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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:34 编辑 9 k2 I3 q0 P6 r0 R* }5 N; m. [$ Z
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目录
) o4 V, j. c. V( n- ~9 F$ f1. 缓启动电路常见方法
* x9 ^0 W7 m$ B% F) x0 R' c6 K2. NMOS缓启动电路
9 N8 Q8 [9 i5 Z" N" L3 X9 x2.1. 基于缓启时间的参数计算, Y3 I" _: `. @* }( l3 A- u
2.2. 基于冲击电流防护的参数计算( u" Q/ I: s6 F
2.3. NMOS缓启动电路仿真7 M7 W; t7 N5 Z1 U1 K0 D
3. PMOS缓启动电路仿真与波形比较- Q p4 [( W+ c. z8 O
8 k' b5 T! L, s( t QMOS管设计参考
! k! }2 k. x6 A! Y3 |& P! v$ C% F
- G3 d7 O; b. x; n" b2 C; {) c8 n( |( C0 P' U9 r
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MOS管缓启动电路参数设计与仿真
* g4 O' Y1 j) V- b1 B: a - C1 _5 H% b" C* {( T+ o
1、缓启动电路常见方法5 w8 S. X) U0 P( P0 k9 T8 O! l3 \0 K4 `
缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有：串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等，分别如图1、2、3所示。 串联电感时，由于电感隔交通直的特性，使得电流缓慢上升，从而实现缓启动，但在大功率场合，会导致，一方面电感因必须保证具有足够的通流量，所以体积很大，另一方面，增大了负载的感性负载大小，可能引起驱动源无法驱动。
; C9 D! z2 e) D+ t
图 1 电感缓启动电路 % X1 O5 f' v( J* [: c2 X' M- J
使用串接电阻时，在启动初期，使用串阻进行限流，容性负载电压已充电至安全阈值后，再断开串阻，直接将电源加载在负载两端，这种方式会导致上电初期串阻上的功耗很大，且以热量的形式耗散，一方面浪费能源，另一方面，电阻的大小很大，功率很高，占用很大体积。2 F* ]* x8 u2 v4 H1 d; y
. {2 w8 V$ ]2 a' t3 B' d- c 图 2 串阻缓启动电路
, X0 Y' t& L8 r& U1 v5 ` 使用NTC时，在上电出去NTC的阻值很大，故上电电流小，随着NTC温度的升高，其阻值逐渐降低，从而实现缓启动效果，但一方面NTC会持续发热，存在安全隐患，另一方面，NTC上会一直存在压降。
P% } m" s. u9 k0 T* z% R
8 k _: M9 u, R/ f
图 3 NTC缓启动电路
) h% J3 `8 I. h 故这三种方式均不适用与大电流场合。使用MOS管进行大电流缓启动电路设计是一种比较理想的方式。MOS管进行缓启动，主要基于两个特性： 1）MOS管转移特性（即Ids随着Vgs的增大而增大，如图4所示）. T. c4 L- d6 K2 ~$ K
对于增强型NMOS来说，Vgs>Vth时MOS管开始导通，随着Vgs的增大，Ids也随之增大，故若能控制Vgs的增加速率，就可以相应的控制Ids的上升速率。
5 ]+ K+ ]) ~ W/ {) F/ C
图 4 NMOS管的转移特性曲线
6 Q3 Q# E% W: V( s/ |8 F/ m 2）MOS管的米勒电容效应 |5 e8 L- G0 M' Q6 b2 V9 H4 e' g% Q
9 b+ V& k7 t8 q' |/ c2 l% v1 [5 D+ e/ S1 y
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发表于 2020-11-1 20:05
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