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想实现这种电路工作我应该如何驱动MOS?

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发表于 2021-4-28 13:39 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如题,我需要如图电路工作,NMOS支路与PMOS支路交替工作,目前的方法是用一个正负10伏的方波信号(DSP发出的)直接驱动两个MOS,这样两个支路就能交替工作了。; ]9 ?# A% o/ m7 Y; u4 w3 k
但用了大功率MOS后担心驱动电流不够,请问PMOS用什么驱动IC?和NMOS一样吗?或者大佬有什么更好的驱动方案吗?最终目的就是想让两条支路同频率的交替工作。& P# r* ?% u6 _( n3 V9 l; c# {
  • TA的每日心情
    开心
    2021-1-15 15:42
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    [LV.1]初来乍到

    推荐
    发表于 2021-4-28 14:04 | 只看该作者
    你可能对MOS理解不够 普通的单片机输出的驱动信号 足够驱动100A的MOS ,你需要关注的是驱动电压GS 而不是电流

    点评

    如果要关注驱动速度(或开关频率),那还是要关注驱动电流的。 因为大功率MOS的Cgs可能高达1000pF,G极驱动电流小,会导致MOS管开关速度不够快。  详情 回复 发表于 2021-4-29 13:47

    该用户从未签到

    推荐
    发表于 2021-4-29 13:47 | 只看该作者
    qunqunqn 发表于 2021-4-28 14:04+ X& A" y' a% [: |7 P) b! M
    你可能对MOS理解不够 普通的单片机输出的驱动信号 足够驱动100A的MOS ,你需要关注的是驱动电压GS 而不是电 ...
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    如果要关注驱动速度(或开关频率),那还是要关注驱动电流的。; U  ~" t/ M# q& G& |4 ~
    因为大功率MOS的Cgs可能高达1000pF,G极驱动电流小,会导致MOS管开关速度不够快。' v5 J  f/ W' t/ s

    点评

    这个回答是对的 如果真的担心,就加mos driver增强驱动电流,不过得看楼主实际应用了  详情 回复 发表于 2021-5-25 20:05
    那这种情况有什么好的解决办法  详情 回复 发表于 2021-5-25 02:18
    专业啊 此观点表示同意  详情 回复 发表于 2021-4-29 17:13

    该用户从未签到

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    发表于 2021-4-28 14:26 | 只看该作者
    MOS管本来就电压驱动型,Vgs足够就行了

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2021-4-28 14:20 | 只看该作者
    关键你两端接的是什么东西??

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2021-4-29 13:44 | 只看该作者
    如果已经有正负方波了,那这个图中的两个MOS管都可删除。利用D7和D9就实现了交替工作。
  • TA的每日心情
    开心
    2021-1-15 15:42
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    7#
    发表于 2021-4-29 17:13 | 只看该作者
    saladrf 发表于 2021-4-29 13:47
    / t" j: y7 d+ p! e' O如果要关注驱动速度(或开关频率),那还是要关注驱动电流的。1 [' o+ _$ V, J* ^' ^0 X- y* {
    因为大功率MOS的Cgs可能高达1000pF,G极 ...

    & }% e* ~* g& e+ U  E专业啊  此观点表示同意
    , W+ d+ E3 z  F3 Q* k$ ~

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2021-5-25 02:18 | 只看该作者
    saladrf 发表于 2021-04-29 13:47:08
    + A5 X2 B, {' n6 M. o+ h$ @, k[quote]qunqunqn 发表于 2021-4-28 14:04
    8 V/ B6 J* ?* A你可能对MOS理解不够 普通的单片机输出的驱动信号 足够驱动100A的MOS ,你需要关注的是驱动电压GS 而不是电 ...

    & A) K' q: V3 Y& ]; L$ }. [$ M如果要关注驱动速度(或开关频率),那还是要关注驱动电流的。
    . B, [$ t( P; }! M因为大功率MOS的Cgs可能高达1000pF,G极驱动电流小,会导致MOS管开关速度不够快。
    ' ^4 u2 D8 M% l% c1 m6 m, |: }[/quote]5 i' }  H& `7 f( d9 `& x" M- r" Z1 ~
      l5 a, q+ S, {* Y: f
    那这种情况有什么好的解决办法" _+ y9 s8 z; \2 N

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    9#
    发表于 2021-5-25 20:05 | 只看该作者
    saladrf 发表于 2021-4-29 13:47
    , t" s: O' ~3 ?* i9 K( w如果要关注驱动速度(或开关频率),那还是要关注驱动电流的。2 B; E+ n6 O2 C& h, Q$ ^
    因为大功率MOS的Cgs可能高达1000pF,G极 ...
    - g, w' L  a1 s) e  \& L* @
    这个回答是对的
    " y, J: K! g9 v如果真的担心,就加mos driver增强驱动电流,不过得看楼主实际应用了
    ; h  M. ~; M- }* z0 y6 n+ C6 K. C6 u1 j1 c2 u* O) r. K; b

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    10#
    发表于 2021-5-26 16:00 | 只看该作者
    功率大了  MOS就要开关快  不然可能会烧毁MOS,这时候就需要MOS驱动,比如TC4426/27/28之类的 取决你的逻辑
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