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#技术风云榜#高功率二极管LD失效分析

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发表于 2020-11-20 16:01 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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LD具有高转换效率,体积小,可靠性高等特点被广泛应用,但是高功率LD芯片制造工艺复杂,价格贵,外延、芯片、封装等的缺陷影响着器件的成品率。+ m; a) X2 }/ k) o$ g8 C
, e$ }9 J5 [+ X2 p8 ?; i
激光器的失效模式
; N5 d( i' E2 }4 q  X  o
5 v, o2 z+ k  [0 E/ @) m% y) @' Q1 主要失效特性
9 L0 |' d& W0 a; `$ ~4 J- ~/ w" i7 o. [' p1 F; `# \
0 ]$ j& `; ^9 {! j& ?' d

$ f' c) h) _9 \, W1 a9 CLD失效的三个时间段:* l9 l- ?. V* o
  m! a+ r: l5 P6 r$ j7 d, E' W
早期失效、偶然失效、损耗失效
" f5 i( D) F" }; q% W2 q- q) q  F, d) q# n3 e. V- Y# v, G! }
$ ^& G$ L; ~) H3 w3 `8 _8 g  d

' y9 C5 n2 ]1 P; f% X$ Y( s: F早期失效的原因:芯片制造工艺缺陷、焊接失效、芯片端面绝缘层失效。损耗失效的原因:芯片制造工艺水平的限制,使得器件老化、疲劳。% ^2 ~' a* J, r8 s. u+ J! _& s
9 w' ?+ z$ i  X$ |

: s2 |8 w0 m. `. A1 V. I0 l
$ F0 ?/ y3 ~# i; b% w2 失效模式分析: ]; l! K( l3 U. c" c: o
9 E) B+ n4 }& M4 `2 {" S! w
电极退化& y3 z2 Q8 E$ |5 c" l) J
1 w& M8 t3 X# Y6 E
电极失效主要表现两个方面:1 高功率二极管工作电流很大,焊料层随着电流方向扩散到半导体材料内,形成暗点缺陷,在大电流作用下,造成局部热积累,作为上电极的薄铜片极容易被烧毁。造成激光器COD。2 GaAs与热沉材料热匹配性差,焊接温度应力引起焊层内部缺陷或开裂,导致器件电极退化,
- F! v* }/ H" X$ _8 h& b; @7 t
3 J- G1 W: T  X' \+ m- s欧姆接触主要是焊接面造成LD失效,是封装工艺中最主要的失效模式:
/ n: w* p3 t: l3 @7 N# {4 p
9 b: [7 D2 W; r6 m" E# m4 Z分为两种:1 焊接空隙;2 PN结短路。
* m: T  r$ K, s) w: w" p- _% F9 o8 s' R' |
高功率LD的热载很大,功率60w的线阵激光器,其工作废热可到80w。因此极小的空隙也可能导致器件过热失效。造成空隙的因素:热沉加工的平整度差,焊料制备过程中产生杂质,热沉金属化中形成大的颗粒。另一方面,为了良好的散热,芯片P面朝下,出光面和焊层距离很近,如果焊料太厚或者焊层不均匀,焊接过程中,容易从焊层中挤出焊料颗粒,造成PN结短而失效。+ b- k9 n, g0 P7 E+ q" ]3 c

' M/ f8 ^& `' j/ E4 z. a0 n腔面退化
! x# I* c, c4 t, p6 R- L+ n0 W( [/ u, F5 z( L( y
高功率二极管LD失效特性: V5 [! e* \2 E/ [  N. f
腔面退化是LD区别于微电子器件的一个主要失效模式。腔面功率密度可以达到数mW/cm2.且有源区材料含有铝或In元素。Al、In在高功率密度下可以融化或再结晶,导致腔面的破坏,这种由于制造工艺缺陷造成的器件失效属于内缺陷。是芯片设计制造工艺不成熟形成的,主要表现:暗线缺陷、腔面COD。
1 l, x' `5 _% ~; K% o
! T) i; o) t" y8 V: w环境污染3 H: N* B# f* Y( a

5 A: Q3 e: @! w( r" Z+ @9 W是LD失效的外界因素,它主要由于一些偶然因素导致LD灾难性失效,包括电浪涌、灰尘颗粒、静电、水汽污染等。
8 u$ ~0 W' N; m4 r+ C
4 ?$ k+ p, g+ k9 c7 ~4 U3 o6 ^& {( G, Z9 c8 G3 I
3 q& }# b/ T, e! A; p
失效统计分析:
2 i' U* R) L% p7 T. ?1 g
9 e- V3 N6 b  C- ]1 V; a高功率激光LD失效主要集中在焊接、焊料制备、芯片工艺三个方面。
5 d% Y' m: v% a; B* S
& [* E! P$ H' d' V2 V三种失效随着老化时间延长表现不同趋势: 焊接、焊料制备引起的失效主要集中在器件早期失效过程中,而芯片本身制造工艺缺陷引起的失效主要集中在损耗失效期间,从失效统计来看,焊接空隙占比30%; PN结短路29%,腔面退化17%、电极退化9%、环境因素7%等几个方面。: G/ R: d% O/ S7 d9 z

6 ]- V8 Y1 P5 [( c2 l* A如何改善:精确控制焊料厚度和均匀性、厚度控制在5~7um,遏制焊接空隙、PN结短路失效。不断优化焊接工艺\确定最佳焊接温度和时间,精确控制升温\降温时间\有效释放焊接应力,都可以提高LD的寿命。4 }% [9 ^* ?% ]

, I2 y# {9 \- ?; o

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发表于 2020-11-20 17:04 | 只看该作者
LD失效的三个时间段    早期失效、偶然失效、损耗失效
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