为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻？【ADI】

Bruce-Wong

原理图中的电阻 RGATE

syeshu

看看，了解一下，感谢分享
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xbin

回复看看~

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许燕玲

我来学习学习~~

jacky401

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songwei2030 发表于 2020-12-13 21:39
" `# p' y& {; o0 K  \$ n% X1 j为啥？我还是没搞明白

* O" N0 B% }( Y! x2 N# O简而言之，本文从频域和时域对不同RGATE值进行了对比测试和仿真分析：
——表明了 RGATE 值为 1MΩ、1KΩ、100Ω 时的 Bote 图的差异，即在穿越频率时的相位裕量依次变好，这说明RGATE 值为 1MΩ，或 1KΩ 时，更容易产生自激震荡，而使用 100Ω 时，就能很稳定地工作。
) d$ N0 _. P1 W- V——同时，从时域来看，改变负载电流，RGATE 值为 1MΩ，或者 1KΩ 时，栅极都会有振铃；而为 100Ω 时，栅极电压无振铃现象。
3 H; |# u! S- z+ ^8 d这也是本文所提的“为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻？”
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Doubles

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liuguijun

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wangsai

xuexixuexi

Z-Dong

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zuiaidianzi

MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻
0 E! O0 l* G6 M) z$ f' u6 z, O, f% A

LKL369

学习一下下！

你可爱的老爷

没见过谁画图放100Ω啊     这个是什么特殊电路场景呢？？

快乐的味道92

学习学习
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朝哥carry

一百欧以内吧，太大了温度会不会超

weman

为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻？