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灵动MM32F0010A1T使用高性能的ARM Cortex-M0为内核的32位mcu，工作频率可高达48兆赫兹，内置SRAM高速存储器，丰富的增强型I/O端口和外设连接到外部总线。MM32F0010A1T包含1个12位的ADC、1个16位通用定时器、1个16位基本定时器、1个16位高级定时器。还包含标准的通信接口：1个I2C接口、1个SPI接口和2个UART接口。2 ~+ b+ @0 V8 C V
7 t0 w0 f% k/ q' I [
MM32F0010A1T工作电压为2.0V~5.5V，工作温度范围（环境温度）-40◦C~85◦C常规型和-40◦C~105◦C扩展型（V）。多种省电工作模式保证低功耗应用的要求。提供TSSOP20封装形式。灵动微MM32F0010A1T可兼容替换意法半导体STM8S003F3P6.灵动总代理英尚微电子可提供开发板测试和例程支持.- A& N! a; j! h9 |
2 s9 L V: `* ~& d
MM32F0010A1T封装引脚; Z4 |/ S$ k1 A4 v
4 q7 f+ s1 P0 L, O" d3 [* N' f% F( c f1 k1 [9 W; _9 W1 S! s% d
( Q& M* p9 ?" T) W5 S6 ~3 C6 |MM32F0010A1T特点2 m+ r, o9 |; ~& t0 c
性价比首选·8位替代的最佳方案- \3 t; |; `+ u5 V5 ]
20PIN小封装·简单大方5 F# P# A, v, R, N
高速M0核心·开发更有效率( g& o- B- S0 |7 B" ^
高精密度ADC·多达8通道: V/ M C6 b* L6 |1 O7 s' a
6组PWM输出·具有死区功能
V2 R/ r+ [5 \+ _; S7 R9 ?$ A丰富的串口新选择
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+ |$ k+ u' y# W闪存主要特性, i3 _# s& L- g$ K2 M% H% g% @. r
•高达16K字节闪存存储器, w+ I, H) D2 \% G- ^) t
•存储器结构:$ N0 d/ ~6 x$ H
–主闪存模块:最大4K字(4K×32位)- i$ ~: a: Q1 `( T) [! \3 }& w
–信息模块:
O2 z0 z/ P' W# C q- T( ~*系统存储器:高达1K字节(1K×8位)
# ]: C# }3 D& R4 Y+ F7 K4 y* Q*选项字节:高达2×8字节
$ g! S9 m" ?. p+ c: S' E/ y闪存接口的特性为：
# l1 g0 x/ y+ N, N•带预取缓冲器的数据接口(2×32位)
8 y" b- |2 G( c. ~6 ?•选择字节加载器4 T$ h' j0 X% b* B4 C5 K$ _
•闪存编程/擦除操作
- Q, }" J- X' ]; F$ E% t Y! }6 o•访问/写保护
6 E7 ?& i$ p0 v2 K- M3 y•低功耗模式
0 R5 V" a( h) e$ a4 W& s8 e
4 S, c) B4 s( S' e内置的SRAM
& N' ]( |; i8 s& q! f内置最大可到2K字节的静态SRAM。它可以以字节(8位)、半字(16位)或字(32位)进行访问。SRAM起始地址为0x20000000。, w, T' I9 [/ O' _7 y8 z M p L
•数据总线上最大可到2K字节的SRAM。可以被CPU用最快的系统时钟且不插入任何等待进行访问。
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" t2 f3 {' u5 C" w/ Q9 YMM32F0010A1T规格书下载1 N; @$ b+ I6 N
MM32F0010.pdf
(1.96 MB, 下载次数: 0)
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6 p& E. W# K+ Q" Z' P1 Z9 E3 F# Z; @8 x% g
3 d1 h& V* Z9 L* X D- M$ F( T' U
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发表于 2021-1-11 15:20
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