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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:34 编辑
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目录7 G6 m* H# y& o; Z
1. 缓启动电路常见方法
5 A; P# h; V0 Y8 g4 I: Y2. NMOS缓启动电路
! C3 E% ?3 ]4 Z$ V- { K2.1. 基于缓启时间的参数计算
1 g) ~. D' q# {2.2. 基于冲击电流防护的参数计算
, N: ^: g$ d/ P& b" ], J( H2.3. NMOS缓启动电路仿真
/ I/ y" Q8 j% a- d6 k3. PMOS缓启动电路仿真与波形比较
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MOS管设计参考
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, S; G4 H4 @. X; H( H" T
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: |9 r/ T3 J3 X4 [' Q; ]MOS管缓启动电路参数设计与仿真
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4 ?: p, E( R3 h- x1、缓启动电路常见方法
/ O Y. F+ F" f4 U$ {% b 缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有:串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等,分别如图1、2、3所示。 串联电感时,由于电感隔交通直的特性,使得电流缓慢上升,从而实现缓启动,但在大功率场合,会导致,一方面电感因必须保证具有足够的通流量,所以体积很大,另一方面,增大了负载的感性负载大小,可能引起驱动源无法驱动。
2 n2 p* @- `6 C6 a0 Q1 j 图 1 电感缓启动电路
`8 Y) x0 ^5 b$ V' _ 使用串接电阻时,在启动初期,使用串阻进行限流,容性负载电压已充电至安全阈值后,再断开串阻,直接将电源加载在负载两端,这种方式会导致上电初期串阻上的功耗很大,且以热量的形式耗散,一方面浪费能源,另一方面,电阻的大小很大,功率很高,占用很大体积。0 y! y: Y8 l( L4 q' Q6 z9 q, \' s- q0 ?
; f% {$ m. ~4 d6 v+ h+ }3 N 图 2 串阻缓启动电路
9 i/ g: ?, C5 h' n0 x2 k 使用NTC时,在上电出去NTC的阻值很大,故上电电流小,随着NTC温度的升高,其阻值逐渐降低,从而实现缓启动效果,但一方面NTC会持续发热,存在安全隐患,另一方面,NTC上会一直存在压降。, \3 U8 W) Z( C/ e# @7 X
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图 3 NTC缓启动电路
$ @5 i0 V$ A* U 故这三种方式均不适用与大电流场合。使用MOS管进行大电流缓启动电路设计是一种比较理想的方式。MOS管进行缓启动,主要基于两个特性: 1)MOS管转移特性(即Ids随着Vgs的增大而增大,如图4所示)
$ q* _. t% q. m+ u 对于增强型NMOS来说,Vgs>Vth时MOS管开始导通,随着Vgs的增大,Ids也随之增大,故若能控制Vgs的增加速率,就可以相应的控制Ids的上升速率。
& M5 Q# J/ g0 t/ u; c Y! E 图 4 NMOS管的转移特性曲线 , O" M& }4 B( L- `1 U
2)MOS管的米勒电容效应. E" C7 y+ t" p `# g
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