大佬们，下图的各器件的原理是怎么分析的呀？

不要香菜 · 发表于 2021-1-7 21:36

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大佬们分析下一个电路，这个三极管和二极管的作用是什么？反接吗？

zyl0504 · 发表于 2021-1-8 09:36

D1是保护三极管发射结不被击穿；Q3的作用是Vin掉电时关断Q2，起到防止电流倒灌的作用；Q2可以改成PMOS

duck · 发表于 2021-1-8 09:07

我觉得不是反接，你觉得呢？楼主。

中臣 · 发表于 2021-1-8 09:59

本帖最后由中臣于 2021-1-11 15:17 编辑

理解错误了

zyl0504 · 发表于 2021-1-8 11:22

中臣发表于 2021-1-8 09:59) c6 N1 j& o; U- m B' Y
D1和Q3,我分析应该是过压保护；正常运行时，Q2要导通，必须G大于S, 所以Q3要截止；而Q3的目的，显而易见 ...

D1流过的电流大，Q3会导通吗？D1正向导通后，三极管的发射结永远反偏，是不会导通的，如果不是为了保护三极管发射结，那么这个三极管是完全可以去掉的

zyl0504 · 发表于 2021-1-8 11:28

还有就是如果不是为了电流倒灌，那么Q2可以去掉，分析这个电路时，要考虑mosfet的体二极管，把体二极管画出来，分析的时候会好很多。上电时，Q2是不受控的（体二极管的作用），掉电时，Q1是不可控的（体二极管的作用），这里说的不可控，指的是对电流没有阻断作用。

H729 · 发表于 2021-1-10 20:36

zyl0504 发表于 2021-01-08 09:36:411 I i6 s6 T* q" \
D1是保护三极管发射结不被击穿；Q3的作用是Vin掉电时关断Q2，起到防止电流倒灌的作用；Q2可以改成PMOS

那R5干嘛用呢还那么大。而且R7才10K 可不可以大一点呢不然导通着就有1.2mA的漏电流

aiipoo · 发表于 2021-1-11 21:30

防止电源反接的电路。正常工作，三极管不导通，GATE控制两个MOS开启；反接时，GND与12V间压差为12V，三极管导通，M2的Vgs太小无法导通，体内二极管也阻止电流反向流通，则起到保护后级电路的作用。至于二极管，保护三极管发射结不被击穿.

Zhonghh · 发表于 2021-2-1 10:05

你可以去看电源大师课，这个电路就是Adi研究出来代替Tvs的

不要香菜 · 发表于 2021-2-25 22:19

Zhonghh 发表于 2021-02-01 10:05:30
! o2 @# j( P/ I% l o9 W你可以去看电源大师课，这个电路就是Adi研究出来代替Tvs的

怎么分析？

kobeismygod · 发表于 2021-3-1 15:13

spec 上貌说得是reverse input protection，不是反灌。

martinliu · 发表于 2021-3-12 16:38

學習了..

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