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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-14 09:32 编辑 6 n6 ]$ s, G, K" [' U, L
- @1 Y/ n# B/ b' w3 Q8 l; B" J简而言之，本文从频域和时域对不同RGATE值进行了对比测试和仿真分析：$ T# D+ G; z% k& T
——表明了 RGATE 值为 1MΩ、1KΩ、100Ω 时的 Bote 图的差异，即在穿越频率时的相位裕量依次变好，这说明RGATE 值为 1MΩ，或 1KΩ 时，更容易产生自激震荡，而使用 100Ω 时，就能很稳定地工作。+ p+ _* n! U5 i* t0 [
——同时，从时域来看，改变负载电流，RGATE 值为 1MΩ，或者 1KΩ 时，栅极都会有振铃；而为 100Ω 时，栅极电压无振铃现象。1 h3 C' J. ?8 r
这也是本文所提的“为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻？”) k0 ?, ]& a- R3 r9 l h9 }
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发表于 2020-12-14 09:21
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