EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:34 编辑
) C6 I7 |, @& e+ a8 c; M# {
: y5 ~" S! g6 U# B- |3 f. C! }目录
: O; K" J* r1 s) |1 Z8 E1. 缓启动电路常见方法
& H9 b) t: {( U5 F& c, u8 f2. NMOS缓启动电路- l0 K! h) `: @# |6 P: n: k
2.1. 基于缓启时间的参数计算; @/ y' Q. D0 m! u% W
2.2. 基于冲击电流防护的参数计算) v3 t$ Z9 H+ T- {
2.3. NMOS缓启动电路仿真6 j8 Z' p+ W' ^4 n2 u
3. PMOS缓启动电路仿真与波形比较
0 H. G" F+ O6 g3 V( c- k( z4 ?% P! d3 R* B3 f/ R1 w! o- R
MOS管设计参考) \/ Y7 u. q3 N2 m
$ o2 J+ O4 }$ \/ h# D
7 E8 [' k9 g5 M) P. Z
" G. I2 d: N/ m: a$ B& w4 U* E- H
MOS管缓启动电路参数设计与仿真
( X% F- |7 W' g g+ _8 e2 d& @( K * M; [! a% k; W' [. M# O+ W0 _
1、缓启动电路常见方法
) P( |( ~+ v0 y& @4 m' |5 q 缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有:串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等,分别如图1、2、3所示。 串联电感时,由于电感隔交通直的特性,使得电流缓慢上升,从而实现缓启动,但在大功率场合,会导致,一方面电感因必须保证具有足够的通流量,所以体积很大,另一方面,增大了负载的感性负载大小,可能引起驱动源无法驱动。
' J+ y6 } A& }
图 1 电感缓启动电路
% @. ]+ }3 e; V1 |! J7 W1 E 使用串接电阻时,在启动初期,使用串阻进行限流,容性负载电压已充电至安全阈值后,再断开串阻,直接将电源加载在负载两端,这种方式会导致上电初期串阻上的功耗很大,且以热量的形式耗散,一方面浪费能源,另一方面,电阻的大小很大,功率很高,占用很大体积。 I6 j( g1 j3 U
) P' j& B" Y9 ?- \- t$ ]
图 2 串阻缓启动电路 ' ~8 u, D1 E; ]; G2 l' n% B; C( X, f" N
使用NTC时,在上电出去NTC的阻值很大,故上电电流小,随着NTC温度的升高,其阻值逐渐降低,从而实现缓启动效果,但一方面NTC会持续发热,存在安全隐患,另一方面,NTC上会一直存在压降。
8 i! M) t. X9 B3 P
8 k. f% M7 O& h8 T8 W 图 3 NTC缓启动电路
& D+ t) A9 }$ i) Y' S' q( U 故这三种方式均不适用与大电流场合。使用MOS管进行大电流缓启动电路设计是一种比较理想的方式。MOS管进行缓启动,主要基于两个特性: 1)MOS管转移特性(即Ids随着Vgs的增大而增大,如图4所示)( g" Q7 O: e& B& `% ~' K9 c3 L
对于增强型NMOS来说,Vgs>Vth时MOS管开始导通,随着Vgs的增大,Ids也随之增大,故若能控制Vgs的增加速率,就可以相应的控制Ids的上升速率。
% m& S4 @; O+ \! K 图 4 NMOS管的转移特性曲线 4 f; ^* m& d4 u0 v: A
2)MOS管的米勒电容效应
/ s, e8 Y9 {2 d7 V( | / Q$ P& S* _. [4 B9 C
' {1 v$ ]$ A4 h/ K
7 l; J+ S/ M3 o8 ]' C9 V
# W6 l' A4 p" Z8 ^
/ S1 u/ ~6 _, a6 k) d2 U* C. I1 Z( R |