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请教,在多片DDR布线中,Vref应该使用何种拓扑结构

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1#
发表于 2010-9-9 19:13 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 h2feo4 于 2010-9-9 19:18 编辑 . j" H5 n/ C. B: D

9 Y, X/ s$ N! W# a请教,在多片DDR布线中,Vref应该使用何种拓扑结构8 M0 b9 f" w3 p4 U2 h7 L' \
- Y4 r) P+ V8 w1 d, L# ^1 l4 G
我在画的板子是6层,最小线宽/间距是6mil
. t% I1 F0 w7 V7 M# e& B$ B( B4 ]TopLayer
) t  N8 d- c. lGND-Plane- c0 v1 ?' P) a8 U
Power-Plane 3.3V/1.8V, T! u+ i) x" `9 S0 E( @3 \) N
MidLayer-1 (布线剩余空间铺铜GND)
/ X" {/ X: V+ L! H1 cPower-Plane 2.5V
4 O3 U; e* c8 G/ P- @, S4 VBottomLayer! s* q! t$ K, B0 @) ]/ F

7 T  Q! ~% |8 c3 z' U3 j% fFPGA 带4片DDR,两片在正面,两片在背面,背对背9 T: F' V( f" v+ a; G
数据线走Top/Bottom,平均长度约 1 inch,每条线上最多有两个过孔
1 \+ O0 @, l; X- n& ^1 _地址和控制线走MidLayer-1,平均长度约 2.5 inch,每条线上最多有三个过孔
5 T: c; E  [" H* |6 N# _9 a受限于空间,所有DDR信号线只有Rs没有Rp
7 h8 b4 H: v" c1 z, }9 E占用FPGA的3个IO Bank(每个IO Bank有约10个Vref脚)5 Z1 p; Y1 `# C# o5 h, n8 ~
所以一共有34个Vref脚,请教下该连成什么拓扑结构
& f. l% o2 `, [! q. n从布线状来看树状最方便,但不知道是否会有不良影响,是否需要在每个树杈终点放电容?
. E( \4 n+ c8 O2 s8 _* P* e. I& r/ d/ [$ u/ X
另外,请教下,Vref用多少线宽合适呢?
' x- Z5 {8 x3 Z谢谢!

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2#
发表于 2010-9-9 22:18 | 只看该作者
VREF有这么多吗一个BANK,基本上就1-2个管脚,直接铺一个平面就是了,这个是电源

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3#
 楼主| 发表于 2010-9-10 16:43 | 只看该作者
补图来了' g% }: x" V; N
! d$ X$ g  w! D, e
板子总体 中间是FPGA,右边是4片DDR(两正两反背对背)
; r, i( N. y4 j7 ^& l数据线走Top/Bottom,地址和控制还没画,黄色线表示其大致趋势% \. A. O- }2 h3 X

$ ~9 `8 D7 i5 @4 H2 \) f6 W, u/ B+ F
设计的层结构" @9 s7 x0 L' c5 I0 f$ D
3 q6 @2 c4 G  q9 r* _- u) {  g; Y
/ j: M3 b2 Q3 n  l
DDR附近正面走线
5 |) y  C! Q0 m0 a; v7 o ) V6 e# g7 \$ Q' O( {

; G' r7 S) o: p( ^8 p0 a+ D# c2 s0 aDDR附近背面走线$ K5 B' z- c$ a/ o, c

- f6 t3 k/ @. i( `$ W0 s+ D3 F, z& [; G% R; ^+ g  L2 ~; T( Y; c
2.5V电源区域
: h/ `0 P7 v1 L
. o) ?; s; c5 T& ^! R/ n) V" [9 [, }' g( q6 o* o
FPGA确实每个Bank有10个Verf,老型号就这样,没办法; U8 R/ r6 C$ p0 @7 z
板子上没有空间给Vref一个整平面,最多能容忍40mil粗的一条线
1 @0 S8 Q9 v: K1 V% u$ j我看了一些主板和内存条的PCB,好像从来没哪个板子把Vref搞成平面的,都是一条挺细的线* S% v! \0 J9 Z; p- z' o

) z( s9 A# g3 h7 m1 H* l6 ^8 T哪位能指导下,感激不尽

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4#
发表于 2010-9-10 18:26 | 只看该作者
vref没必要搞那么粗的,只是提供一个参考电压而已,粗了反而不好,容易受干扰。保护好vref就行了

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5#
发表于 2010-9-11 21:52 | 只看该作者
那最后你决定用什么拓扑?

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6#
 楼主| 发表于 2010-9-12 16:22 | 只看该作者
回复 5# dw4736
. p# M  ?7 i( t; a! t3 p5 r. R9 u  R6 x: L& B0 Y5 v8 X
5 W- X8 M3 B; g7 p; A
    没决定呢,还没搞清楚

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7#
发表于 2010-12-23 09:16 | 只看该作者
这叠层有点...............
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    8#
    发表于 2010-12-23 14:13 | 只看该作者
    如果DDR跑的快,楼上叠层结构需要重新考虑一下,可以参看一些叠层资料好好消化一下,再重新叠层,如果EMI这些要求是有的建议top与bom不走线,只走一小段线然后打孔进内层。
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    9#
    发表于 2010-12-23 14:17 | 只看该作者
    还有VREF的电流很小,芯片里面应该是比较器的输入端电阻很大,一般需要的电流是nA级的,不过这个电压要求跟随VDDQ的电压变化而变化,需要满足这个要求才能跑得快,稳定。这么小的电流所以一般不需要很粗的线,只要保护好它不受干扰就行。

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    10#
    发表于 2010-12-23 15:50 | 只看该作者
    布线很有特色!!
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