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MOSFET应用参数理论详解(Infineon)

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发表于 2020-12-20 20:35 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:31 编辑 % [; }( ?0 F+ b& \

5 h4 z9 {: v, B% p6 O+ ?/ B# ~: c

目录

1. 功率损耗

2. 漏极(沟道)电流

3. 安全工作区

4. 最大瞬态热阻抗-ZthJC

5. 典型输出特性

6. Rds(on)

7. 跨导

8. 门极门槛电压Vth

9. 寄生电容

10. 反向二极管特性

11. Avalanche特性

12. 源漏击穿电压

13. 典型的门极驱动

14. 开关特性


; J: O! l5 e! P3 [- S$ F1 HMOS管设计参考

: V2 m- G& E; M* T8 S' t: G7 V9 X% c& i8 i
% T+ [; z( V7 {* E& |
MOSFET应用参数理论详解
% a7 n; K. C% f! e8 W" z/ P3 C  a1 F

MOSFET是开关电源中的重要元器件,也是比较难掌握的元器件之一,尤其在LLC,LCC软开关的设计中,对于MOSFET元器件本身的理解尤其重要,理解透彻了,也就应用自如了。本文会从理论上对MOSFET的重要设计参数进行介绍。


" T. S: Q$ Y0 ~; y: h3 O: w

1. 功率损耗

MOSFET的功率损耗主要受限于MOSFET的结温,基本原则就是任何情况下,结温不能超过规格书里定义的最高温度。而结温是由环境温度和MOSFET自身的功耗决定的。下图是典型的功率损耗与MOSFET表面结温(Case temp.)的曲线图。

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    感谢分享,学习了。
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    [LV.8]以坛为家I

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    发表于 2020-12-21 09:04 | 只看该作者
    学习一下,谢谢分享
    9 h# R; f! U. O

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    发表于 2020-12-21 09:15 | 只看该作者
    学习,学习吧。

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    发表于 2020-12-21 09:27 | 只看该作者
    谢谢,麻烦看看
    / _, B3 c7 w3 d% Z$ b

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    12#
    发表于 2020-12-21 09:41 | 只看该作者
    1111111111
    ) u1 ?% j- W& N! y! J0 e
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    [LV.1]初来乍到

    13#
    发表于 2020-12-21 09:42 | 只看该作者
    kan   kann   - T, a# o2 d- j2 k2 r% ^
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    发表于 2020-12-21 09:54 | 只看该作者
    看看什么内容
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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2020-12-21 09:55 | 只看该作者
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