请教一个MOS管问题

nut1

我想请教各位，图片里的（1）G与S连个电容起到什么作用。 （3号处）的电容是起到什么作用、（改变2号和3号）会对（1号）有什么作用？
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love1

MOS管有一个不可消除的特性，米勒平台，这个平台是使用的时候不希望出现的，但是又不可避免，1C50这个电容是为了减小米勒平台，另外在米勒平台阶段又可能会引起电压下跌，增大开关损耗，所以加电容这个有一定削减米勒平台的作用，可以得到我们更想要的效果。  2的1R25电阻是限流的作用，如果没有2的电阻的话，会出现在Q25的1脚为高时，三极管会烧毁，因为短路电流太大，同时电阻大容易处于饱和区，更能起到开关作用。但是如果1R8为47K的话，这个电阻可能有点大，不利于三极管的导通。  3的1R9一般性来说是MOS管的导通电阻，是改变MOS管的导通时间的，一般性来说为几十欧姆作用，作用的话，第一可以减小振荡，因为有极间电容的存在，走线又存在电感效应，所以一起会出现振荡，加入电阻会减小振荡，另外会减小G极的峰值电流，保护MOS管

ounce

这个电容类似于软启动吧，栅极电压不会立马掉为0，有个斜率。

plug

感觉3号电阻阻值过大

qinxg

软启动. 否则1C45瞬间电流很大,  用示波器可以看到VDDIO_3.3V的瞬间跌落

bingshuihuo

love1 发表于 2021-2-9 14:21
MOS管有一个不可消除的特性，米勒平台，这个平台是使用的时候不希望出现的，但是又不可避免，1C50这个电容 ...

解释的到位
" s( F0 P) w! z" A

seewolf

1、这个电路从三极管和MOS管原理出发即可；2、MOS管的开关有Vgs控制，C50并联在Vgs上。相当于增大了栅极和源极之间的电容，Vgs电压由电容充电后产生。电容值增大，对应的电压值上升变慢，最终实现缓启动；
3、三极管在这里起到电平转换的作用。本来MOS的控制逻辑是“高电平断开，低电平导通”。增加三极管后改为通过三极管基级控制，控制逻辑变为“高电平导通，低电平断开”。这样的控制逻辑好处是“系统上电后MOS管后端的供电不会直接打开，必须通过主芯片的IO控制才能打开”。而原来的“高电平断开，低电平导通”逻辑会导致MOS管上电后直接打开，然后根据主芯片的控制逻辑在关闭；
4、R25和R9是用来控制MOS管“栅极和源极之间的电容”的充电电流的，通常和C50配合使用，最终目标是缓启动。“限流+增容”，两种手段共同实现缓启动；

8 M$ ]0 p7 o1 S$ i4 E+ h$ C6 z

clp783

7楼正解。