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MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用。Everspin总代理英尚微电子提供技术支持产品解决方案。/ Z: `- a2 g4 v- _( [
5 ^; Q I; f4 h下面介绍Everspin AEC认证的汽车应用MRAM. }% S7 i" f. h/ r: P/ v8 D
6 L* S! `' {# z- jMRAM非易失性存储器几乎可以在任何汽车系统中提高性能并降低成本3 {, ^$ F+ I O! b: S
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4 c+ u! o# Q) k9 v: O+ @4 x) K* @
0 e; `( v, z$ V•以全总线速度保存数据* F! Z. d- E" F) o
•意外断电后立即恢复状态! g4 L4 ^( O2 U6 x }
•提供AEC Q-100合格的1级（-40 / 125°C）和3级（-40 / 85°C）
- s9 d4 V: T+ X6 z) Z( \2 t保护有价值的数据并降低成本MRAM内存是保留宝贵的车辆数据，简化设计并降低BOM成本的最佳解决方案。1 z9 R. t N, j) A2 A
& ^% n# \% ?! F- W. O. }
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2 m' x! @. ~" M/ U. S保护宝贵数据的最佳解决方案0 I3 @' K& J7 \0 f! G; }
•不需要额外的内存用于磨损均衡
+ |3 p$ E; h( [, A1 x- `•消除了昂贵的电容器& H6 B' ?1 P) n, V
•不再需要功率损耗检测电路
; ^; ^2 q3 [7 A* [7 g) n•简化系统固件，始终保持非易失性
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' O) Y9 F4 h! x9 k0 j* _! U& h" T/ [1 a1 h
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简化并降低BOM成本
+ \! p; B9 B2 J2 J•无限的耐用性，可安全保存程序代码
' J. X: E m4 l6 U•快速写入-以系统总线速度工作的内存) S) @* y _ X0 H: V4 S
•非易失性，数据保持温度> 20年3 S& [: S5 G: _, D8 T2 d
•不需要电容器，电池或缓冲液
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最大化控制系统的数据访问# F B c/ |1 o/ t+ K
MRAM在保持非易失性的同时最大化数据收集率1 i8 I# Z+ U& Y; S/ v) A, ~
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由于较长的读/写周期，耐用性限制而导致数据丢失
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无遗漏数据，写入速度与SRAM一样快，非易失性，无磨损，电源故障期间无数据丢失
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' F/ J& _8 }2 V* }MRAM像SRAM一样是快速写入的，而像Flash一样也是非易失性的，但是不需要页面擦除或长写入周期。事件数据可以以总线速度保存到MRAM，并且即使意外断电或掉电也可以保持持久性。
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Everspin AEC认证的汽车应用MRAM
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发表于 2020-7-17 16:04
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