MRAM芯片比其它存储器优势较明显

英尚微电子

对于存储器而言，重要的技术指标无非就是速度、是否为非易失性、功耗、成本、体积、寿命等。已经有很多种类的产品做出了各种各样的努力，但是始终只能偏重某一方面，而不是面面俱到。也许大家最为看重的是MRAM的非易失性，这的确是很诱人的，毕竟它让使用MRAM内存的电脑可以像电视或者收音机那样能够马上启动。除了MRAM，目前也有不少非易失性存储器，其中包括大家最为熟悉的磁盘〔硬盘、软盘）、Flash Memory(闪存）和EPROM。
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1 L: J# `' h% I( Q5 [/ i1 @作为内存储器，磁盘是绝对不行的，因为速度实在太慢了，尽管它的容量很大。至于FLASH Memory中极为流行的Compact Flash.Secure Disk和Memory Stick则在寿命上完全不能符合内存储器的要求。一般Flash Memory在经过大约10000次读写周期以后就会报废，而内存储器的读写是相当频繁而且无序的。要是强行将Flash Memory作为内存储器使用，那么也许满负荷工作200个小时就报废了。当然闪存用于数码相机、MP3播放机等信息家电产品还是很合适的。最后就是EPROM，也就是大家主板上BIOS块。它具有较快的速度，但是体积和成本都是令人无法想象的，而且寿命也一般，更是不能用作内存储器。

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MRAM工作的基本原理与硬盘驱动器类似，与在硬盘上存储数据一样，数据以磁性的方章为依据，存储为0或1。它存储的数据具有永久性，直到被外界的磁场影响，才会改变这个磁性数据。因为运用磁性存储数据，所以MRAM在容童成本上有了很大的降低。
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MRAM芯片与闪存都属于小规格芯片,所占空间极小,存储密度随着集成技术工艺的发展而增加。集成技术工艺已从亚微米工艺进入到纳米工艺，因此MRAM存储器的体积也越来越小,存储密度必随之增加。MRAM单元的功耗很低，存储单元的工作电压只有闪存EEPROM的十分之一左右,而且断电后保存数据不需耗电。

与面前流行的DDR或是DDR2相比，MRAM的优势依然明显。撇开令人垂涎欲滴的非易失性不谈，仅在速度、功耗和体积上，MRAM也有较大的优势。
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MRAM芯片与闪存都属于小规格芯片,所占空间极小,存储密度随着集成技术工艺的发展而增加。集成技术工艺已从亚微米工艺进入到纳米工艺，因此MRAM存储器的体积也越来越小,存储密度必随之增加。MRAM单元的功耗很低，存储单元的工作电压只有闪存EEPROM的十分之一左右,而且断电后保存数据不需耗电。

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与面前流行的DDR或是DDR2相比，MRAM的优势依然明显。撇开令人垂涎欲滴的非易失性不谈，仅在速度、功耗和体积上，MRAM也有较大的优势。