国产并口PSRAM存储芯片EMI164NA16LM

英尚微电子

EMI164NA16LM该设备是一个集成的存储器设备，其中包含64Mbit静态随机存取存储器，使用自刷新DRAM阵列由16位组织为4M。模具具有单独的电源轨，VCCQ和VSSQ，用于从设备核心的单独电源运行。

! o3 {5 N9 P1 e特征
•电源
-VCC和VCCQ电压：3.0V（2.7V〜3.6V）
; y0 e4 w$ E3 J3 B& H& G; k+ K; ^) c•配置：64MB（4MBX16）
$ K1 \& K# O  q•读取速度
+ \/ H; C  A0 i3 c( o* }" {-异步读访问：70ns
8 D* f) v" k8 D% {•低功耗
( N: `# ?# ?) n! h-异步操作：<30mA
6 I5 m- {" g: b* o-待机电流：<350UA（最大值）
- M' T5 @6 W: f8 b•低功耗功能
-片上温度补偿自刷新（TCSR）
•工作温度范围：-40°C〜+85°C（工业）
•包装：48 TFBGA（6.0x7.0mm）
8 S" e* c# y- Q0 p
6 k8 X! z4 `( v  \% K$ ?引脚封装
' _- B' C# E9 J, n9 V5 |6 Z
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48 TFBGA（6.0x7.0mm）

: m0 q7 m- @+ r; o: k5 ?EMI164NA16LM该设备是67,108,864位pSRAM，使用DRAM型存储器单元，但该器件具有无刷新操作和极端低功耗技术。接口与低功耗异步类型SRAM兼容。该设备组织为4,194,304字x16位。

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图2.功能框图

2 X; x, t5 c' r4 O功能描述
64MB设备包含67,108,864位DRAM核心，组织为16位的4,194,304个地址。该设备包括行业标准，在其他LOW Pexer SRAM产品上找到的异步内存接口
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# A/ g( W4 z% a/ N9 C* }: x

$ Z; X5 t8 O4 P' m

表1功能描述

8 G) k) ^/ b: B% K* G
1.当UB＃和LB＃处于选择模式（低）时，DQ0〜DQ15受到如图所示的影响。
当仅LB＃处于选择模式时，DQ0〜DQ7受到如图所示的影响。只有UB＃处于选择模式时，DQ8〜DQ15会受到如图所示的影响。
2.当设备处于待机模式时，控制输入（We＃，OE＃），地址输入和数据输入/输出在内部与任何外部影响分离。
3.当我们＃处于活动状态时，OE＃INPUT在内部禁用，对I/O没有影响。
4.只要更改地址，设备将在此模式下消耗有效电源。
6 R; i4 P$ _4 @1 O; }8 t' @, k5.VIN=VCCQ或0V，所有器件引脚都是静态（未切换的），以实现备用电流。
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2021-3-17 15:39 上传

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- U1 g, N9 i5 i+ F/ q! H关于EMI
0 y+ O+ ~8 w2 Y: f安徽伟凌创芯微电子有限责任公司（简称EMI）位于合肥市高新区，是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注于利基市场专用芯片/小型蓝牙SOC芯片/存储芯片SRAM/PSRAM及整体解决方案，第一代产品涉及千兆/万兆USB网口芯片以及音视频接口芯片。提供创新、高品质、高性价比、 供货持续稳定的芯片，并通过提供软硬件Turnkey solution，降低客户研发难度，缩短客户量产时程。产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。EMI代理英尚微电子支持提供产品相关技术支持。

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