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本帖最后由 Zjianeng 于 2020-8-20 14:03 编辑 , M5 D2 ^" G/ w* w
; [) e: T1 s: a( R5 o3 y3 b“这天气真的太热了,家里的空调都罢工了.叫来修空调师傅一查,竟然是电容器被烫坏了,幸亏没有发生爆炸。”网友在朋友圈里发了一 条微信,并附上一张像两个一号电池大的电容器图片,该电容器的头部原本是扁平的,如今已经高高涨起。这位网友说,因为空调连续工作,再加上空调外机被烈日 灼晒,电容器不堪高温造成的。
( N7 L. D# B# k) Q- K: @( d" M0 ^ 这位网友的微信一发,顿时引来众多网友附和:如今,全国各地开启高温“烧烤”模式已经一段时间,被高温害惨的事情可以说数不胜数。 - G: u: R' _0 A! F Q7 y7 U
1.温度变化对半导体器件的影响 ' S4 B W% b" ~2 e
构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感,当P-N结反向偏置时,由少数载流子形成的反向漏电流受温度的变化影响,其关系为: 7 c* H# \7 Q [, Q! K' M
+ Q7 q8 g& ~* E9 a8 R 式中:ICQ―――温度T0C时的反向漏电流 7 T& l4 M( `0 I3 z6 V. L$ y+ e/ O6 l
ICQR――温度TR℃时的反向漏电流 8 g6 k) a: i" M5 X/ r9 B8 m& n
T-TR――温度变化的绝对值
2 ]% c, D. y' j3 I% F 由上式可以看出,温度每升高10℃,ICQ将增加一倍。这将造成晶体管放大器的工作点发生漂移、晶体管电流放大系数发生变化、特性曲线发生变化,动态范围变小。
' v4 O- E5 t! |4 X8 F1 s5 l 温度与允许功耗的关系如下:
( b0 C" @- j E# H/ F. F O0 a" F9 D# M2 v& } q2 x B
式中:PCM―――最大允许功耗 ' ]# |# \! p% `) p, I: U0 E
TjM―――最高允许结温
, k, w8 P% j+ m' K6 r+ F, L T――――使用环境温度
2 ?5 ~# R7 A4 p" s RT―――热阻 : P, |+ u9 D$ i; j5 r
由上式可以看出,温度的升高将使晶体管的最大允许功耗下降。 , K0 m7 j# g2 e8 A
由于P-N结的正向压降受温度的影响较大,所以用P-N为基本单元构成的双极型半导体逻辑元件(TTL、HTL等集成电路)的电压传输特性和抗 干扰度也与温度有密切的关系。当温度升高时,P-N结的正向压降减小,其开门和关门电平都将减小,这就使得元件的低电平抗干扰电压容限随温度的升高而变 小;高电平抗干扰电压容限随温度的升高而增大,造成输出电平偏移、波形失真、稳态失调,甚至热击穿。
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2.温度变化对电阻的影响 6 r5 M x: n& |5 |$ b+ W) V8 B
温度变化对电阻的影响主要是温度升高时,电阻的热噪声增加,阻值偏离标称值,允许耗散概率下降等。比如,RXT系列的碳膜电阻在温度升高到100℃时,允许的耗散概率仅为标称值的20%。
0 f1 I7 w/ K0 }5 g/ u 但我们也可以利用电阻的这一特性,比如,有经过特殊设计的一类电阻:PTC(正温度系数热敏电阻)和NTC(负温度系数热敏电阻),它们的阻值受温度的影响很大。 0 Y9 q5 y; C0 o1 X
对于PTC,当其温度升高到某一阈值时,其电阻值会急剧增大。利用这一特性,可将其用在电路板的过流保护电路中,当由于某种故障造成通过它的电 流增加到其阈值电流后,PTC的温度急剧升高,同时,其电阻值变大,限制通过它的电流,达到对电路的保护。而故障排除后,通过它的电流减小,PTC的温度 恢复正常,同时,其电阻值也恢复到其正常值。
) x2 d& I. K# N1 j }3 f 对于NTC,它的特点是其电阻值随温度的升高而减小。 2 \$ P4 z. q' P
3.温度变化对电容的影响 1 M- B1 ?) `) j5 W& o) ?
温度变化将引起电容的到介质损耗变化,从而影响其使用寿命。温度每升高10℃时,电容器的寿命就降低50%,同时还引起阻容时间常数变化,甚至发生因介质损耗过大而热击穿的情况。
- A% P, I' B" A$ t/ x# Z9 ~8 J 此外,温度升高也将使电感线圈、变压器、扼流圈等的绝缘性能下降。
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