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; D- U7 ]7 ^/ R: { q X摘要:GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其复杂的器件特性使其大信号建模变得十分困难，尽管EEHE-MT,Angelov等模型结构曾经成功应用于GaAs HEMT/MESFET的大信号模型，但当它们被用于GAN HEMT建模时却不再准确和完备.面向GaN HEMT器件的大信亏模型,本文提出了一种紧凑的模型拓扑，此模型拓扑综合了GAN HEMT器件的直流电压-电流(I-V)特性、非线性电容、奇生参数、栅延迟漏延迟与电流崩塌、自热效应以及噪声等特性.经验证此模型拓扑在仿真中具有很好的收敛性,适用于GaN HEMT器件的大信号模型的建立,满足GaN基微波电路设计对器件模型的需求.% _: t- g8 g1 Z, [7 P+ l
* w4 Q" D- D0 Q M: I5 K关键词:氮化镓高电子迁移率晶体管;大信号模型;非线性;收敛性
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2 q- S7 h) e% n" z$ l/ w% }+ n1 l 随着电子材料和器件技术的进步,以GaN、SiC为代表的第三代半导体被人们制备、研究并走向产业化.以GaN为代表的第三代半导体材料具有禁带宽度大、热导率高、耐辐照﹑电子饱和速度高等显著优势,在此基础上实现的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在性能和可靠性上表现出巨大的优势并深刻地影响了当今化合物半导体器件和电路产品的市场格局.$ u5 b# S c; h. J
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发表于 2021-4-25 10:16
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