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请教晶振电容在PCB的摆放问题

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1#
发表于 2020-6-23 17:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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偶平时设计过电容再到晶振,周围包地,晶振下保持干净完整平面。
  T) O% W/ b% U在一些硬件指导或者DEMO上有这两种做法:
/ |! A8 X! v5 J" E7 V3 g1、有先过电容再到晶振;. J! z. Z! V+ D$ G) Q& d# ^
2、有先过晶振再到电容(以前听老工程师说这会产生STUB效应);5 M; W' ?. }9 @6 V, S6 z' I% q
有些DEMO参考板客户强烈要求按DEMO板布局布线,毕竟这是调试没有问题。
9 o9 V. n. M0 Y; l3 h% d平时没有机会调试,请大神解释下这两种处理方式。7 e# s# m! J! E! y2 Z

. h6 m' d* C; Z. M

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该用户从未签到

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发表于 2020-7-20 19:24 | 只看该作者
这种频率的晶振对于电容的摆放位置要求不高

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参与人数 1威望 +5 收起 理由
超級狗 + 5 也對!

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  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-4-9 15:05
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    推荐
    发表于 2020-6-24 15:15 | 只看该作者
    靠近MCU越近越好,即引线越短越好;
    ) d! R4 _" T6 U2 Z-----一般是这样,但是有时候主芯片发热比较严重的话,要考虑温度对晶振稳定性的影响,可能还要考虑适当地拉远一些。

    该用户从未签到

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     楼主| 发表于 2020-6-24 10:11 | 只看该作者
    fisheryzh 发表于 2020-6-24 09:411 S* H0 g7 ^1 ]& `  i+ g
    到底是先过电容,还是先过晶体(晶振)这个不是原则。# s) i* {. ^# K4 W$ Z6 f
    布局布线原则:' r  s2 G; }! _) P* ?3 L
    1、减小寄生电容和寄生电感,晶体 ...
    - L8 p, r5 ^& p, t
    1、靠近MCU越近越好,即引线越短越好;' ^) L# T# V! c; T3 o3 Q$ h0 R) k
    2、等长倒是没有做过,一般加粗类差分处理,周围包地打孔;
    0 T4 \( D" e# G/ e" ~! ]0 F+ F- j- f3、远离高频,敏感信号,热源,DCDC,继电器等干扰源;' n; E" A' J( D% T4 H+ ?/ z% ]+ G
    4、基于结构所限有时也考虑放在晶体两边;
    ' M* B$ o3 f( _3 C" V
    & a  e, ^: o; ]* t: ^" M) }: XPS:1.基于以上设计,两种是否都OK,有仿真或者实操的帮解释下。
    + V0 ~2 g& _# F      2.有时做不到以上第三点,但是相邻或接近(如1-2MM内),晶体下还是保持干净,是否也是OK?. M0 \' [! A6 a

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2020-6-23 17:55 | 只看该作者
    一般情况我都是第一种 后面几种有些参考板也遇到过 主要还是第一种 目前没遇到任何问题

    点评

    也是和你一样方式处理。  详情 回复 发表于 2020-6-24 09:11

    该用户从未签到

    3#
     楼主| 发表于 2020-6-24 09:11 | 只看该作者
    xxxxc 发表于 2020-6-23 17:55; O5 y. c& H+ a% ~; M4 J
    一般情况我都是第一种 后面几种有些参考板也遇到过 主要还是第一种 目前没遇到任何问题
    # r3 C7 u8 {$ \  ^' W. c2 {/ @
    也是和你一样方式处理。( V  s' G1 q8 H+ `: |( q/ @) w" J
  • TA的每日心情
    开心
    2020-3-16 15:23
  • 签到天数: 7 天

    [LV.3]偶尔看看II

    4#
    发表于 2020-6-24 09:41 | 只看该作者
    到底是先过电容,还是先过晶体(晶振)这个不是原则。! s3 J. x) ]* }( i* P# y! Q/ C
    布局布线原则:
    1 C  G  k) n; v* A1、减小寄生电容和寄生电感,晶体到MCU的引线等长,走线长度足够短,避免分叉;
    . Y) h8 X* T% }* S1 Q" {/ S# G2、MCU的电源要有足够的滤波电容,保证高频干扰串入晶体电路;
    , `8 s6 J/ i3 A! i6 X+ x) V3、晶体电路需要包地,包地的地线需要打过孔到gnd layer;
    # a; M' o* P7 d+ E4、晶体电路远离高频信号;+ _, k/ E- V% j9 L* c
    5、电容是放在晶体和MCU的中间,还是外面,依然实际器件尺寸和布局布线情况选定;

    点评

    1、靠近MCU越近越好,即引线越短越好; 2、等长倒是没有做过,一般加粗类差分处理,周围包地打孔; 3、远离高频,敏感信号,热源,DCDC,继电器等干扰源; 4、基于结构所限有时也考虑放在晶体两边; PS:1.基  详情 回复 发表于 2020-6-24 10:11

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  • TA的每日心情
    难过
    2025-8-4 15:43
  • 签到天数: 99 天

    [LV.6]常住居民II

    7#
    发表于 2020-6-26 08:52 | 只看该作者

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    8#
    发表于 2020-6-30 19:26 | 只看该作者
    没啥区别,这里的电容不是滤波用,是震荡电路。

    “来自电巢APP”

  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-23 15:12
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    9#
    发表于 2020-6-30 22:50 | 只看该作者
    我常用的都是第一种,没出现过问题!

    “来自电巢APP”

  • TA的每日心情
    无聊
    2024-4-26 15:13
  • 签到天数: 3 天

    [LV.2]偶尔看看I

    10#
    发表于 2020-7-1 08:41 | 只看该作者
    应该是先过晶振,后过电容

    “来自电巢APP”

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2020-7-1 10:34 | 只看该作者
    这电容不属于滤波,所以位置只要就近晶振即可,振荡作用

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2020-7-1 10:58 | 只看该作者
    学习学习,电容应该是滤波的作用吧

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    13#
    发表于 2020-7-2 08:41 | 只看该作者
    我都是先过电容再到晶振

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2020-7-20 07:51 | 只看该作者
    这个情况基本没考虑过,因为看到的基本上都是第一种,所以习惯性的就喜欢用第一种

    “来自电巢APP”

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2020-7-20 09:31 | 只看该作者
    ST官方关于晶振的处理分析文档的。

    AN2867 Oscillator design guide for STM8AFALS, STM32 MCUs and MPUs.pdf

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