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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:34 编辑 3 V% C5 w ^. J% Z0 C# @- q
$ ?( e1 q$ Y/ \0 P- p目录9 \ y! w* D' i9 P
1. 缓启动电路常见方法 O e. i2 a- \) T, u1 {1 `
2. NMOS缓启动电路
; r2 f5 @3 B/ L F6 ?( P2.1. 基于缓启时间的参数计算% L/ A Z% E$ P
2.2. 基于冲击电流防护的参数计算6 p2 P' i2 k$ f. f" S
2.3. NMOS缓启动电路仿真# y w" r6 Y) i6 ~7 ?
3. PMOS缓启动电路仿真与波形比较
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& B, c* t- ~( D4 K" xMOS管设计参考2 v, K, D1 _ b
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MOS管缓启动电路参数设计与仿真2 i3 F- P0 y5 u$ s# L
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1、缓启动电路常见方法
5 \7 {5 w% m: h$ f1 o1 d* G+ B 缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有：串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等，分别如图1、2、3所示。 串联电感时，由于电感隔交通直的特性，使得电流缓慢上升，从而实现缓启动，但在大功率场合，会导致，一方面电感因必须保证具有足够的通流量，所以体积很大，另一方面，增大了负载的感性负载大小，可能引起驱动源无法驱动。
, g R' c. Z* {$ E* ~7 C$ P 图 1 电感缓启动电路 % U$ m; O2 l9 C" _. f- F4 v3 y" K
使用串接电阻时，在启动初期，使用串阻进行限流，容性负载电压已充电至安全阈值后，再断开串阻，直接将电源加载在负载两端，这种方式会导致上电初期串阻上的功耗很大，且以热量的形式耗散，一方面浪费能源，另一方面，电阻的大小很大，功率很高，占用很大体积。! _1 {! h8 m6 ?0 Z* c. w
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图 2 串阻缓启动电路
0 W1 C% n) c/ `8 O& ] 使用NTC时，在上电出去NTC的阻值很大，故上电电流小，随着NTC温度的升高，其阻值逐渐降低，从而实现缓启动效果，但一方面NTC会持续发热，存在安全隐患，另一方面，NTC上会一直存在压降。
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图 3 NTC缓启动电路
# V7 |; j5 V7 @, { 故这三种方式均不适用与大电流场合。使用MOS管进行大电流缓启动电路设计是一种比较理想的方式。MOS管进行缓启动，主要基于两个特性： 1）MOS管转移特性（即Ids随着Vgs的增大而增大，如图4所示）: r, E7 e' H( D
对于增强型NMOS来说，Vgs>Vth时MOS管开始导通，随着Vgs的增大，Ids也随之增大，故若能控制Vgs的增加速率，就可以相应的控制Ids的上升速率。
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图 4 NMOS管的转移特性曲线 & }" G" _3 T) T) P
2）MOS管的米勒电容效应
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