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为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻?【ADI】

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发表于 2020-12-13 20:42 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:33 编辑 ! h% u2 f. ]! p% [. q
7 U; C# i% [! ?! f4 Z) W
目录
1 F0 j9 f2 c/ Z; _1、引言
  z  U! Y2 i# I( E1 M" k; v6 f2、高端电流检测简介
  N! ~2 N% I- D( y/ g4 g3、尝试多个Ω值
) z/ J. z2 {5 L. y+ r% `% t4、试图用LTC2063发现不稳定问题
/ g, n) T% ?5 k' t  {5、实验结果( U/ `2 t( J0 d: D4 p$ y4 f
6、头脑风暴时间
% O/ U2 U8 b' j! Z1 ^/ d5 z$ d
* \" e: S5 }1 a
MOS管设计参考
# ^+ }4 M5 m3 M& c2 E
4 e" T8 S. T/ u9 ]! A
4 O3 F. Q- d: C, l3 U/ u8 c" f7 \# F( J* n. M- {( D

9 F, F, C/ r6 B" w. q. y. a$ K

为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻?为什么是 100 Ω?


( S0 M/ w& G$ C2 y
% r" l+ I7 V9 c8 |9 ~" v
1、引言  f8 Y* h. f# E3 g

为了稳定性,必须在 MOSFET 栅极前面放一个 100 Ω 电阻吗?

4 I7 l, q1 o+ R1 P) M4 v

只要问任何经验丰富的电气工程师——如我们今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 栅极前要放什么,你很可能会听到“一个约 100 Ω 的电阻”。

虽然我们对这个问题的答案非常肯定,但你们或许会继续问——“为什么呢?他的具体作用是什么呢?电阻值为什么是 100 Ω 呢?”

为了满足这种好奇心,我们接下来将通过一个故事来探讨这个问题。

3 C3 ]! j" t  v0 t

故事开始了

年轻的应用工程师 Neubean 想通过实验证明,为了获得稳定性,是不是真的必须把一个 100 Ω 的电阻放在 MOSFET 栅极前。拥有30 年经验的应用工程师 Gureux 对他的实验进行了监督,并全程提供专家指导。


9 ?8 O( ~7 v- B3 k. n

2、高端电流检测简介

图1中的电路所示为一个典型的高端电流检测示例。

7 U4 s! z6 ^; J3 e- X
# z+ W) H* c5 }5 R

图1. 高端电流检测

  {/ h: |0 a" ]& W1 W

负反馈试图在增益电阻RGAIN上强制施加电压VSENSE。通过RGAIN的电流流过P沟道MOSFET (PMOS),进入电阻ROUT,该电阻形成一个以地为基准的输出电压。总增益为:

9 e. i* q" E4 ?5 K% M

电阻ROUT上的可选电容 COUT 的作用是对输出电压滤波。即使 PMOS 的漏极电流快速跟随检测到的电流,输出电压也会展现出单极点指数轨迹。

原理图中的电阻 RGATE 将放大器与PMOS栅极隔开。其值是多少?经验丰富的 Gureux 可能会说:“当然是100 Ω!”

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 楼主| 发表于 2020-12-14 17:48 | 只看该作者
本帖最后由 jacky401 于 2020-12-14 17:50 编辑 & n0 p/ I" ?# G4 ^$ Y# b4 U
LC0613 发表于 2020-12-14 15:334 H( C" q! E4 n8 `: W: M
感谢您的分享!

7 K9 |& r, P& E$ T0 s有许多网友提到同样的问题(回帖麻烦),其实我也没想给大家添麻烦,而更多的是想了解有多少人对什么样的主题感兴趣,以便为大家提供更合适的内容,同时,在大家回帖时也能够赚取积分。一举两得,你不支持吗?!
4 a; {! F: B1 H1 y. Y% N

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支持,我正在转硬件,特别需要相关方面的资料经验  详情 回复 发表于 2020-12-21 13:51

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发表于 2021-12-9 08:53 | 只看该作者
简而言之,本文从频域和时域对不同RGATE值进行了对比测试和仿真分析:4 {6 I$ m: K6 n/ {
——表明了 RGATE 值为 1MΩ、1KΩ、100Ω 时的 Bote 图的差异,即在穿越频率时的相位裕量依次变好,这说明RGATE 值为 1MΩ,或 1KΩ 时,更容易产生自激震荡,而使用 100Ω 时,就能很稳定地工作。( ^. D! R( B  e6 W7 b- F$ \3 S+ Q: D6 H" e; s) N/ q
——同时,从时域来看,改变负载电流,RGATE 值为 1MΩ,或者 1KΩ 时,栅极都会有振铃;而为 100Ω 时,栅极电压无振铃现象。/ N4 d" w  j6 y7 z$ K4 F# P
这也是本文所提的“为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻?”3 }) o# z  B4 \$ E9 L) v0 J- C

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 楼主| 发表于 2020-12-14 09:28 | 只看该作者
本帖最后由 jacky401 于 2020-12-14 09:32 编辑 . I3 v' t; [4 z, ^
songwei2030 发表于 2020-12-13 21:39' k2 a  j+ |1 z9 I
为啥?我还是没搞明白
/ }2 P; Q4 W2 `  d% K! J9 x. n# ~
简而言之,本文从频域和时域对不同RGATE值进行了对比测试和仿真分析:
$ j& k- Z. Q4 H/ O3 Z——表明了 RGATE 值为 1MΩ、1KΩ、100Ω 时的 Bote 图的差异,即在穿越频率时的相位裕量依次变好,这说明RGATE 值为 1MΩ,或 1KΩ 时,更容易产生自激震荡,而使用 100Ω 时,就能很稳定地工作。( B& S" R1 c# x7 h
——同时,从时域来看,改变负载电流,RGATE 值为 1MΩ,或者 1KΩ 时,栅极都会有振铃;而为 100Ω 时,栅极电压无振铃现象。
5 n1 l# s2 Z7 T- p" \这也是本文所提的“为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻?
$ Q7 ]0 M9 l* x& m- P: _7 x$ D1 i" [5 O8 l
  A# M$ K5 A. E2 s
5 f/ m  Y. W  h3 L/ `

6 o" J4 x- T4 L9 U
. [. N. }$ W3 C' ^2 Z: P8 n$ b2 f" x" \' _' L
+ z8 y1 i( _) Y! a

点评

本质上 电阻值影响的是什么参数 导致的不稳定?  详情 回复 发表于 2020-12-16 10:04

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5#
发表于 2020-12-13 20:51 来自手机 | 只看该作者
学习,学习吧。

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6#
发表于 2020-12-13 21:39 | 只看该作者
为啥?我还是没搞明白

点评

简而言之,本文从频域和时域对不同RGATE值进行了对比测试和仿真分析:——表明了 RGATE 值为 1MΩ、1KΩ、100Ω 时的 Bote 图的差异,即在穿越频率时的相位裕量依次变好,这说明RGATE 值为 1MΩ,或 1KΩ 时,更容易  详情 回复 发表于 2020-12-14 09:28

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7#
发表于 2020-12-13 21:43 | 只看该作者
学习学习学习% Z) k/ Y" q7 S
  • TA的每日心情
    开心
    2022-11-27 15:22
  • 签到天数: 770 天

    [LV.10]以坛为家III

    8#
    发表于 2020-12-13 21:49 | 只看该作者
    感谢您的分享!
  • TA的每日心情
    擦汗
    2022-2-25 15:37
  • 签到天数: 288 天

    [LV.8]以坛为家I

    9#
    发表于 2020-12-13 21:55 | 只看该作者
    学习学习,谢谢
  • TA的每日心情
    开心
    2020-4-4 15:57
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    10#
    发表于 2020-12-13 22:16 | 只看该作者
    感谢您的分享!

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2020-12-13 22:50 | 只看该作者
    看看学习下
    # s& V" l& x4 Y* l

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    12#
    发表于 2020-12-13 23:22 | 只看该作者
    看看学习一下

    “来自电巢APP”

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    13#
    发表于 2020-12-13 23:47 | 只看该作者

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    14#
    发表于 2020-12-14 08:03 | 只看该作者
    米勒效应

    “来自电巢APP”

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    17#
    发表于 2020-12-14 08:24 | 只看该作者
    谢谢大佬分享

    “来自电巢APP”

  • TA的每日心情

    2022-5-11 15:11
  • 签到天数: 162 天

    [LV.7]常住居民III

    18#
    发表于 2020-12-14 08:43 | 只看该作者
    :lol:lol:lol:lol:lol:lol
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