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Everspin率先将MRAM技术投入商用

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发表于 2020-10-26 15:04 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MRAM己经成为存储芯片行业的一个技术热点.Everspin公司成为第一家提供商用产品的公司。Everspin MR2A16A是全球第一款商用MRAM产品。该芯片基于Toggle写入模式,并与采用铜互连技术的CMOS相集成。Everspin的MRAM单元采用单个晶体管和磁性隧道结构,结合其受专利保护的体系,以保证磁数据的可靠写入。在MRAM研发领域,Everspin展示了ToggleMRAM的可扩展性和可靠性,同时还在开发嵌入式MRAM,研究用于未来几代技术的新架构、材料和设备,从而继续保持其在MRAM研发方面的行业领导地位。Everspin代理英尚微电子支持提供驱动、例程等产品相关技术支持。
7 ^! I" C# p5 l
8 E! l( Q8 x- E" r0 D5 g- Z首款商用MRAM-MR2A16A
' p! e/ g8 ?7 |0 {$ `7 t: ? 1 h* i: h( S3 D/ `+ h; c) \  M' S
MR2A16A特性:" _7 O" p1 x- e: y$ z7 R& `
·单个3.3V电源
) N3 {8 \  R( \! a·商用温度范围(0~70°): B1 F4 \! n5 g9 ^5 @% Z
·对称高速读写功能,存取访问时间短(35ns)# h! |9 l! F; V2 X; `. Z5 T
·灵活的数据总线控制,8位或6位存取+ l% K: U4 V3 R, o
·相同的地址和芯片支持存取次数% o2 ^# G- P* U% B" F( X) ~$ f
·带有低压抑制电路的自动数据保护功能可防止电源中断时写入数据. Z& u+ M  E9 T. c  r
·所有输入和输出都兼容晶体管-晶体管逻辑(TTL)* {/ _) Q$ |: N. b, W
·完全静态的操作6 z- k7 C  j/ i
·全面的非易失性操作,数据至少可保存0年$ a$ p+ N4 n3 U" `1 P& r. A% \3 F/ ?
+ l" l" J  O7 i: l9 @2 C3 c
MR2A16A可以实现非常灵活的系统设计而不会导致总线竞争。MR2A16A带有单独的字节支持控制.各字节均可独立写入和读取。它的运行电压为3.3V,读写周期为35ns。MR2A16A经济而又可靠,适用于多种商业应用,包括网络、安全、数据存储、游戏机等。在需要永久存储和快速检索关键数据的应用中,MR2A16A都是理想的存储器解决方案。+ T/ h" l1 S5 w/ S
3 W: v+ G8 `+ ^: W. @+ A
不难发现,MRAM的魅力在于兼具DRAM大容量与SRAM速度快的优点,且与Flash同属于非易失性存储,因此即使关机断电后,数据仍旧存在,而它比Flash的使用寿命更长、存取速度更快。在今日消费者需要大量且高速读写存储媒体的需求推动下,MR2A16A将有更广泛的应用前景。
3 @8 C  h9 K. I3 X

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 楼主| 发表于 2020-10-26 15:06 | 只看该作者
MR2A16A特性:( f/ ~. z8 a% V4 c
·单个3.3V电源
/ S$ f9 d# z* |' g( Z( U/ H+ n# R% v" |·商用温度范围(0~70°)& V9 G0 H4 x+ B! C, C
·对称高速读写功能,存取访问时间短(35ns)
: p0 m0 E; T2 A$ ~·灵活的数据总线控制,8位或6位存取3 D$ Y/ t; p5 p/ B, n
·相同的地址和芯片支持存取次数2 b7 U/ b. w8 V' l9 p
·带有低压抑制电路的自动数据保护功能可防止电源中断时写入数据6 h: w/ b3 q9 [! I* Z
·所有输入和输出都兼容晶体管-晶体管逻辑(TTL)
# ]# j1 k& t: u7 [/ X/ w+ A5 Y6 x·完全静态的操作
8 }8 b. ?9 Y; m3 q5 k·全面的非易失性操作,数据至少可保存0年

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 楼主| 发表于 2020-10-26 15:07 | 只看该作者
MR2A16A规格书下载
: Z9 K! Q# |: R1 P
/ G0 ~- j. v: l7 k$ p! c7 \ MR2A16A.pdf (1.37 MB, 下载次数: 0) $ N, a/ ?2 U& k
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