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a. 电感阻抗7 D1 X! f$ e h3 F" O
Z=jwL=j*2PI*f*L=R+jX 当GSM900 (0.9GHz) : 50 OHM=j* 2*3.14*0.9GHz *L 则L=8.8 NH 同理当GSM1800(1.8GHz) L=4.4HN b. 电容阻抗 Z=1/jwC=1/j*2PI*f*C=R+jX 当GSM900(0.9GHz): 50 OHM=1/j*2*3.14*0.9GHz*C 则C=3.6 PF 同理当GSM1800(1.8GHz) C=1.8 PF 应用分析 c. 电容 当f=900MHz时,对3.6PF的电容,有阻抗为50 OHM 对22PF的电容,有阻抗大约为8 OHM,故22PF是针对射频频率900M。 当f=30MHz时, 对100PF的电容,有阻抗大约为50 OHM 对1NF的电容,有阻抗大约为 5 OHM, 故1NF是针对晶振频率26M。 当f=3MHz时, 对10NF的电容,有阻抗大约为5 OHM,
( w1 x) S$ j/ i9 D+ F9 ` _/ l6 H故10NF是针对3MHz的频率sim 卡时钟频率。 当f=30KHz时, 对100NF的电容,有阻抗大约为50 OHM 当f=300KHz时,对100NF的电容,有阻抗大约为5 OHM, 故100NF是针对300KHz左右的小频率。 当f=30Hz时, 对100UF的电容,有阻抗大约为50 OHM 当f=300Hz时, 对10UF的电容,有阻抗大约为50 OHM 当f=3KHz时, 对10UF的电容,有阻抗大约为5OHM,故10UF是针对3KHz很低很低的频率。 d. 电感 当f=900MHz时,对8.8NH的电感,有阻抗为50 OHM 对47NH的电感,有阻抗大约为250 OHM,故47NH是针对射频频率900M。 对100NH的电感,有阻抗大约为500 OHM, 故100NH也是针对射频率。 当f=30MHz时,对250NH的电感,有阻抗大约为50 OHM, 对1UH的电感,有阻抗大约为 200 OHM, 故1UH是针对晶振频率。 当f=9GHz时, 对1 NH 的电感,有阻抗大约为50 OHM, 故1NH是针对谐波高频率。 e. 串并联对信号影响 电容串联,通该频率信号,滤除隔断低频信号 电容并联至地,滤除该频率信号,通低频信号 电感串联,滤除隔断该频率信号,通低频信号 电感并联至地,通该频率信号,滤除低频信号 |