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EMI502NL16VM系列由EMI先进的全CMOS工艺技术制造。这些系列支持工业温度范围和芯片级封装，以使用户灵活地进行系统设计。该系列还支持低数据保持电压，以低数据保持电流实现电池备份操作。此款国产SRAM芯片可替换ISSI IS61WV12816EDBLL。EMI代理支持提供技术支持及样品测试。
) V+ y7 T6 M: n& L( g8 z ; ]9 W, f! ~) o0 r$ U" i! c0 ] q
特征
/ ^8 p0 q5 y! Z+ j3 ]: h4 A●工艺技术：全CMOS
4 g% ~: I" T+ N$ M4 D9 C* W●位宽：128Kx16位
( o7 Q2 u6 n- k6 O1 `. n f●电源电压：2.3V〜3.6V7 \5 D& g* S3 _6 s
●低数据保持电压：1.5V（最小值）
( X2 M5 K' h: {$ O●三态输出和TTL兼容8 U) n; n4 m( y. L- b% D) Q/ ~
●标准44TSOP2，48BGA
6 \# v" J) \. j4 t0 M9 ?. C2 u●工业操作温度
; r1 b' M' I% `1 p L9 m
" A) N4 R; p- H( V引脚封装
! I. ?; C9 e; v( ~% e0 p1 D8 W. ?" O% f D
9 O4 g! K' P+ R+ L5 K; J
ISSI IS6164WV12816EDBLL是一种高速的2,097,152位静态RAM，以131,072个字乘16位组织。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能和低功耗的设备。IS61WV12816EDBLL封装在JEDEC标准的44引脚TSOP-II和48引脚BGA中。
9 I7 j: A2 ~( g1 Q( M) J, O9 Y 4 r' H9 B. H- q3 L* i
特征! Z2 [& l& A# ]. @
CMOS待机
' a) p) K- N# c; t- ~" q1 E; I' n•单电源
8 x; S& G4 W8 P/ C ]6 T+ `5 M3 X9 }-Vdd2.4V至3.6V（10ns）8 ^1 i3 k+ \. S8 v7 @' @
-Vdd3.3V±10％（8ns）
: E' x- ]% x% y. e•完全静态操作：无需时钟或刷新& {8 v) B3 J/ G6 b
•三态输出; X/ L3 c; R( e2 r- t7 O' i, a
•高低字节数据控制( r( v' G; m/ P% z' C d) O# x
•工业和汽车温度支持
. \: h, G7 p* C9 \7 P•无铅可用' y6 J9 L& d% S- X
•错误检测和错误纠正4 O% w/ F6 { A9 F+ }
+ t7 j7 V% {3 ~$ [1 [+ |! z: V
引脚封装& ]' x2 x- U- p5 L! \4 m
8 e, o2 W/ ~: \0 m
, t/ T' w+ K t& F1 ~, b, @: Y( |7 f4 ~" F$ @- G: p/ U$ W
EMI502NL16VM规格书下载
. T; z3 C4 i) Q, i9 {# e
2Mb(x16).pdf
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发表于 2021-4-23 16:48
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