.ESD主要防止措施（结构&硬件）

DODO1999

1.ESD主要防止措施（结构&硬件）

— ★防止静电荷积累，外壳直接接地屏蔽（结构）；

— ★手机表面绝缘处理，使静电放电无法发生（结构）；

— ★使静电放电路径处于受控状态，远离敏感源（结构&PCBA） ；

— ★电路控制方面：

a.易导入ESD的接口位置（电池connector、USB、audio、SIM、T-card、CTP、按

键等）使用ESD防护器件如TVS，ESD+EMI filter。其他还有Varistor，zener diode 等

— b.ANT、USB等信号质量要求高适用低容TVS，高容TVS会引起信号衰减和失真；

— c.对于音频接口（除class D）最好选用3.3V双向TVS管，SIM卡接口、按键接口最好 选用3.3V单向TVS管，class D选用5V双向TVS管；

— d. c中3.3V和5V指TVS的VRWM电压，要选择同类中clamping（VC@IPP) 电压比较低的TVS能提高ESD 防护能力。

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常用低容ESD TVS型号：

2.8V  SLVU2.8 SLVU2.8-4

3.3V  单向DLLC03I 双向DLLC03CI

5.0V  单向DLLC05I 双向DLLC05CI

8.0V  DLLC08CI

12V  DLLC12CI

15V  DLLC15CI

24V  DLLC24CI

* D  U+ ~) Q: ?" ], H9 A

常用普容ESD TVS型号：

3.3V 单向 DCSD03 双向 DCSD03C,

5.0V单向 DCSD05 双向 DCSD05C,

常州鼎先电子有限公司

13775299578邢思前

专业生产瞬态抑制二极管阵列 TVS ESD Array
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你可爱的老爷

用单项双向有何依据？音频为什么推荐3v3的，5V的不是更通用么？

DODO1999

你可爱的老爷 发表于 2020-12-17 15:23
, l" e# C9 T1 [7 T6 K用单项双向有何依据？音频为什么推荐3v3的，5V的不是更通用么？

如果是直流电路，尽可能选择单向。在正电压冲击下，钳位电压约6-8V，但用单向的TVS，在负电压ESD冲击性，钳位电压是小于1V的。
# ^" \# ]$ l) {4 M# C3V 5V看具体电路，5V应用更广泛，货源充足些。
5 H# K9 k) Z: H7 L" J+ N