为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻？为什么是 100 Ω？
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& ^* l) K& G2 ^% r/ [2 Y4 ^1、引言* \6 A7 k7 p6 g! k$ r
为了稳定性，必须在 MOSFET 栅极前面放一个 100 Ω 电阻吗？
. O) F; k8 h6 _" O只要问任何经验丰富的电气工程师——如我们今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 栅极前要放什么，你很可能会听到“一个约 100 Ω 的电阻”。
虽然我们对这个问题的答案非常肯定，但你们或许会继续问——“为什么呢？他的具体作用是什么呢？电阻值为什么是 100 Ω 呢？”
为了满足这种好奇心，我们接下来将通过一个故事来探讨这个问题。
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故事开始了
年轻的应用工程师 Neubean 想通过实验证明，为了获得稳定性，是不是真的必须把一个 100 Ω 的电阻放在 MOSFET 栅极前。拥有30 年经验的应用工程师 Gureux 对他的实验进行了监督，并全程提供专家指导。
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2、高端电流检测简介
图1中的电路所示为一个典型的高端电流检测示例。
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图1. 高端电流检测
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负反馈试图在增益电阻RGAIN上强制施加电压VSENSE。通过RGAIN的电流流过P沟道MOSFET (PMOS)，进入电阻ROUT，该电阻形成一个以地为基准的输出电压。总增益为:
# ~7 \* i7 i- A! R6 u4 X电阻ROUT上的可选电容 COUT 的作用是对输出电压滤波。即使 PMOS 的漏极电流快速跟随检测到的电流，输出电压也会展现出单极点指数轨迹。
原理图中的电阻 RGATE 将放大器与PMOS栅极隔开。其值是多少？经验丰富的 Gureux 可能会说：“当然是100 Ω！”
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发表于 2020-12-13 20:42
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发表于 2021-12-9 08:53
