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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:34 编辑
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: y5 ~" S! g6 U# B- |3 f. C! }目录
: O; K" J* r1 s) |1 Z8 E1. 缓启动电路常见方法
& H9 b) t: {( U5 F& c, u8 f2. NMOS缓启动电路- l0 K! h) `: @# |6 P: n: k
2.1. 基于缓启时间的参数计算; @/ y' Q. D0 m! u% W
2.2. 基于冲击电流防护的参数计算) v3 t$ Z9 H+ T- {
2.3. NMOS缓启动电路仿真6 j8 Z' p+ W' ^4 n2 u
3. PMOS缓启动电路仿真与波形比较
0 H. G" F+ O6 g3 V( c- k( z4 ?% P! d3 R* B3 f/ R1 w! o- R
MOS管设计参考) \/ Y7 u. q3 N2 m
$ o2 J+ O4 }$ \/ h# D
7 E8 [' k9 g5 M) P. Z
" G. I2 d: N/ m: a$ B& w4 U* E- H
MOS管缓启动电路参数设计与仿真
( X% F- |7 W' g g+ _8 e2 d& @( K * M; [! a% k; W' [. M# O+ W0 _
1、缓启动电路常见方法
) P( |( ~+ v0 y& @4 m' |5 q 缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有：串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等，分别如图1、2、3所示。 串联电感时，由于电感隔交通直的特性，使得电流缓慢上升，从而实现缓启动，但在大功率场合，会导致，一方面电感因必须保证具有足够的通流量，所以体积很大，另一方面，增大了负载的感性负载大小，可能引起驱动源无法驱动。
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图 1 电感缓启动电路
% @. ]+ }3 e; V1 |! J7 W1 E 使用串接电阻时，在启动初期，使用串阻进行限流，容性负载电压已充电至安全阈值后，再断开串阻，直接将电源加载在负载两端，这种方式会导致上电初期串阻上的功耗很大，且以热量的形式耗散，一方面浪费能源，另一方面，电阻的大小很大，功率很高，占用很大体积。 I6 j( g1 j3 U
) P' j& B" Y9 ?- \- t$ ]
图 2 串阻缓启动电路 ' ~8 u, D1 E; ]; G2 l' n% B; C( X, f" N
使用NTC时，在上电出去NTC的阻值很大，故上电电流小，随着NTC温度的升高，其阻值逐渐降低，从而实现缓启动效果，但一方面NTC会持续发热，存在安全隐患，另一方面，NTC上会一直存在压降。
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8 k. f% M7 O& h8 T8 W 图 3 NTC缓启动电路
& D+ t) A9 }$ i) Y' S' q( U 故这三种方式均不适用与大电流场合。使用MOS管进行大电流缓启动电路设计是一种比较理想的方式。MOS管进行缓启动，主要基于两个特性： 1）MOS管转移特性（即Ids随着Vgs的增大而增大，如图4所示）( g" Q7 O: e& B& `% ~' K9 c3 L
对于增强型NMOS来说，Vgs>Vth时MOS管开始导通，随着Vgs的增大，Ids也随之增大，故若能控制Vgs的增加速率，就可以相应的控制Ids的上升速率。
% m& S4 @; O+ \! K 图 4 NMOS管的转移特性曲线 4 f; ^* m& d4 u0 v: A
2）MOS管的米勒电容效应
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