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求大神分析下该电路的工作原理

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发表于 2021-3-10 21:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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   如题,欢迎各位大神分析2个MOS的工作原理。
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  • TA的每日心情
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    [LV.2]偶尔看看I

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    发表于 2021-3-11 16:08 | 只看该作者
    這個圖畫的很隨意呀,如你所說Q4、Q6是PMOS,那麼R2、R7的電阻值盡可能大一些,因為MOS是電壓型晶體管,對電流沒多大要求,當Q10處於飽和狀態的時候,可以有效降低功率損耗...

    该用户从未签到

    推荐
    发表于 2021-3-10 23:18 | 只看该作者
    Q4 Q6是PNP三极管,Q10是NPN三极管,没有MOS管啊哥们。 当RELAY0是低电平时,Q10不导通,Q4和Q6也不导通;当RELAY0是高电平时,Q10饱和导通,Q6,Q4导通,Q4和Q6是并联
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    3#
    发表于 2021-3-11 08:11 | 只看该作者
    楼上说得有道理,但是两个电阻的阻值是不是有点小?Q10导通后电阻流过的电流有点大。

    该用户从未签到

    4#
     楼主| 发表于 2021-3-11 11:06 | 只看该作者
    感谢2位,但是型号LP82440ANL是Pmos
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    2021-3-27 15:39
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    [LV.2]偶尔看看I

    6#
    发表于 2021-3-11 17:49 | 只看该作者
    Q4Q6并联,增强流过MOS管的电流能力,说白了就是通过电机的电流可以很大

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    7#
    发表于 2021-4-7 11:49 | 只看该作者
    martinliu 发表于 2021-03-11 16:08:079 {+ l: ?/ O: h( p; F/ T5 M, q
    這個圖畫的很隨意呀,如你所說Q4、Q6是PMOS,那麼R2、R7的電阻值盡可能大一些,因為MOS是電壓型晶體管,對電流沒多大要求,當Q10處於飽和狀態的時候,可以有效降低功率損耗...

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    $ M" Y' J# O" `; T( O9 Q" s; |& E8 t这不是BJT吗
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