​Everspin MRAM MR25H40VDF替换富士通FRAM MB85RS4MT

英尚微电子

Everspin是设计制造MRAM到市场和应用的翘楚，在这些市场和应用中，数据持久性和完整性，低延迟和安全性是至关重要。MR25H40VDF是一个4194,304位MRAM设备系列，组织为524,288个8位字。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，它们是理想的内存解决方案。它们具有串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟并且读/写寿命不受限制。与其他串行存储器不同，使用MR25H40VDF系列，读取和写入都可以在内存中随机发生，而写入之间没有延迟。

总览
" @! B' K1 p  yMR25H40VDF系列是SPI接口MRAM系列，其存储器阵列使用芯片选择（CS\），串行输入（SI），串行输出（SO）和串行串行时钟（SCK）的四针接口逻辑上组织为512Kx8外设接口（SPI）总线。MRAM实现了SPI EEPROM和SPI Flash组件通用的命令子集。这样SPI MRAM可以替换同一插槽中的这些组件，并在共享的SPI总线上进行互操作。与其他串行存储器替代品相比SPI MRAM具有卓越的写入速度，无限的耐用性，低待机和运行能力以及简单，可靠的数据保留。

9 l/ C9 V- K! k9 Q, ^* N- bMR25H40VDF的优点
! |1 o/ }9 S2 R5 y与富士通FRAM相比，升级到Everspin MRAM具有许多优势：
1 y9 @9 ~/ ^6 Y' R- C! h* X, m•更快的随机访问操作时间（50MHz/20nstCLK和40MHz/25nstCLK）
•高可靠性和数据保留（在125C工作温度下超过20年）
•无限读/写耐久性
! D6 V4 b1 ~5 ]2 C•无磨损问题
' M, F) e7 q  V% }/ \( d•掉电时的自动数据保护
•竞争定价
•稳定的制造业供应链
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普通引脚
' b$ I8 Y8 ?; X6 M" VMR25H40VDF是组织为512Kx8的4Mb非易失性RAM，采用标称3.3V电源供电，并且与FRAM兼容。它提供标准的8引脚Small Flag DFN（DF版）和8引脚DFN（DC版），它们具有多种封装选项，可直接替代SPI-FRAM 8引脚塑料SOP封装（表格1）。
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特性/功能	SPI MRAM (MR2xH40)	SPI F-RAM (MB85RS4MT)	注释
8-pin DFN裸露金属PAD	除VSS外，请勿连接其他任何东西	无法使用	MRAM 8引脚DFN封装的裸露金属焊盘是NC（无连接）焊盘； 因此，它可以浮置或连接到VSS。 Everspin不建议将MRAM DFN裸露金属焊盘焊接到PCB上
8-pin 封装	8-pin DFN (MR2xH40xDC 8-pin DFN (Small Flag) (MR2xH40xDF)	8-pin plastic SOP	MRAM的8引脚DFN封装都是引脚兼容的，并且适合Fujitsu 8引脚SOIC封装。 在大多数设计中，它们可以放置在标准SOIC尺寸上。 另请参见应用笔记“ EST01253 Everspin的新型2mm裸露焊盘DFN封装符合SOIC-8和DFN8 PCB布局”

( _( v- T8 J6 Z+ h6 `SPI MRAM裸露金属焊盘未连接至芯片，因此应悬空或连接至Vss。从SPI FRAM迁移时，请确保SPI MRAM DFN和Small Flag DFN封装的裸露金属焊盘未焊接在PCB上。这样做会导致SPI MRAM芯片暴露于过多的热量中，这可能会导致位故障和裕量损失。
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MR25H40VDF规格书下载
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2020-9-28 16:39 上传

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MR25H40VDF的优点
1 b0 k" y0 f% s" N) z, |& F与富士通FRAM相比，升级到Everspin MRAM具有许多优势：
! C# m" x9 o. N•更快的随机访问操作时间（50MHz/20nstCLK和40MHz/25nstCLK）
•高可靠性和数据保留（在125C工作温度下超过20年）
•无限读/写耐久性
•无磨损问题
•掉电时的自动数据保护
•竞争定价
2 ]* g4 I, Y- H$ k•稳定的制造业供应链

Storm_change

这个芯片不错.