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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:34 编辑
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* o, l1 U; q, n' E! O0 }目录
( U, T* w/ p9 r; ?% S+ v1. 缓启动电路常见方法
( x: t: i! j6 c1 t, R2. NMOS缓启动电路
+ l- C* x2 Z: w2.1. 基于缓启时间的参数计算$ u7 d9 G: c* m6 |1 l
2.2. 基于冲击电流防护的参数计算
# N9 Q- Q k. g" u2.3. NMOS缓启动电路仿真6 c0 U- Y2 N) A2 N' g. X
3. PMOS缓启动电路仿真与波形比较
9 R: B B8 b. m8 S) G
. ]5 U9 r% v' l: x0 _3 n" F0 aMOS管设计参考
- o0 g& s, M* P }
) Y- Z) b3 e3 P2 v! W/ O' _& q9 G+ x: [# }+ ]" d0 d
9 \3 `$ M/ e' X+ K! j2 E
MOS管缓启动电路参数设计与仿真, l/ j. z1 o. o# |# W! y8 m
1 d* ^/ m+ d9 ~, O1、缓启动电路常见方法$ C) f7 b1 M% k7 w1 ?
缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有：串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等，分别如图1、2、3所示。 串联电感时，由于电感隔交通直的特性，使得电流缓慢上升，从而实现缓启动，但在大功率场合，会导致，一方面电感因必须保证具有足够的通流量，所以体积很大，另一方面，增大了负载的感性负载大小，可能引起驱动源无法驱动。
* U. h$ c9 I7 i 图 1 电感缓启动电路 $ E1 j! A6 Q4 |) B
使用串接电阻时，在启动初期，使用串阻进行限流，容性负载电压已充电至安全阈值后，再断开串阻，直接将电源加载在负载两端，这种方式会导致上电初期串阻上的功耗很大，且以热量的形式耗散，一方面浪费能源，另一方面，电阻的大小很大，功率很高，占用很大体积。
3 F& ^& V, i u' W; ^( g. l+ J
+ z/ I- R- }1 C" v }
图 2 串阻缓启动电路
; v) w- d9 ~7 k& K3 w$ h/ f 使用NTC时，在上电出去NTC的阻值很大，故上电电流小，随着NTC温度的升高，其阻值逐渐降低，从而实现缓启动效果，但一方面NTC会持续发热，存在安全隐患，另一方面，NTC上会一直存在压降。: n7 h, M& [/ j+ g. L
9 W+ H) U6 u% R0 `9 }. E+ H0 ]
图 3 NTC缓启动电路 4 {- F& {) _" \) v8 u
故这三种方式均不适用与大电流场合。使用MOS管进行大电流缓启动电路设计是一种比较理想的方式。MOS管进行缓启动，主要基于两个特性： 1）MOS管转移特性（即Ids随着Vgs的增大而增大，如图4所示）2 N/ @# Y' f2 l" q x
对于增强型NMOS来说，Vgs>Vth时MOS管开始导通，随着Vgs的增大，Ids也随之增大，故若能控制Vgs的增加速率，就可以相应的控制Ids的上升速率。
! a- R0 ]9 M3 m% K. Y. H$ M 图 4 NMOS管的转移特性曲线
8 p! X3 }& j, V4 X 2）MOS管的米勒电容效应
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