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[毕业设计] 245GHz CMOS工艺低噪声放大器的设计

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发表于 2020-10-27 10:23 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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摘要:本论文采用CMOS工艺实现了无线接收机射频前端的关键模块--低噪声放大2 c# Y2 M( r7 K. p, @
器(LNA)。首先,LNA是一个典型的无线接收机的第一级,因此其噪声系数直接决% ^1 j: J3 }8 x, G8 h. A
定了接收机的整体噪声系数。而且,LNA必须提供一定的功率增益以抑制接收机
; {5 ]5 E" `* _1 `. B! x3 Z后级电路对整体噪声的贡献。其次,对于高集成度的SoC而言,在保证相关性能的
, N+ ^: i" X7 S- ]* g; f! N情况下,必须尽可能地降低LNA的功耗。同时,为了使在有大信号输入的情况下,& G+ {5 V: z- u1 u  W
LNA引起的失真尽可能小,因此要求LNA应具有足够高的线性度。此外,LNA还/ r! v5 Q  N5 R7 A8 p  P2 g) q
必须对于输入源表现一个特定的且常常为50的输入阻抗以利于匹配。上述的这: J6 R8 A  r; s+ A
些NA基本性能参数之间是紧密联系的,为了满足整体性能的要求,通常需要对  v5 C% a- e! [5 g! t6 Y
这些参数进行折衷考虑和整体优化处理,这也是LNA设计的主要难点。' y* w6 H/ p; S' z
3 l' r; ^0 ^$ ]

$ ]: _4 k3 r0 U% f# b& W关键词: CMOS,射频集成电路,接收芯片,低噪声放大器/ E/ Z( D/ ?% t( j8 F3 ?$ W
5 z! b- v6 Y3 n# l4 ^, j5 }

3 S& D1 L) a. S, o0 [* D/ @; z( V( q7 E2 [# M1 S; K
现代信息社会的高速发展,要求人们能快速、方便地交换所需要的信息,而+ R8 b4 O1 P# s5 ^& W! C7 c5 d
不受时空的限制。通信发展的最终目标是希望做到“任何人(Whoever)在候4 j: C' i( C& V4 ]3 }
(Whenever)任何地点(Wherever)都能和另一个任何人(Whomever)按任何方式) S4 v# t; w7 f
(Whatever)进行通信”,也即五个“W”通信,过去这曾被认为是一种美好的愿望,
' N6 u* S- y" \0 ]  r& z4 y然而依靠网络技术和无线通信技术的发展,人们的这种美好愿望正在变成现实。/ x8 T3 w6 x7 `

& L9 Y1 [7 U7 }& V1 X! m0 N" {6 E# j$ ]- V
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    发表于 2020-10-27 11:08 | 只看该作者
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