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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:34 编辑 1 C" L( _; S4 D* |7 Y- d
; `1 S3 h) F8 n" |+ {' ^目录
% ^; \# N& Y$ ~9 ^- i( t1. 缓启动电路常见方法
5 P) l0 Z. r8 F* @( a, ~2. NMOS缓启动电路; e" @* Y1 p% d' c
2.1. 基于缓启时间的参数计算
$ S# Q+ p* L; E5 |& _2.2. 基于冲击电流防护的参数计算. E3 y% g' a" o. S( m- G9 _
2.3. NMOS缓启动电路仿真
, M, Q5 N. z9 \) t3 }1 r3. PMOS缓启动电路仿真与波形比较6 b M- n& K% H& K0 g4 |, e4 M
" m6 J7 `9 m6 J6 J+ Y1 X# hMOS管设计参考) K7 f1 }, B( Y% k$ ?. t( _$ p
# h) B" I- {- ^, ^8 f4 ]% c! g
" V8 t: N; ?6 x+ H
( M5 b4 u/ p7 c4 z; vMOS管缓启动电路参数设计与仿真) P2 P8 m# |# I
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1、缓启动电路常见方法' V+ m. T- e! ]0 L
缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有：串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等，分别如图1、2、3所示。 串联电感时，由于电感隔交通直的特性，使得电流缓慢上升，从而实现缓启动，但在大功率场合，会导致，一方面电感因必须保证具有足够的通流量，所以体积很大，另一方面，增大了负载的感性负载大小，可能引起驱动源无法驱动。
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图 1 电感缓启动电路
% s$ a. N* L8 P Q$ c3 Y" n I 使用串接电阻时，在启动初期，使用串阻进行限流，容性负载电压已充电至安全阈值后，再断开串阻，直接将电源加载在负载两端，这种方式会导致上电初期串阻上的功耗很大，且以热量的形式耗散，一方面浪费能源，另一方面，电阻的大小很大，功率很高，占用很大体积。$ }8 k# i* @* I, [3 h1 C
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图 2 串阻缓启动电路
# D$ A4 \/ M$ D: S( }! Y 使用NTC时，在上电出去NTC的阻值很大，故上电电流小，随着NTC温度的升高，其阻值逐渐降低，从而实现缓启动效果，但一方面NTC会持续发热，存在安全隐患，另一方面，NTC上会一直存在压降。
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: P0 R* M' o/ @$ i/ u 图 3 NTC缓启动电路 4 Z& c: y$ S- c2 J2 z$ v' b
故这三种方式均不适用与大电流场合。使用MOS管进行大电流缓启动电路设计是一种比较理想的方式。MOS管进行缓启动，主要基于两个特性： 1）MOS管转移特性（即Ids随着Vgs的增大而增大，如图4所示）
; G3 s; u9 U" ?8 j1 M$ C% q 对于增强型NMOS来说，Vgs>Vth时MOS管开始导通，随着Vgs的增大，Ids也随之增大，故若能控制Vgs的增加速率，就可以相应的控制Ids的上升速率。
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图 4 NMOS管的转移特性曲线 ! ?4 G4 Q, |$ p- t' L" X
2）MOS管的米勒电容效应
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