中的所有mos的s脚不就通过驱动电路的gnd连到一起了吗？
另外，这么高电压，不考虑igbt吗？

522 · 发表于 2020-6-16 21:13

我很好奇你为什么不用IGBT，而用MOSFET，在高压的运用场合多运用IGBT,该类器件的耐压比MOSFET都高

学霸行 · 发表于 2020-6-17 08:18

huo_xing 发表于 2020-06-16 16:36:16" f* K$ Q. c$ b, r d
前一个问题不是很懂。但是mos驱动必须隔离，如果不隔离，图纸中的所有mos的s脚不就通过驱动电路的gnd连到一起了吗？) m! Z* R9 O9 a) N+ o- C$ Y! g
另外，这么高电压，不考虑igbt吗？

您这么一说，突然发现是这么个理耶，我好笨啊~

士心光军 · 发表于 2020-7-5 23:03

可以用继电器

sean zou · 发表于 2020-7-6 14:10

高压用IGBT与MOS都可以，没有明确的区分

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