#技术风云榜#MOS管防止电源反接的使用技巧

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什么是 MOS 管?MOS 管一般指 pmos。PMOS 是指 n 型衬底、p 沟道，靠空穴的流动运送电流的 MOS 管。电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。所以，我么就需要给电路中加入保护电路，达到即使接反电源，也不会损坏的目的。

一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决，不过，由于二极管有压降，会给电路造成不必要的损耗，尤其是电池供电场合，本来电池电压就 3.7V，你就用二极管降了 0.6V，使得电池使用时间大减。  MOS 管防反接，好处就是压降小，小到几乎可以忽略不计。现在的 MOS 管可以做到几个毫欧的内阻，假设是 6.5 毫欧，通过的电流为 1A(这个电流已经很大了)，在他上面的压降只有 6.5 毫伏。
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# @) x3 V& R9 A5 H/ S0 [/ O, W由于 MOS 管越来越便宜，所以人们逐渐开始使用 MOS 管防电源反接了。
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MOS 管防反接用法
- X7 C& G9 m3 p; h1 x9 a7 l电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。所以，我么就需要给电路中加入保护电路，达到即使接反电源，也不会损坏的目的。

5 o+ X2 ^& _) [( E; o: r" y一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决，不过，由于二极管有压降，会给电路造成不必要的损耗，尤其是电池供电场合，本来电池电压就 3.7V，你就用二极管降了 0.6V，使得电池使用时间大减。
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3 u3 q- e7 `( Y# k! oMOS 管防反接，好处就是压降小，小到几乎可以忽略不计。现在的 MOS 管可以做到几个毫欧的内阻，假设是 6.5 毫欧，通过的电流为 1A(这个电流已经很大了)，在他上面的压降只有 6.5 毫伏。

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NMOS 管防止电源反接电路：
正确连接时：刚上电，MOS 管的寄生二极管导通，所以 S 的电位大概就是 0.6V，而 G 极的电位，是 VBAT，VBAT-0.6V 大于 UGS 的阀值开启电压，MOS 管的 DS 就会导通，由于内阻很小，所以就把寄生二极管短路了，压降几乎为 0。
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9 u$ x8 l, V) p' G+ `; `电源接反时：UGS=0，MOS 管不会导通，和负载的回路就是断的，从而保证电路安全。
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+ d5 J* q2 B7 U# C6 O- H# \9 p% SPMOS 管防止电源反接电路：
正确连接时：刚上电，MOS 管的寄生二极管导通，电源与负载形成回路，所以 S 极电位就是 VBAT-0.6V，而 G 极电位是 0V，PMOS 管导通，从 D 流向 S 的电流把二极管短路。
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电源接反时：G 极是高电平，PMOS 管不导通。保护电路安全。
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连接技巧
NMOS 管 DS 串到负极，PMOS 管 DS 串到正极，让寄生二极管方向朝向正确连接的电流方向。

: e+ O+ J! ^" O1 n感觉 DS 流向是“反”的?
0 ]( Z# }: f) o4 [/ H+ ~$ I仔细的朋友会发现，防反接电路中，DS 的电流流向，和我们平时使用的电流方向是反的。
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为什么要接成反的?
7 D4 ^# l% \! Q0 V" N$ j: a% N利用寄生二极管的导通作用，在刚上电时，使得 UGS 满足阀值要求。

3 h, Y/ O8 T& X' L* |为什么可以接成反的?
) Z" t; t! T/ T4 J9 C5 i如果是三极管，NPN 的电流方向只能是 C 到 E，PNP 的电流方向只能是 E 到 C。不过，MOS 管的 D 和 S 是可以互换的。
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$ o, U  A1 s7 n这也是三极管和 MOS 管的区别之一。(关于这个问题，咱们另开一篇文章讨论，这篇只讨论 MOS 管的防反接作用)。实际应用时，G 极前面要加个电阻。以上就是 MOS 管的反接法的一些解析，希望能给在学习 MOS 管的设计人员一定的帮助。

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自己先顶一下，听说发完能中奖。
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