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XM8A51216外扩SRAM

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发表于 2021-2-23 15:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

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XRAM是一种新的存储器体系结构,旨在以具有竞争力的价格提供高密度和高性能RAM。XRAM使用先进的DRAM技术和自刷新体系结构,显着提高了存储器密度,性能并简化了用户界面。6 g+ [% M& Y6 J) J. g0 k, W, E% B

2 n) g4 i" E* b3 ^+ z% v0 sXM8A51216是星忆存储科技公司生产的一颗16位宽512K(512*16,即1M字节)容量的CMOS静态内存芯片。该国产SRAM芯片具有如下几个特点:
; r) u2 Q9 K# ~& M
4 S0 v8 w+ o  }; T⚫高速。具有最高访问速度10/12ns。
, m) _* ~+ J7 n5 D+ g6 U8 M" S⚫低功耗。+ a6 H# H& O3 H/ F! e6 }
⚫TTL电平兼容。" n9 e! H/ }1 H& T0 {# p
⚫全静态操作。不需要刷新和时钟电路。. G* K8 w( u( R
⚫三态输出。% h, p* R0 M9 X5 t3 K7 A
⚫字节控制功能。支持高/低字节控制。: a; R2 Z8 x8 v3 B$ x
  r) L( Z. h+ a
XM8A51216功能框图/ D" y4 S" f8 R( Z6 B1 b6 u* [

# M3 y- P7 j8 K+ W1 H+ {8 o5 [
! s  D1 n$ e; Z( o图中A0~18为地址线,总共19根地址线(即2^19=512K,1K=1024);DQ0~15为数据线,总共16根数据线。CEn是芯片使能信号,低电平有效;OEn是输出使能信号,低电平有效;WEn是写使能信号,低电平有效;BLEn和BHEn分别是高字节控制和低字节控制信号;
1 a+ o7 M, ]7 S. h0 G2 k
9 h. i% d* ]4 [8 `* N( N( s: J

4 Y5 M) g8 \; J/ G. ?4 A6 S$ j
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XM8A51216原理图
$ n( e6 g; O  C& E
. C- |/ v" a4 m3 `2 ]$ z. E
XM8A51216在功能上等效于异步SRAM,是一种高性能8Mbit CMOS存储器,组织为512K字乘16位和1024K字乘8位,支持异步SRAM存储器接口。代理商英尚微电子支持产品相关技术支持及解决方案。
- I6 }) R. l3 g6 M) z5 u% R& h 8 C' v3 f/ M  m! D
要写入设备,请将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入设为低电平。如果字节低使能(BLE)为低,则来自I/O引脚(DQ0至DQ7)的数据被写入地址引脚(A0至A18)上指定的位置。如果字节高使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(DQ8至DQ15)的数据将写入地址引脚(A0至A18)上指定的位置。要从器件读取,请将芯片使能(CE)和输出使能(OE)设为低电平,同时将写入使能(WE)设为高电平。如果字节低使能(BLE)为低,则地址引脚指定的存储器位置中的数据出现在DQ0至DQ7上。如果字节高使能(BHE)为低,则来自存储器的数据出现在DQ8到DQ15上。. B7 M1 P, N5 K1 p8 _) s0 a0 n

, m% H" `2 [, ~- `取消选择器件(CE),禁用输出(OEHIGH),禁用BHE和BLE(BHE,BLEHIGH)或以下操作时,输入或输出引脚(DQ0至DQ15)处于高阻抗状态写操作(CE和WELOW)。突发模式引脚(MODE)定义突发序列的顺序。当置为高电平时,选择交错的突发序列。当拉低时,选择线性突发序列。
/ X  A' q0 J' G$ n) q. \
5 l7 E0 H$ z: q- C3 N; l
+ J- T' B: p6 `, i9 b( J
XM8A51216V33(8M).pdf (719.73 KB, 下载次数: 3)

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发表于 2021-2-23 16:49 | 显示全部楼层
                                          
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