Si和SiGe三极管Early效应模型及在电路仿真器中的应用综述

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摘要:Early效应作为表征双极器件关键性能的因素之一,影响输出跨导、传输电流、基区渡越时间、电流增益、扩散电容等器件特性.本文从Early效应的基本定义出发,综述了Early电压的起源,模型的发展及其在Si和SiGe电路仿真器中的应用.具体为1)综述了Si三极管中的基本模型及在SPICE中处理过程,然后针对SPICE的缺陷,描述了VBIC模型中针对Early效应的改进.(2)由于SPICE和VBIC不能有效描述SiCe HBT中基区Ge组分引人.本文基于SiGe HBT标准化模型Mextram HICUM对SiGe HBT的建模思想,综述了将其用于建立Early电压模型的方法.(3)总结了现有主流模型对Early效应的建模方法及优缺点.
( ~+ q2 Y: G& J+ z" V) L关键词:Early效应;三极管;SPICE;积分电荷控制关系
* h, M+ W" D- A, @ Si和SiGe三极管Early效应模型及在电路仿真器中的应用综述.pdf (1.27 MB, 下载次数: 0)

2021-3-29 09:07 上传

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freedom1

Si和SiGe三极管Early效应模型及在电路仿真器中的应用综述,不错，我先收藏了。