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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:34 编辑
; z. O5 f" f5 P6 E! f! f/ g8 B; R# k; r/ a- x# P' L6 {
目录7 G6 m* H# y& o; Z
1. 缓启动电路常见方法
5 A; P# h; V0 Y8 g4 I: Y2. NMOS缓启动电路
! C3 E% ?3 ]4 Z$ V- { K2.1. 基于缓启时间的参数计算
1 g) ~. D' q# {2.2. 基于冲击电流防护的参数计算
, N: ^: g$ d/ P& b" ], J( H2.3. NMOS缓启动电路仿真
/ I/ y" Q8 j% a- d6 k3. PMOS缓启动电路仿真与波形比较
0 v, W( d) \5 `; r b: |, h* R( j$ b7 Y ~' V
MOS管设计参考
7 o8 h q" O3 w1 j: h3 X: P/ j
, S; G4 H4 @. X; H( H" T
' |# Z \3 z# ]6 C4 u# g# {
: |9 r/ T3 J3 X4 [' Q; ]MOS管缓启动电路参数设计与仿真
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4 ?: p, E( R3 h- x1、缓启动电路常见方法
/ O Y. F+ F" f4 U$ {% b 缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有：串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等，分别如图1、2、3所示。 串联电感时，由于电感隔交通直的特性，使得电流缓慢上升，从而实现缓启动，但在大功率场合，会导致，一方面电感因必须保证具有足够的通流量，所以体积很大，另一方面，增大了负载的感性负载大小，可能引起驱动源无法驱动。
2 n2 p* @- `6 C6 a0 Q1 j 图 1 电感缓启动电路
`8 Y) x0 ^5 b$ V' _ 使用串接电阻时，在启动初期，使用串阻进行限流，容性负载电压已充电至安全阈值后，再断开串阻，直接将电源加载在负载两端，这种方式会导致上电初期串阻上的功耗很大，且以热量的形式耗散，一方面浪费能源，另一方面，电阻的大小很大，功率很高，占用很大体积。0 y! y: Y8 l( L4 q' Q6 z9 q, \' s- q0 ?
; f% {$ m. ~4 d6 v+ h+ }3 N 图 2 串阻缓启动电路
9 i/ g: ?, C5 h' n0 x2 k 使用NTC时，在上电出去NTC的阻值很大，故上电电流小，随着NTC温度的升高，其阻值逐渐降低，从而实现缓启动效果，但一方面NTC会持续发热，存在安全隐患，另一方面，NTC上会一直存在压降。, \3 U8 W) Z( C/ e# @7 X
/ d. z' z# y' G7 q
图 3 NTC缓启动电路
$ @5 i0 V$ A* U 故这三种方式均不适用与大电流场合。使用MOS管进行大电流缓启动电路设计是一种比较理想的方式。MOS管进行缓启动，主要基于两个特性： 1）MOS管转移特性（即Ids随着Vgs的增大而增大，如图4所示）
$ q* _. t% q. m+ u 对于增强型NMOS来说，Vgs>Vth时MOS管开始导通，随着Vgs的增大，Ids也随之增大，故若能控制Vgs的增加速率，就可以相应的控制Ids的上升速率。
& M5 Q# J/ g0 t/ u; c Y! E 图 4 NMOS管的转移特性曲线 , O" M& }4 B( L- `1 U
2）MOS管的米勒电容效应. E" C7 y+ t" p `# g
# t- `0 C6 N1 c6 u
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发表于 2020-11-1 20:05
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