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PCIE GEN3每条Lane的速度为8Gbps,为不影响PCIE接口的性能,在硬件原理及PCB设计需要遵循它特有的设计规则,本文对这方面进行了总结:+ F7 @! ~5 ]6 a7 m X
硬件连接--Lane上的电容要求
U7 ?/ f( w9 y: M8 ~PCIE连接到外部连接器应用,在TX Lane上需要增加耦合电容,电容值要求在220nF(Gen3), 100nf(Gen2),封装可选0402或0201,0201要优于0402;5 N* {0 [2 O" t% R! \
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另外一种应用场景为处理器与外设在同一主板上(板载PCIE设备),Tx/Rx Lane上都要求增加耦合电容
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详细介绍请查阅附件! R; Q! v6 c( q
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