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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:34 编辑
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目录% T D7 e" E3 B* l# _
1. 缓启动电路常见方法4 U2 {5 _& E& m9 e+ m
2. NMOS缓启动电路% L' Y' b% z' u$ p& L& g8 `2 m5 l
2.1. 基于缓启时间的参数计算
8 T& M% X8 l7 @7 h+ S# t9 v2.2. 基于冲击电流防护的参数计算
& H1 l6 I% u3 Q# p2.3. NMOS缓启动电路仿真
( a& ?% J% q* N3 B; a- B. u" y3. PMOS缓启动电路仿真与波形比较0 _2 D/ A9 C& y
# s- a% }4 h( h3 i) HMOS管设计参考. F! R& p* Q+ O% H( w& c
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MOS管缓启动电路参数设计与仿真; R# `% ~& c* M2 |5 ?" P+ O% @. E
" T/ H: g. d. [$ y2 ?1、缓启动电路常见方法
, p5 b! \; X+ o$ l9 [: h8 C 缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有:串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等,分别如图1、2、3所示。 串联电感时,由于电感隔交通直的特性,使得电流缓慢上升,从而实现缓启动,但在大功率场合,会导致,一方面电感因必须保证具有足够的通流量,所以体积很大,另一方面,增大了负载的感性负载大小,可能引起驱动源无法驱动。
( l& K7 n3 @& @, j 图 1 电感缓启动电路 8 m7 _- d; k/ r6 {. u- }9 `5 b
使用串接电阻时,在启动初期,使用串阻进行限流,容性负载电压已充电至安全阈值后,再断开串阻,直接将电源加载在负载两端,这种方式会导致上电初期串阻上的功耗很大,且以热量的形式耗散,一方面浪费能源,另一方面,电阻的大小很大,功率很高,占用很大体积。; E+ H+ M3 t f; U
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图 2 串阻缓启动电路 , M7 v% Z0 U7 X& c8 h( c
使用NTC时,在上电出去NTC的阻值很大,故上电电流小,随着NTC温度的升高,其阻值逐渐降低,从而实现缓启动效果,但一方面NTC会持续发热,存在安全隐患,另一方面,NTC上会一直存在压降。
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图 3 NTC缓启动电路
: \2 K' A! _5 e 故这三种方式均不适用与大电流场合。使用MOS管进行大电流缓启动电路设计是一种比较理想的方式。MOS管进行缓启动,主要基于两个特性: 1)MOS管转移特性(即Ids随着Vgs的增大而增大,如图4所示)2 `) F! q& F( W3 m" ?9 I
对于增强型NMOS来说,Vgs>Vth时MOS管开始导通,随着Vgs的增大,Ids也随之增大,故若能控制Vgs的增加速率,就可以相应的控制Ids的上升速率。
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图 4 NMOS管的转移特性曲线
# `7 `; ]4 B# Q2 o4 k/ I7 a) U8 f0 ? 2)MOS管的米勒电容效应5 l' j# y' C; T
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