富士通代理Quad SPI铁电FRAM存储器MB85RQ4M

英尚微电子

MB85RQ4ML是一种FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，采用524,288字×8位的配置，使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。采用四路串行外设接口（QSPI），可使用四个双向引脚（四路I/O）实现高带宽，例如以54MB/s的速度进行读写。能够保留数据，而无需使用SRAM所需的备用电池。
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MB85RQ4ML中使用的存储单元可用于1013个读/写操作，与Flash存储器和E2PROM支持的读和写操作数量相比，有了显着改进。MB85RQ4ML不需要很长时间就可以写入闪存或E2PROM之类的数据。能够在没有任何等待时间的情况下以高带宽写入数据，并且非常适合网络，游戏，工业计算，相机，RAID控制器等。富士通代理英尚微电子支持提供样品及产品应用解决方案等技术服务。
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& W5 t; ^7 q% M+ B) R■特点
•位配置：524,288字×8位
1 C1 j: G+ ~2 K, B) @2 b$ n•串行外围设备接口：SPI（串行外围设备接口）/四路SPI对应于SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
# a) @$ ~( ~' [•写支持：单数据输入/四数据输入/四地址和数据输入/QPI模式
•读取支持：单数据输出/快速单数据输出/快速四数据输出/快速四地址输入和数据输出/QPI模式/XIP模式
•工作频率：108MHz（正常的READ命令除外）
•高耐用性：每字节1013次读/写
7 N0 o, g( o, O3 {- x$ K•数据保留：10年（+85°C），95年（+55°C），超过200年（+35°C）
* M  e: F. B  x: @" ~# Z•工作电源电压：1.7V至1.95V（单电源）
* K6 T( O) t$ P, @4 A% o! m•功耗：工作电源电流20.0mA（典型值@四I/O，108MHz）待机电流70μA（典型值），400μA（最大）
8 f2 O4 d9 [( |6 w& Y' v•工作环境温度范围：-40°C至+85°C
8 Y" L5 `' G2 H. J. `' B/ K•封装：16针塑料SOP（FPT-16P-M24）
* N) k2 x7 A" W4 v/ L5 G
2 a. U% o, |9 T: V/ p. m* Z+ J" C# b, i

2 _. a  ~+ _4 Z' I5 G
# n. H1 P/ r- P! r3 H5 n2 Z引脚封装

" f/ l. ?& d' C■串行外围接口（SPI）
•SPI
MB85RQ4ML作为SPI的从设备。SPI使用SI串行输入引脚在SCK的上升沿将操作码，地址或数据写入器件。SO串行输出引脚用于在SCK的下降沿从器件读取数据或状态寄存器。

•Quad SPI
' q2 O5 C8 y1 J# Q6 P- |+ xMB85RQ4ML作为Quad SPI的从设备。MB85RQ4ML支持使用“FRQO”，“FRQAD”，“WQD”和“WQAD”命令的Quad SPI模式，使用“EQPI”和“DQPI”命令的QPI模式以及XIP模式。当使用Quad SPI模式指令时，SI，SO，WP和HOLD引脚变为双向IO0，IO1，IO2和IO3引脚。
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是的，MB85RQ4ML中使用的存储单元可用于1013个读/写操作，与Flash存储器和E2PROM支持的读和写操作数量相比，有了显着改进。