国产串行SRAM存储芯片EMI7008LSMI

英尚微电子

EMI7008LSMI该器件是8Mb串行访问的SRAM存储芯片，内部组织为1024K字，每个8位。该器件采用先进的CMOS技术进行设计和制造，以提供高速性能和低功耗。该器件使用单芯片选择（/CS）输入进行操作，并通过与SPI兼容的简单串行接口进行访问。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问该设备内的数据。该设备包括一个/HOLD引脚，该引脚允许在不取消选择该设备的情况下暂停与该设备的通信。暂停时，除/CS引脚外的输入跳变将被忽略。该器件可在-40°C至+85°C（工业级）的温度范围内工作。
7 M. ~. C: n$ [3 q2 e  a
特征：
•SPI总线接口：
# p! P  E# k2 E3 g% B- l3 _-兼容SPI
-SDI（双）和SQI（四）兼容
-所有模式的时钟频率均为50MHz
9 _9 \- u( Z8 x* M- D$ `  g•低功耗CMOS技术：
% Y! s" k& D& q+ k) x-读取电流：50MHz时为22mA（典型值）
0 W; s1 e- K4 y5 l1 _-深度睡眠模式电流：1mA（典型值）
3 f& s+ f9 U* m2 d' T2 _•无限的读写周期
* o' L9 k, b) T% N0 d; o•1Mx8位组织
0 B- ~$ x( B6 o9 s3 Y  W9 C  o  p•用于读取和写入的字节和顺序模式
3 p6 f2 T3 \# n) u0 @  g* x•支持的温度范围：
0 @4 o6 e: W( X% I( d4 E7 _-工业（I）：-40°C至+85°C
•符合RoHS
+ W9 d' ~4 @# a•8引线SOP封装（2.08mil）
* p( u* O6 J( Y1 g* f
引脚封装
. Q& ~. d8 `+ P4 g( Y8 v; t, W; _
. z- w! N5 ?! j' p

SDI模式和SQI模式操作
2 I( Z! S6 j& A. I5 e与兼容的主设备一起使用时，该设备还支持SDI（串行双接口）和SQI（串行四接口）操作模式。要进入SDI模式，必须输入ESDI命令（3Bh）。按照SDI操作模式的惯例，每个时钟使用SIO0和SIO1引脚输入两位。位首先以MSB时钟输入。要进入SQI模式，必须输入ESQI命令（38h）。对于SQI操作模式，每个时钟输入4位数据，或者每个时钟输入1个半字节。半字节首先由MSB提供时钟。

3 ]6 a' i! v$ ~- |& K) n* C要退出SDI模式，必须发出RSTDQI命令（FFh）。必须在当前设备配置（SDI模式或SQI模式）中输入命令。
* x" P, T& u3 _4 Q* \
关于EMI
4 U9 q8 E- f; S9 V2 I安徽伟凌创芯微电子有限责任公司（简称EMI）位于合肥市高新区，是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注于利基市场专用芯片/小型蓝牙SOC芯片/存储芯片SRAM/PSRAM及整体解决方案，第一代产品涉及千兆/万兆USB网口芯片以及音视频接口芯片。提供创新、高品质、高性价比、 供货持续稳定的芯片，并通过提供软硬件Turnkey solution，降低客户研发难度，缩短客户量产时程。产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。EMI代理英尚微电子支持提供产品相关技术支持。
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9 {- X1 h$ k0 g; g( P: H 8Mb_SPI SRAM_1.1版本.pdf (10.89 MB, 下载次数: 0)

2021-3-11 14:58 上传

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