赛普拉斯NV-SRAM解决方案

英尚微电子

赛普拉斯的NV-SRAM将标准快速SRAM单元（访问时间高达20 ns）与基于硅氧化物和亚硝酸盐，氧化物硅（SONOS）的非易失性存储元件相结合，可提供快速的异步读写访问速度，并在其整个工作范围内具有20年的数据保留。具有控制器的典型NV-SRAM接口如图1所示。
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图1.带微控制器的NV-SRAM接口

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高速SRAM单元提供了非常高速的读写访问，并且可以像标准SRAM中一样无限次地写入或读取NV-SRAM。如果断电则利用存储在与NV-SRAM的VCAP引脚相连的小电容器中的电荷将SRAM中保存的数据传输到与每个SRAM单元集成的非易失性元件。 NV-SRAM VCAP引脚上需要的电容器只有几十μF，典型值为68 μF（有关VCAP的允许范围，并在上电期间通过内部充电电路进行充电。 VCAP上存储的电荷足以在掉电期间将SRAM数据复制到非易失性元件（称为存储操作）。
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0 j. O* n, ?5 F8 P此存储操作对应用程序是透明的，因为当VCC电源在阈值水平（VSWITCH）以下故障时会自动执行该存储操作。数据从SRAM到集成非易失性元件的并行传输意味着存储（将SRAM数据传输到非易失性元件）所花费的时间等于一次EEPROM写（字节写或页写）操作。上电时非易失性数据会自动传送回SRAM，这称为RECALL操作。这使NV-SRAM成为真正的非易失性存储器，可以在断电时将数据保存在其非易失性元素中，而无需任何外部电源备份，例如电池或Supercaps。
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NV-SRAM中的STORE和RECALL操作也可以通过软件命令按需执行。 NV-SRAM具有许多其他功能，新应用程序可以使用这些功能。

. u; @& c- l# q5 |& {与其他现有电路解决方案相比，赛普拉斯的NV-SRAM提供了最快，最可靠的非易失性解决方案。
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高速SRAM单元提供了非常高速的读写访问，并且可以像标准SRAM中一样无限次地写入或读取NV-SRAM。如果断电则利用存储在与NV-SRAM的VCAP引脚相连的小电容器中的电荷将SRAM中保存的数据传输到与每个SRAM单元集成的非易失性元件。

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