MOSFET应用参数理论详解（Infineon）

jacky401 · 发表于 2020-12-20 20:35

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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:31 编辑

1. 功率损耗

2. 漏极（沟道）电流

3. 安全工作区

4. 最大瞬态热阻抗-ZthJC

5. 典型输出特性

6. Rds(on)

7. 跨导

8. 门极门槛电压Vth

9. 寄生电容

10. 反向二极管特性

11. Avalanche特性

12. 源漏击穿电压

13. 典型的门极驱动

14. 开关特性

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MOS管设计参考

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MOSFET应用参数理论详解

MOSFET是开关电源中的重要元器件，也是比较难掌握的元器件之一，尤其在LLC，LCC软开关的设计中，对于MOSFET元器件本身的理解尤其重要，理解透彻了，也就应用自如了。本文会从理论上对MOSFET的重要设计参数进行介绍。

1. 功率损耗

MOSFET的功率损耗主要受限于MOSFET的结温，基本原则就是任何情况下，结温不能超过规格书里定义的最高温度。而结温是由环境温度和MOSFET自身的功耗决定的。下图是典型的功率损耗与MOSFET表面结温（Case temp.）的曲线图。

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