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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:34 编辑
* ~4 W5 H6 F2 ~6 s$ F+ N+ J
4 P& W- _( C+ f, \' x目录0 Z0 h( [$ H4 Y$ @* g. ]2 C* k
1. 缓启动电路常见方法; v' p8 g4 C& ?' C9 }5 m$ d
2. NMOS缓启动电路
) g6 z! H5 ?5 V7 `* c; J k2.1. 基于缓启时间的参数计算
! g% X! H" _+ d, M5 x2.2. 基于冲击电流防护的参数计算4 a; H* U4 m7 p7 C v
2.3. NMOS缓启动电路仿真0 T, p( Y, f# n9 v% m) E2 z) X' j
3. PMOS缓启动电路仿真与波形比较5 Y1 @3 G; ~, C0 z+ t [2 E
5 _; o- z% u* {, [' _
MOS管设计参考- k) J2 x$ ?8 Q% Q( `4 A! x
; U! j4 S) R/ n% e' Y( J3 v) J$ X& |1 {8 @, c2 I
( ~1 C& @* o9 wMOS管缓启动电路参数设计与仿真
$ _6 z* R1 H" p) G! B# c0 H
* e( c& m' T* ~6 D: M1、缓启动电路常见方法
: J3 Z- u4 [3 o! p: E/ B8 S 缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有：串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等，分别如图1、2、3所示。 串联电感时，由于电感隔交通直的特性，使得电流缓慢上升，从而实现缓启动，但在大功率场合，会导致，一方面电感因必须保证具有足够的通流量，所以体积很大，另一方面，增大了负载的感性负载大小，可能引起驱动源无法驱动。
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图 1 电感缓启动电路 + {- U" m; p* O& U+ I
使用串接电阻时，在启动初期，使用串阻进行限流，容性负载电压已充电至安全阈值后，再断开串阻，直接将电源加载在负载两端，这种方式会导致上电初期串阻上的功耗很大，且以热量的形式耗散，一方面浪费能源，另一方面，电阻的大小很大，功率很高，占用很大体积。- U! T7 u8 Y; N- j! N; T- g
) }1 Y0 i. H9 S/ \5 q
图 2 串阻缓启动电路
0 c7 s/ H$ F, Q: A' j, h& G 使用NTC时，在上电出去NTC的阻值很大，故上电电流小，随着NTC温度的升高，其阻值逐渐降低，从而实现缓启动效果，但一方面NTC会持续发热，存在安全隐患，另一方面，NTC上会一直存在压降。$ K, h4 j4 w% j5 l! x( D1 H
! h; w/ k- M/ y9 x7 o- a7 o 图 3 NTC缓启动电路 7 B5 L) _- n o# T7 Q: L: n
故这三种方式均不适用与大电流场合。使用MOS管进行大电流缓启动电路设计是一种比较理想的方式。MOS管进行缓启动，主要基于两个特性： 1）MOS管转移特性（即Ids随着Vgs的增大而增大，如图4所示）
/ K& C: W" n& ^4 V 对于增强型NMOS来说，Vgs>Vth时MOS管开始导通，随着Vgs的增大，Ids也随之增大，故若能控制Vgs的增加速率，就可以相应的控制Ids的上升速率。
4 R' D+ \) q$ ^5 ]/ I2 B
图 4 NMOS管的转移特性曲线 % y [. N6 D0 H
2）MOS管的米勒电容效应) @% Z O% J" H8 M5 m
) a& y1 v4 ^* d; R0 c* C# D+ A( D8 ^ M* p( g2 z
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