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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:34 编辑
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目录% T D7 e" E3 B* l# _
1. 缓启动电路常见方法4 U2 {5 _& E& m9 e+ m
2. NMOS缓启动电路% L' Y' b% z' u$ p& L& g8 `2 m5 l
2.1. 基于缓启时间的参数计算
8 T& M% X8 l7 @7 h+ S# t9 v2.2. 基于冲击电流防护的参数计算
& H1 l6 I% u3 Q# p2.3. NMOS缓启动电路仿真
( a& ?% J% q* N3 B; a- B. u" y3. PMOS缓启动电路仿真与波形比较0 _2 D/ A9 C& y
# s- a% }4 h( h3 i) HMOS管设计参考. F! R& p* Q+ O% H( w& c
6 ?4 m5 K: L& K
; J7 ^9 o# Q$ P6 |/ F) b
" s( s& d; Y- A9 [7 J
MOS管缓启动电路参数设计与仿真; R# `% ~& c* M2 |5 ?" P+ O% @. E
" T/ H: g. d. [$ y2 ?1、缓启动电路常见方法
, p5 b! \; X+ o$ l9 [: h8 C 缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有：串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等，分别如图1、2、3所示。 串联电感时，由于电感隔交通直的特性，使得电流缓慢上升，从而实现缓启动，但在大功率场合，会导致，一方面电感因必须保证具有足够的通流量，所以体积很大，另一方面，增大了负载的感性负载大小，可能引起驱动源无法驱动。
( l& K7 n3 @& @, j 图 1 电感缓启动电路 8 m7 _- d; k/ r6 {. u- }9 `5 b
使用串接电阻时，在启动初期，使用串阻进行限流，容性负载电压已充电至安全阈值后，再断开串阻，直接将电源加载在负载两端，这种方式会导致上电初期串阻上的功耗很大，且以热量的形式耗散，一方面浪费能源，另一方面，电阻的大小很大，功率很高，占用很大体积。; E+ H+ M3 t f; U
1 ~3 r5 e/ g9 X' }
图 2 串阻缓启动电路 , M7 v% Z0 U7 X& c8 h( c
使用NTC时，在上电出去NTC的阻值很大，故上电电流小，随着NTC温度的升高，其阻值逐渐降低，从而实现缓启动效果，但一方面NTC会持续发热，存在安全隐患，另一方面，NTC上会一直存在压降。
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. l! B+ k: h/ X" T6 G: I; F# M7 T
图 3 NTC缓启动电路
: \2 K' A! _5 e 故这三种方式均不适用与大电流场合。使用MOS管进行大电流缓启动电路设计是一种比较理想的方式。MOS管进行缓启动，主要基于两个特性： 1）MOS管转移特性（即Ids随着Vgs的增大而增大，如图4所示）2 `) F! q& F( W3 m" ?9 I
对于增强型NMOS来说，Vgs>Vth时MOS管开始导通，随着Vgs的增大，Ids也随之增大，故若能控制Vgs的增加速率，就可以相应的控制Ids的上升速率。
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图 4 NMOS管的转移特性曲线
# `7 `; ]4 B# Q2 o4 k/ I7 a) U8 f0 ? 2）MOS管的米勒电容效应5 l' j# y' C; T
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